7. Bố cục của luận án
3.2.3 Cáchệ số ion hóa do va chạm (α/N)
Các kết quả tính toán áp dụng hệ hai phương trình xấp xỉ của công thức Boltzmann đối với các hệ số ion hóa khi xảy ra va chạm trong phóng điện khí, α/N, là các hàm của tỷ số E/N trong các hỗn hợp khí TRIES - Ar, TRIES - O2, TRIES - Kr, TRIES - Xe, TRIES - He, TRIES - Ne với các nồng độ phần trăm của
khí TRIES khác nhau (cụ thể là 1%, 5%, 10%, 30%, 50%, 70%, 90% TRIES). Các kết quả tính toán được thể hiện trên hình 3.8.
(Hình 3.8a) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-O2
Trên hình 3.8a thể hiện với các nồng độ phần trăm của khí TRIES khác nhau (cụ thể là 10%, 30%, 50%, 70%, 90% TRIES). Trong các hỗn hợp khí này, giá trị hệ số ion hóa của 10% TRIES - O2 lớn hơn giá trị của phân tử khí nguyên chất TRIES và O2 được thể hiện ở hình 3.8a.
(Hình 3.8b) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ar
Hình 3.8b cho ta thấy trong các hỗn hợp khí TRIES- Ar giá trị α/N tăng khi tăng E/N.Tuy nhiên, giá trị α/N của 1% TRIES - Ar lớn hơn giá trị của phân tử khí nguyên chất TRIES và Ar, các giá trị α/N của 70%TRIES - Ar, 90%TRIES - Ar, nhỏ hơn giá trị mỗi khí nguyên chất.
(Hình 3.8c) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Kr
Hình 3.8c cho ta thấy trong các hỗn hợp khí TRIES - Kr giá trị α/N tăng khi tăng E/N. Trong hỗn hợp khí TRIES - Kr, các giá trị của các hệ số α/N được xác định là nằm giữa các giá trị của các khí nguyên chất TRIES và Kr.
(Hình 3.8d) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Xe
Hình 3.8d cho ta thấy trong các hỗn hợp khí TRIES - Xe các giá trị của các hệ số α/N được xác định là nằm giữa các giá trị của các khí nguyên chất TRIES và Xe.
(Hình 3.8e) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-He
Ta thấy trong các hỗn hợp khí TRIES - He các giá trị của các hệ số α/N được xác định là nằm giữa các giá trị của các khí nguyên chất TRIES và He khi giá trị E/N <90 Td thể hiện ở hình 3.8e.
(Hình 3.8g) Hệ số ion hóa của hỗn hợp khí TRIES-Ne
Ta thấy trong các hỗn hợp khí TRIES- Ne các giá trị của các hệ số α/N được xác định là nằm giữa các giá trị của các khí nguyên chất TRIES và Ne khi giá trị E/N < 85Td thể hiện ở hình 3.8g.
Từ các kết quả trình bày về hệ số ion hoá của hỗn hợp khí TRIES với các khí O2,Ar, Kr, Xe, He và Ne, chúng ta thấy hệ số ion hoá của khí TRIES với các khí O2 và Ar làkhá khác so với các trường hợp còn lại. Điều này có thể giải thích là do đường tiết diện ion hóa(Qi) của hai chất khí O2 và Ar có năng lượng cao hơn so với các tiết diện ion hoá của các khí còn lại.
Các kết quả tính toán, mô phỏng được thể hiện trong các hình từ hình 3.5a đến 3.8g cho thấy, các nghiên cứu sản xuất tiếp theo sẽ có được một bộ thông số, dữ liệu tham khảo linh hoạt khi dùng khí TRIES làm tiền chất để tạo nguồn plasma ứng dụng trong công nghệchế tạo vi mạch. TRIES là tiền chất khí được sử dụng trong lắng đọng màng mỏng, nó được sử dụng rộng rãi trong ngành công
nghiệp bán dẫn nhờ khả năng trong việc lấp đầy khoảng trống và nhiệt độ lắng đọng của nó thấp. Chất khí TRIES chứa ít chất nền ethoxy thậm chí cao hơn bốn lần áp suất hơi so với tetraethoxysilane (TEOS), tỉ lệ tăng trưởng cao có thể đạt được mà không cần đến vật liệu làm nóng.