Mạch kẹp CDS

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) NGHIÊN cứu CÔNG NGHỆ cảm BIẾN HÌNH ẢNH và THIẾT kế CAMERA CCD 1 (Trang 53 - 54)

Để cải thiện hơn nữa tỷ lệ tín hiệu trên tạp âm, bộ khuếch đại đầu tiên A1 đạt được những tín hiệu đầu vào của G = -402 /RIN. Điều này cũng có nhiễu, nhưng nó sẽ được gỡ bỏ từ các tín hiệu với các chức năng CDS. Trong thời gian thiết lập lại CCD kẹp xung được áp dụng cho chuyển S1, nền tảng tụ C1. Điện áp trên không có cơ sở bên tụ điện này giữ ở yên, để lại các mẫu nhiễu được lưu trữ trên các tụ điện. CCD thiết lập lại thời gian kết thúc và chuyển S1 sẽ mở ra. Bây giờ thông tin điểm ảnh mà cũng bị tạp nhiễu được chuyển giao. Tăng lên bởi bộ khuếch đại tín hiệu A1 đi qua các mạch kẹp tụ điện. Dưới đây là một phép trừ diễn ra loại bỏ các thành

phần nhiễu từ tín hiệu. Một lần nữa, điều này là do các tụ điện mang một khoản phí (điện áp) đại diện cho một mẫu của các nhiễu rms. Khi tín hiệu đi các tụ điện C1 nó được giảm bởi các mẫu nhiễu được lưu trữ trên các tụ điện. Điều này có hiệu quả loại bỏ nhiễu. Các trạng thái "mở" và "tắt" chuyển đổi thực hiện các đôi lấy mẫu tương quan. Các bộ đệm kẹp đảm bảo tách của nút nhạy. Các băng rộng FET op amp OPA655 được sử dụng ở đây, kể từ khi đầu vào FET đảm bảo một dòng điện phân cực rất thấp hiện nay (10pA, typ). Dòng điện phân cực gây ra trên bản thân tụ kẹp, mà có thể tạo ra một lỗi đáng kể tùy thuộc vào thời gian. Các đầu ra của bộ khuếch đại A2 sẽ được lấy mẫu bằng một mẫu và giữ IC. Nhược điểm của mạch này là thiết bị chuyển mạch điện tử đã qua sử dụng có thể đưa vào nhiễu KT/C nữa. Một chuyển đổi CD4066 tiêu chuẩn có thể được sử dụng cho các hệ thống tốc độ chậm, trong khi đó công tắc như DG611 từ Siliconix có thể được sử dụng cho các hệ thống tốc độ cao.

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) NGHIÊN cứu CÔNG NGHỆ cảm BIẾN HÌNH ẢNH và THIẾT kế CAMERA CCD 1 (Trang 53 - 54)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(76 trang)