Pin màng mỏng vô định hình thường được gọi tắt là pin màng mỏng hoặc pin vô định hình. Vật liệu cốt lỏi để chế tạo pin màng mỏng là silic vô định hình. Công nghệ này thay vì sử dụng các tấm tinh thể rắn silicon mỏng sử dụng khí silane (SiH4) mà là một hợp chất hóa học có chi phí sản xuất thấp hơn so với silicon tinh thể.
Silane (SiH4) còn được gọi là silic tetrahydride, silicanel, hoặc monosilane, đó là một chất khí dễ cháy với mùi khó chịu. Nó không xảy ra trong tự nhiên. Silane lần đầu tiên được F. Wohler và H. Buffy phát hiện năm 1857 bởi phản ứng acid clohydric (HCL) với một hợp kim Al-Si.
Silane chủ yếu được sử dụng trong sản xuất công nghiệp của các thiết bị bán dẫn cho ngành công nghiệp điện tử. Nó được sử dụng để lắng đọng đa tinh thể, kết nối hoặc mặt nạ, hơi hóa chất lắng đọng của silicon điốt, và sản xuất các thiết bị silic vô định hình như là phim quang và pin năng lượng mặt trời.
Pin năng lượng mặt trời được sản xuất từ vật liệu màng mỏng có hiệu suất khoàng 4%. Nếu so sánh với hiệu suất 15-20% của pin mặt trời sử dụng vật liệu silic tinh thể thì rõ ràng hiệu suất của vật liệu màng mỏng có hiệu suất thấp hơn. Nhưng với vật liệu pin màng mỏng không cần ánh sáng mặt trời chiếu trực tiếp vẫn có thể chuyển đổi bức xạ
74
mặt trời thanh điện năng điều này có nghĩa là thời gian chuyển đổi bức xạ mặt trời thành điện năng bằng vật liệu này sẽ kéo dài hơn so với vật liện đơn tinh thể.