Thay đổi công suất đèn LED

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu chế tạo các cấu trúc nano bạc dị hướng nhằm ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt (Trang 47)

 Khảo sát sự thay đổi cường độ chiếu sáng

Các mẫu được chuẩn bị như bảng tỉ lệ các chất như nhau chỉ thay thay đổi cường độ chiếu sáng từ 175lux và 200lux và 250lux.

Bảng 2. 5 Thí nghiệm khảo sát sự thay đổi cường độ chiếu sáng

STT AgNO3 NaBH4 Citrate Thời gian chiếu Cường độ

1 100µl 20µl 100µl 3h 175 lux

2 100µl 20µl 100µl 3h 200 lux

36 2.3.4. Thay đổi lượng citrate

Khảo sát sự ảnh hưởng của lượng citrate đến quá trình tổng hợp tổng hợp nano Ag Các mẫu được chuẩn bị như bảng 2.5. Những mẫu này được chiếu sáng bằng đèn LED với cường độ 200lux, cùng trong thời gian 3 giờ.

Bảng 2. 6 Thí nghiệm chế tạo đĩa nano với lượng citrate thay đổi

STT AgNO3 NaBH4 H2O Citrate

1 100µl 20µl 9,8ml 25µl

2 100µl 20µl 9,8ml 50µl

3 100µl 20µl 9,8ml 75µl

4 100µl 20µl 9,8ml 100µl

5 100µl 20µl 9,8ml 150µl

Các mẫu sau phản ứng được đem đi đo hấp thụ.

2.4. Các kĩ thuật thực nghiệm 2.4.1 Phép đo phổ hấp thụ 2.4.1 Phép đo phổ hấp thụ

Phổ hấp thụ là đường biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ ɛ của môi trường vật vào bước sóng của ánh sáng tới.

Chiếu một chùm tia đơn sắc có cường độ I0 qua dung dịch có chiều dày d. Sau khi bị hấp thụ thì cường độ bị giảm theo hàm số mũ, theo định luật Lamber-Beer:

I = Io. exp(-εd) (2.2)

37

Độ hấp thụ A= - lg T , trong đó T là độ truyền qua và được tính bằng công thức sau:

(2.3)

Độ hấp thụ A (mật độ quang A ) của dung dịch tỷ lệ thuận với nồng độ C của dung dịch theo biểu thức :

(2.4)

Trong đó: ε là hệ số hấp thụ phân tử, c là nồng độ dung dịch (mol/l), d (cm) là

độ dày truyền ánh sáng.

Đường cong biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ ɛ vào tần số  hoặc bước sóng  gọi là đường cong hấp thụ (hay phổ hấp thụ). Mỗi chất đều hấp thụ lọc lựa những tần số hay bước sóng khác nhau.

Nguyên tắc đo phổ hấp thụ:

Nếu ta gửi một bức xạ đơn sắc cường độ I0 tới một mẫu đồng thể có độ dài d, cường độ I còn lại ở lối ra khỏi mẫu thì nhỏ hơn I0. Thường thường ta quan tâm tới độ truyền qua T = I/ I0. Đôi khi người ta quan tâm tới độ hấp thụ A= - log10 T. Các phổ được vẽ với các thiết bị truyền thống là với "chùm sáng đúp" cho một cách trực tiếp độ truyền qua T. Với kỹ thuật máy tính, hiện nay người ta cũng dùng một cách dễ dàng cả độ truyền qua và độ hấp thụ.

Các máy quang phổ được dùng, giống như sự bố trí các máy tán sắc, gồm các lăng kính NaCl hoặc tốt hơn là các cách tử với các kính lọc giao thoa. Hệ quang học với hai chùm tia cho phép nhận được trực tiếp tỷ lệ I/Iref. giữa cường độ I của chùm đã xuyên qua mẫu và cường độ I của chùm đã xuyên qua phần mẫu so sánh. Sự so sánh trực tiếp này cho phép bảo đảm rằng phổ I và I ref. được ghi trong cùng một điều kiện. Các phép đo phổ hấp thụ được tiến hành trên hệ máy quang phổ UV-visible-Nir

38

Absorption Spectrophotometer (nhãn hiệu Cary 5000, Varian) có ở Viện Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Sơ đồ hệ đo hấp thụ được trình bày trên hình 2.4.

