3.2.2 .Oxy hóa nhi t
3.7.4. Khuy t tt trong lp Epitaxy
p epitaxy có th có khuy t t t. N u nh ng khuy t t t n m trong vùng tích c c c a phi n, chúng có th làm h ng linh ki n. Linh ki n h ng có th tr c ti p do các tr ng thái n t có liên quan n khuy t t t làm t ng áng k dịng rị. C ng có th trong q trình epitaxy khuy t t t b t gi các t p ch t khác trên phi n t o nên các tr ng thái n t . Khuy t t t c ng có th làm t ng khu ch tán, d n n thay i c u trúc v t lý c a transistor.
Lo i khuy t t t ph bi n nh t trong l p silic epitaxy là sai h ng x p. Sai ng x p là m t ph ng nguyên t thêm vào(th a) tinh th ho c m t ph ng nguyên t thi u tinh th . Sai h ng x p trong silic th ng x y ra theo h ng <111>.
Khuy t t t có th là nh ng u nh n, ch nhô ra t l p epitaxy, không trùng v i h ng tinh th . ây có th là d u hi u c a s m c màng 3 chi u(3-
oxi hóa gây ra trong phi n và các h t k t t a trên b m t phi n. Vi c làm s ch m t phi n 1 cách c n th n s làm gi m áng k m t sai h ng x p trong p silic epitaxy.
ch m ng c ng t ng t nh sai h ng x p nh ng là khuy t t t 2-D. ch m ng khó phát hi n trên b m t nh ng v n nh h ng nghiêm tr ng n ch t l ng l p epitaxy. L ch m ng có th lan truy n t , c ng có th c hình thành trong l p epitaxy do bi n d ng àn h i, h u qu c a phân b nhi t không u và t c m c quá l n. Nh ng khuy t t t tinh vi ki u l ch m ng th ng c phát hi n b ng n mòn ch n l c.
t trong nh ng lí do t i sao ph c y l p epitaxy gi m n tr n i ti p hay n tr kí sinh. Th ng vi c này c th c hi n b ng cách c y l p epitaxy pha t p nh trên b m t phi n pha t p m nh ho c lên trên vùng chôn c b pha t p m nh. Transistor c ch t o trong l p epitaxy, còn vùng pha p m nh th c ch t là ti p xúc phía áy c a transistor.