Nhận xét:
- Các MOSFET đều hoạt động trong vùng bão hòa ở cả 3 trường hợp kiểm tra, giúp đảm bảo dòng điện phân cực tạo ra ổn định và việc sao chép dòng ở các mạch gương dòng được chính xác.
- Dòng điện phân cực ở trường hợp TT là 100.5uA, gần đúng với yêu cầu đề ra là 100uA. Dòng điện phân cực ở SS và FF lần lượt là 67.37uA và 175.6uA, dòng điện trong 2 trường hợp này lệch đi nhiều là do cấu trúc mạch lúc này vẫn còn phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ.
- Các MOSFET lúc này có Vgs > Vth, nghĩa là các MOSFET vẫn đang trong vùng đảo mạnh (strong inversion). Nhóm không đưa các MOSFET này vào trong vùng đảo yếu (weak inversion) như trong lý thuyết đã đề cập là do để đưa được các MOSFET vào vùng đảo yếu, các MOSFET cần phải có kích thước rất lớn để hạ thấp được Vgs mà vẫn giữ được giá trị dòng phân cực dựa trên công thức dòng qua MOSFET ở vùng bão hòa:
ID=12β(VGS−Vth)2
Bên cạnh đó, kích thước của NMOS ở mạch điều khiển tín hiệu đầu ra cũng phải lớn hơn khoảng 32 lần kích thước NMOS ở mạch phân cực như đã đề cập ở Chương 3. Vì vậy, việc đưa các MOSFET vào vùng đảo yếu cần một lượng không gian rất lớn. 4.2.1.2 DC Analysis
Sử dụng phương pháp DC Analysis để khảo sát sự phụ thuộc của dòng điện phân cực nếu nguồn điện áp thay đổi hoặc nhiệt độ thay đổi.
Ở trường hợp điện áp thay đổi từ 1.62V đến 1.98V, kết quả đo được như sau:
Hình 4.1 Đồ thị sự thay đổi của dòng điện theo điện áp nguồn
Điện áp Dòng điện
VDDQ = 1.62V 98.4uA
VDDQ = 1.8V 100.5uA
VDDQ = 1.98V 102uA