Hình 2. 4 Sơ đồ hệ đo hấp thụ quang UV-Vis

2.4.2 Kính hiển vi điện tử quét (SEM)

Nguyên lý hoạt động: Một chùm tia điện tử đi qua các thấu kính điện từ hội tụ tại

một diện tích rất nhỏ chiếu lên bề mặt mẫu nghiên cứu làm phát ra điện tử thứ cấp. Người ta bố trí detector để thu tín hiệu điện tử thứ cấp từ mẫu phát ra khi quét chùm tia điện tử trên bề mặt mẫu và dùng tín hiệu này khuếch đại lên để điều khiển cường độ sáng của tia điện tử quét trên màn hình quan sát. Giới hạn của độ phân giải hay khoảng cách tối thiểu d có thể phân biệt được theo Rayleigh tỷ lệ với bước sóng λ của tia chiếu tới d ~λ. Vì vậy tia điện tử có bước sóng ngắn vài chục nm tùy thuộc vào trường gia tốc sẽ cho độ phân giải của kính hiển vi điện tử cao hơn nhiều

lần so với giới hạn của kính quang học. Phương pháp này cho phép hiện ảnh bề

mặt mẫu chính xác tới vài chục nm.

Các mẫu của luận án được chụp trên thiết bị SEM Hitachi S-4800 của Viện Khoa học Vật liệu – Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam, và của viện vệ sinh dịch tễ trung ương với độ phóng đại của hệ lên đến 800.000 lần.

39

Hình 2. 5 Sơ đồ cấu trúc hệ đo SEM

2.4.3 Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM

Kính hiển vi điện tử truyền qua TEM (Transmission Electron Microscopy) là thiết bị nghiên cứu vi cấu trúc vật rắn, sử dụng chùm tia điện tử có năng lượng cao chiếu xuyên qua mẫu vật rắn mỏng và sử dụng các thấu kính từ để tạo ảnh với độ phóng đại lớn, ảnh có thể tạo ra trên màn huỳnh quang, hay ghi nhận bằng máy kĩ thuật số. Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) là công cụ rất hữu hiệu cho các nghiên cứu vật liệu nano và y học. Khi đo TEM ta có thể xác định được hình dạng, kích thước trung bình của hạt và sự phân tán của hạt trong môi trường chất lỏng.

Dựa trên nguyên tắc hoạt động của kính hiển vi quang học, kính hiển vi điện tử truyền qua có ưu điểm nổi bật nhờ bước sóng của chùm tia điện tử ngắn hơn rất nhiều so với bước sóng của ánh sáng khả kiến nên có thể quan sát tới kích cỡ 0,2 nm. Kính hiển vi điện tử truyền qua có hình trụ cao khoảng 2m, có một nguồn phát

xạ điện tử trên đỉnh (súng điện tử) để phát ra chùm điện tử. Chùm này được tăng tốc

40

mẫu mỏng, tùy thuộc vào từng vị trí và loại mẫu mà chùm điện tử bị tán xạ ít hoặc nhiều. Mật độ điện tử truyền qua ngay dưới mặt mẫu phản ảnh lại tình trạng của mẫu, hình ảnh được phóng đại qua một loạt các thấu kính trung gian và cuối cùng thu được trên màn huỳnh quang. Do vậy, ảnh hiển vi điện tử truyền qua là hình ảnh bề mặt dưới của mẫu (ảnh đen trắng) thu được bởi chùm điện tử truyền qua mẫu.

Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử truyền qua mô tả trên hình 2.6. Một trong những ưu điểm của phương pháp hiển vi truyền qua là có thể dễ dàng điều khiển thay đổi tiêu cự (bằng cách thay đổi dòng điện kích thích vào thấu kính) nên có thể thay đổi tiêu cự của kính phóng để trên màn có ảnh hiển vi hay ảnh nhiễu xạ, nhờ đó mà kết hợp biết được nhiều thông tin về cấu trúc, cách sắp xếp các nguyên tử của mẫu nghiên cứu. Với độ phân giải cao cỡ 2A°, độ phóng đại từ x50 tới x1.500.000, TEM đóng vai trò quan trọng trong nghiên cứu siêu cấu trúc sinh vật, vi sinh vật và các vật liệu nano. Sơ đồ khối của kính hiển vi điện tử truyền qua mô tả trên hình a. Các mẫu hạt nano chế tạo trong đề tài được đo bởi kính hiển vi điện tử truyền qua JEM1010 (JEOL) thuộc Viện Vệ sinh dịch tễ Trung ương hình 2.7.

