Loại mạng phân cực này sử dụng một bộ chia điện áp được tạo thành bởi các điện trở R1 và R2 để phân cực transistor.
Điều này có nghĩa là điện áp được phát triển trên R2 sẽ là điện áp cực gốc của transistor, điện áp này sẽ phân cực thuận mối nối cực phát - cực gố. Nói chung, dòng điện qua R2 sẽ được cố định bằng 10 lần dòng điện cực gốc yêu cầu, IB (tức là I2 = 10IB).
Điều này được thực hiện để tránh ảnh hưởng của nó đến dòng điện phân áp hoặc những thay đổi trong β. Hơn nữa
Trong loại phân cực này, IC có khả năng chống lại những thay đổi trong cả β cũng như VBE, dẫn đến hệ số ổn định bằng 1 (về mặt lý thuyết), độ ổn định nhiệt tối đa có thể.
Khi IC tăng do nhiệt độ tăng, IE tăng, gây ra tăng điện áp cực phát VE, làm giảm điện áp cực gốc - cực phát VBE. Điều này dẫn đến việc giảm dòng điện cực gốc IB, giúp khôi phục IC về giá trị ban đầu của nó.
Độ ổn định cao hơn được cung cấp bởi mạch phân cực này làm cho nó được sử dụng rộng rãi nhất mặc dù cung cấp độ lợi khuếch đại giảm do sự hiện diện của RE.
Ngoài các loại mạng phân cực cơ bản đã được phân tích, transistor lưỡng cực (BJT) cũng có thể được phân cực bằng cách sử dụng mạng kích hoạt hoặc bằng cách sử dụng diode silicon hoặc Zener.
Hơn nữa, cũng cần lưu ý rằng mặc dù các mạch phân cực được giải thích cho các BJT, nhưng các mạng phân cực tương tự cũng tồn tại trong trường hợp transistor hiệu ứng trường (FET).