Các giai n ca quá trình quang kh c

Một phần của tài liệu kỹ thuật vi điện tử (Trang 56 - 60)

3.2.2 .Oxy hóa nhi t

3.3. Quang kh c

3.3.4. Các giai n ca quá trình quang kh c

Hình 3.25. S quá trình quang kh c a. Chu n b b m t - Tách t p ch t trên b m t bán d n. Ph ng pháp: + Th i khí nit có áp su t cao + V sinh b ng hóa ch t + Dịng n c có áp su t cao + Dùng c r a - S y tách m: Trên b m t các bán d n th ng có m do ó c n ph i lo i b ng cách gia nhi t kho ng 150~200oC

- Ph l p n tích s c p: làm t ng kh n ng k t dính gi a bán d n và m quang. n tích s c p th ng s d ng là HMDS (hexamethyldislazane)

b. Ph l p c m quang

giai n này n n c quay trên máy quay trong môi tr ng chân không. Các thơng s ki m sốt trong giai n này:

+ T c 3000-6000 vòng/phút + Th i gian quay: 15-30 giây + dày l p ph : 0.5-15µm

Cơng th c th c nghi m tính dày l p ph c m quang

w kp t

2

=

i k: h ng s c a thi t b quay spinner (80-100) p: hàm l ng ch t r n trong ch t c m quang (%) w: t c quay c a máy quay (vịng/1000)

Hình 3.26. Quá trình ph c m quang

Các s c th ng g p trong quá trình ph l p photoresist:

c Nguyên nhân ng kh c ph c

Xu t hi n các ng c

Do trong resist có các h t

n có ng kính l n

n dày l p ph .

Dày ng biên ng s c trên b m t Hình 3.27. Các s c th ng g p khi ph c m quang

c. S y s b

c ích: làm bay h i dung mơi có trong photoresist. Trong q trình y dày l p ph s gi m kho ng 25%. Ph ng pháp th c hi n:

- Dùng lò i l u nhi t. u ki n: Nhi t : 90-100oC, th i gian: 20 phút - Dùng t m gia nhi t: Nhi t : 75-85oC, th i gian: 45 giây

- Dùng sóng viba và èn h ng ngo i.

d. Chi u ánh sáng (chuy n hình nh t m t n lên c m quang)

Trong giai n này, h s c chi u ánh sáng chuy n hình nh lên n, m t n c t gi a h th u kính và n n.

Có 3 ph ng pháp chi u d a vào v trí t m t n : - t n ti p xúc

- t n t cách photoresist kho ng cách nh

Hình 3.28. Các ph ng pháp chi u sáng So sánh 3 ph ng pháp: Ph ng pháp u m Khuy t m t n ti p xúc Giá c h p lí phân gi i cao: 0.5 µm Làm h m t n do l p oxit trên m t n b x t. Các v t b n trên m t n s in lên phototresit t n t cách photoresist kho ng cách nh Giá c h p lí phân gi i th p: 1-2µm Do nh h ng c a nhi u x nên h n ch chính xác c a hình nh. l p l i c a hình nh kém t n t cách xa phân gi i r t cao: < 0.07 Giá thành cao

e. Tráng r a: Dùng hóa ch t tách các c m quang ch a óng r n.

f. y khơ: Làm cho c m quang c ng hoàn toàn, ng th i tách tồn b dung

mơi ra kh i c m quang. u ki n s y:

- Nhi t : 49-54oC - Th i gian: 30 phút

g. n mòn

h. T y b c m quang: bán d n c r a và s y khô. Dùng dung d ch

ki m ho c khí hịa tan c m quang. Dùng hóa ch t tách c m quang:

- S d ng hóa ch t nóng hịa tan c m quang

- Các hóa ch t th ng s dùng: acid sulfuric, acid phosphoric và hydrogen peroxide

- u m: tách c m quang nhanh

- Nh c m: giá thành hóa ch t cao, tác ng n môi tr ng Ph ng pháp khơ (dùng khí):

- Ph ng pháp này khơng c h i do s d ng khí oxy plasma oxy hóa hồn tồn c m quang nên cịn c g i là tro hóa c m quang. L ng khí

o thành s c tách b ng b m chân không. CxHy (c m quang) + O2→ CO + CO2 + H2O

Một phần của tài liệu kỹ thuật vi điện tử (Trang 56 - 60)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(108 trang)