Hình 2. 6 Sơ đồ khối kính hiển vi điện tử truyền qua TEM

Hình 2. 7 Kính hiển vi điện tử truyền qua JEM1010 (JEOL) thuộc Viện Vệ sinh dịch tễ trung ương

41 2.4.4 Nhiễu xạ tia X

Nhiễu xạ tia X là hiện tượng các chùm tia X nhiễu xạ trên các mặt tinh thể của chất rắn do tính tuần hoàn của cấu trúc tinh thể tạo nên các cực đại và cực

tiểu nhiễu xạ. Kỹ thuật nhiễu xạ tia X (thường viết gọn là nhiễu xạ tia X) được sử

dụng để phân tích cấu trúc chất rắn, vật liệu... Xét về bản chất vật lý, nhiễu xạ tia X cũng gần giống với nhiễu xạ điện tử, sự khác nhau trong tính chất phổ nhiễu xạ là do sự khác nhau về tương tác giữa tia X với nguyên tử và sự tương tác giữa điện tử và nguyên tử.

Nguyên lý về nhiễu xạ tia X :

Xét một chùm tia X có bước sóng λ chiếu tới một tinh thể chất rắn dưới góc tới θ. Do tinh thể có tính chất tuần hoàn, các mặt tinh thể sẽ cách nhau những khoảng đều đặn d , đóng vai trò giống như các cách tử nhiễu xạ và tạo ra hiện tượng nhiễu xạ của các tia X. Nếu ta quan sát các chùm tia tán xạ theo phương phản xạ (bằng góc tới) thì hiệu quang trình giữa các tia tán xạ trên các mặt là: ΔL=2.d.sinθ (2.5)

Như vậy, để có cực đại nhiễu xạ thì góc tới phải thỏa mãn điều kiện: ΔL=2.d.sinθ= n.λ. (2.6)

Ở đây, n là số nguyên nhận các giá trị 1, 2,...

Đây là định luật Vulf-Bragg mô tả hiện tượng nhiễu xạ tia X trên các mặt tinh thể. Cường độ nhiễu xạ:

Cường độ chùm tia nhiễu xạ được cho bởi công thức: Ig=|Ψg|2∝ | Fg|2. (2.7)

Với Ψg là hàm sóng của chùm xác suất phản xạ tia X), đư Fg =

i

 fi.e-2πig.ri

Ở đây, g véctơ tán xạ của chùm nhiễu xạ, đơn vị, còn fi là khả năng tán x

Phổ nhiễu xạ tia X:

Phổ nhiễu xạ tia X là sự phụ thuộc của c (thường dùng là 2 lần góc nhiễu xạ).

2.4.5 Phổ tán xạ Raman Do đặc điểm cường đ Do đặc điểm cường đ

Raman là công việc rất khó. Ngoài yêu cách bố trí sơ đồ thí nghiệ xạ và tập trung ánh sáng tán x Thiết bị dùng để nghiên cứ phổ kế Raman – Laser: Hình 2. 8 Sơ đồ khối một h Trên hình 2.8 mô tả c mở rộng chùm -> sau đó ph 42

a chùm nhiễu xạ, còn Fg là thừa số cấu trúc (hay còn tia X), được cho bởi:

(2.8)

ủa chùm nhiễu xạ, ri là vị trí của nguyên tử thứ ăng tán xạ của nguyên tử. Tổng được lấy trên toàn

ổ nhiễu xạ tia X là sự phụ thuộc của cường độ nhiễu xạ vào góc nhiễu xạ ờng dùng là 2 lần góc nhiễu xạ).

Raman

ng độ vạch Raman rất yếu nên muốn thu đư t khó. Ngoài yêu cầu nguồn sáng kích thích t

ệm một cách hợp lý, tối ưu để tăng cườ p trung ánh sáng tán xạ vào khe máy.

