CHƯƠNG 3 : KẾT QUẢ VÀ BIỆN LUẬN
3.2. Quan sát hình thái học mẫu tấm dán truyền dẫn nhiệt trung gian
Hình 3.2. Ảnh chụp mặt cắt ngang của tấm dán a) Si_AO42_1:2, b)Si_AO12_1:1, c) Si_AO_1:1.
Trạng thái phân bố của hạt dẫn nhiệt có vai trò quan trọng quyết định tấm dán truyền dẫn nhiệt trung gian có dẫn nhiệt tốt hay không. Để dẫn nhiệt tốt các hạt dẫn nhiệt cần phải tiếp xúc với nhau để hình thành một con đường truyền nhiệt liên tục. Hình 3.2 a) là ảnh SEM chụp mặt cắt ngang của tấm dán truyền dẫn nhiệt trung gian chế tạo từ hỗn hợp silicon trộn với hạt dẫn nhiệt Al2O3 A-42với tỉ lệ 1:2 (kí hiệu Si_AO42_1:2). Từ hình 3.2 a) ta không thể thấy được chuỗi hạt dẫn nhiệt trong tấm dán, chỉ có thể thấy rằng các hạt nhôm oxit phân tán khá đều, tuy nhiên nhìn vào hình ta có thể thấy sự xuất hiện của các hạt có kích thước lớn hơn 10µm. Kích thước hạt Al2O3 ta sử dụng có kích thước là 5µm nên ta có thể kết luận rằng những
hạt có kích thước lớn hơn 10µm là những đám hạt Al2O3 kết tụ lại với nhau. Nhiều
hạt Al2O3 cùng nằm tụ lại với nhau và được silicon bao bọc xung quanh. Hiện tượng này xảy ra do quá trình phân tán chưa tốt, hạt dẫn nhiệt và silicon chưa được trộn lẫn hoàn toàn, gây nên sự kết tụ của các đám hạt. Ngoài ra, ta có thể thấy bên trong tấm dán có tồn tại nhiều bọt khí , bọt khí lớn nhất có đường kính gần 60µm. Các bọt khí này sinh ra do quá trình khuấy trộn hỗn hợp. Đây này là một trong những nguyên nhân làm gia tăng nhiệt trở của tấm dán truyền dẫn nhiệt trung gian. Hình 3.2 b) là ảnh SEM chụp mặt cắt ngang của tấm dán truyền dẫn nhiệt trung gian chế tạo từ hỗn hợp silicon trộn với hạt dẫn nhiệt Al2O3 A-12 với tỉ lệ 1:1 (kí hiệu
Si_AO12_1:1) và 3.2 c) là ảnh SEM chụp mặt cắt ngang của tấm dán truyền dẫn nhiệt trung gian chế tạo từ hỗn hợp silicon trộn với hạt dẫn nhiệt Al2O3 gồm hai kích thước A-42 và A-12 với tỉ lệ 1:1 (kí hiệu Si_AO_1:1). Có thể thấy rằng mẫu Si_AO12_1:1 có độ mấp mô lớn, các hạt dẫn nhiệt có sự tiếp xúc với nhau, khi tiếp xúc giữa các hạt tồn tại những khoảng trống được lấp đầy bởi silicon. Đối với mẫu Si_AO_1:1 bề mặt mẫu bằng phẳng hơn, các hạt dẫn nhiệt phân tán đều trong nền silicon tạo thành mạng lưới dẫn nhiệt liên tục.