DIV nguồn (Unsigned Divide)
T giữa w Low active
4.2. Phối ghép 8088 với bộ nhớ 1.Bộ nhớ bán dẫn
4.2.1. Bộ nhớ bán dẫn
Các vi mạch nhớ thường dùng với các hệ vi xử lý gồm:
• ROM (Read Only Memory – Bộ nhớ cố định): Bộ nhớ loại này thường có nội dung được ghi săn từ khi sản xuất và chỉ có thể đọc ra nên chúng được gọi là bộ nhớ cố định. Loại này còn được gọi là ROM mặt nạ vì thơng tin trong ROM được ghi thông qua một mặt nạ. Khi mất nguồn ni cung cấp cho vi mạch thì thơng tin vẫn cịn (nội dung trong RM khơng bị mất đi).
o PROM (Programmable ROM): Loại này ra ROM trắng (chưa ghi thôngo tin) sau khi sản xuất. Người sử dụng có thể ghi thơng tin vào ROM theo ý mình một lần duy nhất bằng máy nạp ROM (máy ghi ROM chuyên dụng).
o EPROM (Erasable ROM): Loại ROM này có thể ghi (“lập trình”) bằng xung điện và xố bằng tia cực tím (UV – Untra Violete), từ một máy nạp ROM.
RDY1AEN1 AEN1 RDY2 CLK READY QA QB QC QD DE QF QG GH CLK CLR SI 1T 3T 4T 5T 6T 7T 8T READY CLK 8088 RD WR INTA READY CS của mạch nhớ T1 T2 T3 TW T5 CLK QA QB QC QD
o EEPROM (Electric EPROM): Giống như EPROM, nhưng việc ghi/xố ROM có thể thực hiện ngay trong mạch làm việc mà khơng địi hỏi phải thơng qua máy nạp ROM.
• RAM (Random Access Memory – Bộ nhớ ghi/đọc): Đặc trưng của loại bộ nhớ này là thông tin sẽ bị mất đi khi mất nguồn nuôi cấp cho vi mạch.
o SRAM (Static RAM – RAM tĩnh): Mỗi phần tử nhớ của loại này được cấu tạo từ mạch lật (flip – flop) nên có đặc điểm là tác động nhanh, thơng tin ổn định. Kèm theo đó là tốn nhiều transistor cho một đơn vị nhớ nên đắt tiền. Chúng thường được dùng vào những thành phần nhớ quan trọng như thanh ghi, cache, ...
o DRAM (Dynamic RAM): Mỗi phần tử nhớ của loại này được cấu tạo từ một tụ điện nhỏ, được chế tạo bằng cơng nghệ PMOS. Loại này có đặc điểm là tác động chậm, thơng tin khơng ổn định vì có sự dị điện tích giữa 2 bản tụ (1: tụ được tích điện, 0: tụ khơng được tích điện) nên cần các mạch phụ trợ để bù lại lượng điện tích bị dị – gọi là các mạch làm tươi. Loại này rẻ hơn SRAM và có thể sản xuất vi mạch nhớ với dụng lượng lớn.
Một bộ nhớ (hay một modul nhớ nói chung) được cấu tạo (tạo nên) từ nhiều vi mạch nhớ ghép lại. Mỗi vi mạch nhớ thường có cấu tạo như sau:
Am-1 – A0: m bit địa chỉ Dn-1 – D0: n bit dữ liệu Dung lượng tính theo bit: 2m*n (bits).
Nếu n = 8 thì dung lượng là: 2m (bytes)
WR [I] (WRite): Tín hiệu điều khiển ghi, với ROM thường là WE: Write Enale
RD [I] (ReaD): Tín hiệu điều khiển đọc, với ROM thường là OE: Output Enale
CS [I] (Chip Select): Tín hiệu chọn chip, với ROM thường là CE: Chip Enale
• Nhóm tín hiệu địa chỉ (Am-1 – A0): Dùng để chọn ra ô nhớ cụ thể được ghi/đọc. Các ô nhớ có độ dài khác nhau tuỳ từng loại vi mạch nhớ, từng nhà sản xuất: 1, 4, 8, ... bit. Số lượng các đường dây địa chỉ xác định dung lượng của vi mạch nhớ. Dung lượng = 2m (ô nhớ).
Nếu m = 10 thì dung lượng là: 210 = 1 Kilo ô nhớ (kilo = 1024)
Nếu m = 20 thì dung lượng là: 220 = 1 Mega ơ nhớ (kilo = 1024*1024 = 1048576)
• Nhóm tín hiệu dữ liệu (Dn-1 – D0): Các đường tín hiệu này là đầu ra đối với vi mạch ROM và là vào/ra đối với vi mạch RAM, cũng có thể đặt riêng nhóm đường vào và ra của các tín hiệu này, khi nối vào bus dữ liệu: là nối chung vì các mạch nhớ thường có đầu ra đữ liệu 3 trạng thái. Số đường dữ liệu (n) xác định độ dài của ô nhớ (ngăn nhớ – từ nhớ). Thường ghi rõ 1Kx8 hoặc 16Kx4 hoặc 1Kx1.