0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 -2 -1 0 1 2 3 4 5 ln ( /T )( O h m. cm. K -1 ) 1000/T(K) CaMnO3 Ca0.9Y0.1MnO3 Ca0.5Y0.5MnO3 Ca7.3Y0.3MnO3
Trong hình 3.3, ta có thể thấy khi tăng nhiệt độ điện trở suất của các mẫu giảm. Đồng thời, khi tăng nồng độ tạp Mn, điện trở suất của các mẫu Ca1-xYxMnO3 giảm. Ở nhiệt độ phòng, điện trở suất của mẫu ứng với x = 0.5 giảm gần 9 lần so với điện trở suất của mẫu ứng với x = 0.
Hình 3.4 có thể thấy sự phụ thuộc của ln(ρ/T) vào 1000/T là khá tuyến tính trong vùng nhiệt độ từ nhiệt độ phòng đến 700K. Từ độ dốc của đƣờng phụ thuộc ln(ρ/T) vs (1/T), ta có thể tính đƣợc năng lƣợng kích hoạt Ea đối với từng mẫu, đƣợc đƣa ra trong bảng 3.2.
Bảng 3.2: Năng lƣợng kích hoạt Ea của các mẫu Ca1-xYxMnO3
Ca1-xYxMnO3 x = 0 x = 0.1 x = 0.3 x = 0.5
Từ bảng 3.2, năng lƣợng kích hoạt của các mẫu Ca1-xYxMnO3 giảm khi tăng nồng độ tạp Mn.
Từ sự phụ thuộc vào nhiệt độ của điện trở suất với các mẫu Ca1-xYxMnO3 trong hình 3.3, ta có thể thấy khi pha tạp mạnh Yttrium (Y) vào CaMnO3, độ dẫn điện của bán dẫn tăng lên nhiều cấp thể hiện qua sự giảm mạnh điện trở suất. Sự tăng độ dẫn của vật liệu có thể giải thích là do sự thay thế vị trí A (Ca) trong cơng thức ABO3 bằng ion Y+3
có thể làm tăng nồng độ hạt tải, giảm sự tán xạ hạt tải bởi dao động mạng và tâm tạp yếu. Sự phụ thuộc semilog của điện trở vật liệu vào nghịch đảo nhiệt độ (sự phụ thuộc ln(ρ/T) vào 1/T) đƣợc biểu diễn trong hình 3.4. Theo các tác giả [6,7], giá trị điện trở suất đƣợc tính theo cơng thức:
exp a B
E C
T k T (3.1) Trong đó C là hằng số liên quan tới cơ chế tán xạ, Ea là năng lƣợng kích hoạt, kB là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ tuyệt đối. Trên hình 3.4, ta thấy sự phụ thuộc tuyến tính của ln(ρ/T) vào 1/T khá tốt trong dải từ nhiệt độ phòng lên đến 700K. Điều này chứng tỏ cơ chế dẫn trong trƣờng hợp nhảy là cơ chế nhảy (hopping).
Theo Bach Thanh Cong et al [7], năng lƣợng kích hoạt Ea có sự phụ thuộc tuyến tính vào nồng độ pha tạp khi x > 0.2 cho mẫu thuộc hệ Ca1-xPrxMnO3 (0≤x<1) và đƣợc giải thích do sự tạo thành polaron. J.Lan et al [11] giải thích sự thay đổi giá trị Ea theo nồng độ có thể là do sự pha tạp và liên hệ với cơ chế dẫn trong perovskite.
3.2.2 Hệ số Seebeck của vật liệu
Hệ số Seebeck của các mẫu Ca1-xYxMnO3 trong vùng nhiệt độ 300÷1200K đƣợc thể hiện trong hình 3.5 dƣới đây. Hệ số Seebeck mang giá trị âm, chứng tỏ các mẫu thuộc bán dẫn loại n. Khi tăng nồng độ tạp Mn, giá trị Seebeck giảm. Đối với mẫu Ca1-xYxMnO3 của chúng tôi, giá trị Seebeck thu đƣợc không cao, đạt lớn nhất
bằng -254μV/K với x = 0. Đối với những mẫu pha tạp mạnh (x ≥ 0.3), giá trị tuyệt đối của hệ số Seebeck nhỏ, gần nhƣ khơng thay đổi theo nhiệt độ.
