Thiết kế vật lý mạch điều khiển tín hiệu đầu ra

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 76 - 80)

CHƯƠNG 3 : TÍNH TOÁN GIÁ TRỊ LINH KIỆN VÀ THIẾT KẾ VẬT LÝ

3.5 Mạch điều khiển tín hiệu đầu ra

3.5.4 Thiết kế vật lý mạch điều khiển tín hiệu đầu ra

Hình 3.60 Mạch điều khiển tín hiệu đầu ra

Hình 3.61 Phác thảo thiết kết vật lý mạch điều khiển tín hiệu đầu ra

- Phác thảo thiết kế được đặt theo chiều dọc để tối ưu việc đi dây.

- Khối 2 được sắp xếp theo kỹ thuật đối xứng qua tâm và thêm thiết bị giả ở hai đầu nhằm tăng sự tương xứng giữa các cặp thiết bị P3 – P4, và N0 – N1.

- Tất cả các khối chia sẻ chung lớp khuếch tán một cách liên tục và có vòng bảo vệ xung quanh.

3.5.4.2 Đi dây

Hình 3.62 Đi dây tín hiệu quan trọng khối điều khiển tín hiệu đầu ra

- Hai cặp tín hiệu INN – INP, PADP – PADN được đi dây đối xứng.  Đi dây nguồn/đất

Hình 3.63 Đi dây cho nguồn/đất khối điều khiển tín hiệu đầu ra

- Các đường nguồn/đất đặt lên đúng với các thiết bị.

- Độ rộng của đường kim loại nguồn/đất và số lượng Via được tối đa hoá. 3.4.5.3 Kết quả kiểm tra

TÌNH TRẠNG ĐÁNH GIÁ VẬT LÝ

DRC_INT LVS_INT ERC DRC

tapeout

DRC_DP colored tapeout

LVS tapeout

BỎ QUA PASS PASS BỎ QUA BỎ QUA PASS

Bảng 3.4 Đánh giá tình trạng vật lý khối điều khiển tín hiệu đầu ra

Hình 3.64 Kết quả kiểm tra DRC_INT Hình 3.65 Kết quả kiểm tra LVS_INT

Hình Kết quả kiểm tra DRC Hình Kết quả kiểm tra LVS

Hình 3.66 Kết quả kiểm tra DRCtapeout Hình 3.67 Kết quả kiểm tra LVS_tapeout

Hình 3.68 Kết quả kiểm tra DRC_DP colored tapeout

Kết quả kiểm tra DRC còn một số lỗi mật độ tối thiểu của kim loại mức 1 và poly, những lỗi này sẽ được sửa ở thiết kế vật lý toàn mạch. Do đó nó có thể được bỏ qua ở mức thiết kế vật lý hiện tại.

Một phần của tài liệu BÁO cáo đồ án tốt NGHIỆP mạch truyền tín hiệu vi sai điện áp thấp sử dụng công nghệ FinFET (Trang 76 - 80)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(100 trang)