Ngồi ra, để đánh giá phẩm chất của vật liệu, chúng tơi tính tốn thơng số cơng suất (σS2) và đƣợc thể hiện trong hình 3.6. Ta có thể thấy, tuy mẫu có sự tăng độ dẫn nhƣng giá trị Seebeck thu đƣợc không cao nên giá trị thông số công suất (σS2) đạt đƣợc thấp. Giá trị này cao nhất bằng 0.08x 10-5 Wm-1K-2 ở 1183K với mẫu Ca0.5Y0.5MnO3. Nhƣ vây, chúng tôi thấy hệ vật liệu này cần đƣợc chế tạo tốthơn, sự pha tạp nồng độ ở nồng độ thấp để có thể hứa hẹn sử dụng hệ vật liệu này vào trong thực tiễn ứng dụng
Hình 3.5 Sự phụ thuộc nhiệt độ của hệ số Seebeck, S của Ca1-xYxMnO3 (x=0, 0.1,0.3, 0.5) 200 400 600 800 1000 1200 -250 -200 -150 -100 -50 0 CaMnO3 Ca0.9Y0.1MnO3 Ca0.7Y0.3MnO3 Ca0.5Y0.5MnO3 v/ K T(K)
Đối với các mẫu pha tạp mạnh (x > 0.1), hệ số Seebeck thay đổi rất nhiều so với mẫu không pha tạp. Đặc điểm của hệ số Seebeck của mẫu pha tạp mạnh là xu thế bão hòa trong cả vùng nhiệt độ đƣợc nghiên cứu. Điều này trái ngƣợc với những kết quả đã đƣợc công bố trƣớc đây đối với mẫu CaMnO3 pha tạp yếu, mà ở đó hệ số Seebeck phụ thuộc nhiều vào nồng độ pha tạp.
Trong các mẫu Ca1-xYxMnO3 (x= 0.1, 0.2, 0.3) của Koshiyabe et al [5], mẫu Ca1-xPrxMnO3 (0≤x<1) của Bach Thanh Cong et al [7], mẫu La1-xCaxMnO3 (0<x< 1) của J.Lan et al [11], sự phụ thuộc S vào T có sự tuyến tính. Tuy nhiên, chúng tơi nhận thấy độ dốc trong phụ thuộc nhiệt độ của hệ số Seebeck đối với các mẫu thu đƣợc là khác nhau trong cùng một hệ. Sự khác nhau này có thể giải thích là tán xạ hạt tải thay đổi theo từng mẫu cụ thể. Đối với mẫu Ca1-xYxMnO3 của chúng tôi, giá trị S thu đƣợc không cao, đạt lớn nhất bằng -254μV/K với x=0 và có xu hƣớng giảm dần khi tăng nhiệt độ cũng nhƣ tăng nồng độ pha tạp. Với mẫu Ca0.9Y0.1MnO3 dáng
Hình 3.6 Thơng số cơng suất của các mẫu Ca1-xYxMnO3 (x= 0, 0.1, 0.3, 0.5) 200 400 600 800 1000 1200 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 x1 0 -5 W m -1 K -2 T(K) CaMnO3 Ca0.9Y0.1MnO3 Ca0.7Y0.3MnO3 Ca0.5Y0.5MnO3
điệu đồ thị có sự phù hợp tƣơng đối tốt với nghiên cứu trƣớc đây của Kobayashi et al [6]. Đối với những mẫu pha tạp mạnh (x ≥ 0.3), giá trị tuyệt đối của hệ số Seebeck nhỏ, gần nhƣ khơng thay đổi theo nhiệt độ. Điều này có thể thấy sự ảnh hƣởng của tán xạ do pha tạp là rất lớn, lấn át phần ảnh hƣởng của cấu trúc điện tử của bán dẫn cũng nhƣ tán xạ trên phonon. Trong công bố trƣớc đây [11], sự tăng S ở nhiệt độ từ nhiệt độ phòng tới 450K liên quan tới sự thay đổi Mn+2
/Mn+3. Những trạng thái hóa trị này sẽ đóng góp vào hệ số Seebeck, điều này cũng đƣợc nêu trong cơng bố nghiên cứu trƣớc đó.
.
KẾT LUẬN
Trong q trình xây dựng phƣơng pháp đo, tiến hành đo đạc tính chất nhiệt điện với vật liệu gốm pervoskite Ca1-xYxMnO3 (x= 0, 0.1, 0.3, 0.5), luận văn đã thu đƣợc các kết quả chính nhƣ sau:
Thiết kế, xây dựng phƣơng pháp đo tính chất nhiệt điện vùng nhiệt độ cao bằng kĩ thuật dán điện cực Pt. Hệ đo có thể tiến hành đo đồng thời điện độ dẫn điện và hệ số Seebeck trên cùng một mẫu, tại một điểm nhiệt độ trong vùng nhiệt độ từ nhiệt độ phòng tới 10000
C. Mặt khác, hệ đo có thể dễ dàng lắp đặt, vận hành trong khi tiến hành thực nghiệm, thiết bị không quá phức tạp phù hợp với điều kiện thực nghiệm trong nƣớc.
Mẫu pervoskite Ca1-xYxMnO3 (x= 0.1, 0.3, 0.5) đƣợc chế tạo bằng phƣơng pháp phản ứng pha rắn ở nhiệt độ 12300C. Kết quả nhiễu xạ tia X (XDR) cho thấy cấu trúc tinh thể dạng orthorhombic (trực thoi). Hệ số Seebeck đo đƣợc mang giá trị âm, cho thấy vật liệu thuộc bán dẫn loại n. Giá trị lớn nhất về độ lớn bằng 254μV/K. Độ dẫn điện tăng theo nhiệt độ tƣơng ứng với sự giảm điện trở suất khi nhiệt độ tăng.Giá trị điện trở suất nhỏ nhất là 1.7Ω ở 1183K ứng với mẫu Ca0.5Y0.5MnO3. Thông số công suất (power factor) tăng theo nhiệt độ. Giá trị này cao nhất bằng 0.08 x 10-5
Wm-1K-2 ở 1183K với mẫu Ca0.5Y0.5MnO3.
Những tính chất nhiệt điện của hệ CaMnO3 pha Yttrium đƣợc xem xét trên mơ hình tán xạ hạt tải trong bán dẫn. Trong vùng nhiệt độ từ nhiệt độ phịng tới 700K, mơ hình polaron nhỏ đƣợc chúng tơi áp dụng cho lý giải kết quả thực nghiệm.
Do thời gian có hạn nên các yếu tố ảnh hƣởng tới tính chất nhiệt điện của vậtliệu chƣa đƣợc khảo sát đầy đủ. Các quá trình tán xạ, sự ảnh hƣởng của nhiệt độ lên tính chất rất phức tạp, cần có sự khảo sát kĩ lƣỡng, cụ thể hơn và cần đƣợc nghiên cứu thêm.
TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt
1. Nguyễn Văn Hùng, (1999), “Giáo trình lý thuyết chất rắn”, NXB ĐHQG Hà Nội.
2. Phạm Hồ, “Vật lý bán dẫn”, tr. 404-420, NXB Đại học Bách khoa Hà Nội. 3. Nguyễn Văn Du, (2008), “Nghiên cứu tính chất điện và từ của hệ vật liệu La1-xTixFeO3, LaxSrxFeO3 (x= 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5)”, Luận văn thạc sĩ.
4. Nguyễn Thị Bảo Ngọc, Nguyễn Văn Nhã, (1998), “Giáo trình Vật lý chất rắn”, NXB ĐHQG Hà Nội.
5. Lê Thị Thu Hƣơng, Nguyễn Thị Thủy, Đặng Lê Minh, Nguyễn Trọng Tĩnh, “Tán xạ hạt tải và tính chất nhiệt điện của vật liệu pervoskite pha tạp”, Hội nghị Vật lý chất rắn và Khoa học vật liệu toàn quốc lần thứ 7 (2011).
Tiếng Anh
6. Kobayashi, T., Takizawa, H., Endo, T., Sata, T., Shimada, M., Taguchi, H. and Naga, M., J. Solid State Chem, Vol.92, pp. 116-129 (1988).
7. Bach Thanh Cong, Toshihide Tsuji, Pham Xuan Thao, Phung Quoc Thanh, Vasuhisa Yamamura, “High temperature thermoelectric properties of Ca1-
xPrxMnO3-δ (0≤x<1)”, Physic B 352 (2004).
8. N. F. Mott, E. A. Davis, “Electronic Processes in Non-crystalline Materials”, Clarendon Press”, Oxford, 1971.
9. Ralf Moos, Alain Gnudi Karl Heinz Hardtl, “Thermoelectric of Sr1-xLaxTiO3
ceramics”, J. Appl. Phys, Vol 78, pp.5042-5047, 1995.
10. Pham Xuan Thao, “High temperature thermoelectric properties of CaMnO3
symtem”, Master thesis.
11. J.Lan, Y.Lin, A.Mei, “High-temperature electric properties of crystalline La-doped CaMnO3 ceramics”, J. Mater.Sci. Technol, Vol. 25,pp. 535-538, 2009.
12. Haldor Topsoe, “Geometric Factor in Four Point Resistivity Measurement”, Bulletin No.472- 15, 1986.
13. Amal Al- Wahish, “Introducction to oxide thermoelectric”, Solid state 672, Department of Physics, UTK, 2009.
14. Michitaka Ohtaki, “Oxide thermoelectric Materials for Heat-to-electricity
directenergy conversion”, Micro Review.
15. Mr.Scofiel, “Four- probe resistance primer”, Physics 414, 2000.
16. Haldor Topsoe, “Geometric Factor in Four Point Resistivity
Measurement”, Bulletin No.472- 15, 1986.