ứu phổ Raman thường được biết đến là máy Quang

t hệ đo micro Raman

cấu tạo khối của một hệ đo micro Raman. Chùm laser > sau đó phản xạ từ gương điều hướng đến phin l

u trúc (hay còn gọi là

ị trí của nguyên tử thứ i trong ô ợc lấy trên toàn ô đơn vị.

ộ nhiễu xạ vào góc nhiễu xạ

n thu được phổ tán xạ n sáng kích thích tốt còn phải có ờng độ ánh sáng tán

n là máy Quang

đo micro Raman. Chùm laser -> n phin lọc Notch 1. Sau

43

khi phản xạ từ NF1 và gương điều hướng, chùm sáng được hội tụ tới kích thước micro và đập vào mẫu. Ánh sáng phản xạ và tán xạ trở lại đi từ mẫu quay lại máy quang phổ để đến NF1 một lần nữa. NF1 sẽ lại loại bỏ đi ánh sáng tán xạ Rayleigh (trùng bước sóng chùm sáng tới). Phần còn lại của chùm phản xạ lại sau đó đi qua NF2, cái mà sẽ loại bỏ hoàn toàn ánh sáng tán xạ Rayleigh còn sót lại. Ánh sáng còn lại sau đó đi qua các thấu kính và gương để đến cách tử nhiễu xạ sau đó đến CCD.

Phổ tán xạ Raman của các mẫu trong luận văn được đo trên thiết bị đo tán xạ Raman của Viện Vật Lý, VHLKHCN Việt Nam.

44

CHƯƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN

3.1. Kết quả chế tạo các hạt keo bạc

Hình 3. 1 Ảnh đo Xray phát hiện cấu trúc tinh thể Bạc và kết quả chụp SEM sau

khi chế tạo các hạt cấu trúc meso Bạc với nồng độ AgNO3(1mM)

Bước đầu thử nghiệm chế tạo với nồng độ AgNO3 (1mM) L-AA(10mM), sau khi xử lý rửa sạch mẫu, chúng tôi tiến hành khảo sát chụp trên thiết bị SEM Hitachi S-4800, chụp và đo Xray trên thiết bị đo Xray của Trường ĐH Khoa Học Tự Nhiên.

Kết quả thu được thể hiện trên hình 3.1 xác định được cấu trúc tinh thể Bạc. Các hạt bạc có cấu trúc tinh thể thông qua sự xuất hiện của 3 đỉnh nhiễu xạ ở vị trí góc 2θ = 38o tương ứng với mặt tinh thể (111). Vụ trí 2θ = 44o tương ứng với mặt tinh thể (200) , vị trí 2θ = 64o tương ứng với mặt tinh thể (220).

45

3.1.1. Hình dạng hạt phụ thuộc vào lượng ion bạc

Kết quả thu được ở Hình 3.2 xuất hiện cả 3 hình thái điển hình : cầu thịt viên, san hô và phân nhánh cao . Tốc độ phản ứng hóa học sẽ tăng lên do sự gia tăng nồng độ chất phản ứng. Khi các ion Ag+ có nồng độ cao, tốc độ phản ứng nhanh hơn nồng độ trung bình và thấp. Nồng độ ion Ag+ cao thì càng nhiều các nguyên tử Ag được tạo ra ở giai đoạn đầu tiên và thứ hai (Hình 1.12b). Nồng độ bão hòa của nguyên tử Ag càng cao( 0.7mM-0.9mM) thì càng nhiều hạt và kích thước hạt càng nhỏ được tạo ra trong giai đoạn thứ hai. Các hạt nano này sẽ tụ thành hạt meso dạng cầu dưới chức năng “keo” của L-AA. Do tốc độ phản ứng nhanh ở nồng độ cao, hầu hết các ion Ag + sẽ được khử thành các nguyên tử Ag trong ba giai đoạn đầu tiên. Do đó, trong giai đoạn cuối, không có đủ ion Ag+ còn lại để phát triển quá mức các hạt meso. Cuối cùng, chỉ thu được các hạt meso giống thịt viên.

Ở nồng độ ion Ag+(0.3-0.6mM) trung bình và thấp, tốc độ phản ứng trở nên chậm. Nồng độ siêu bão hòa của nguyên tử Ag được hình thành trong hai giai đoạn đầu thấp hơn, tạo ra các hạt nano lớn hơn với mật độ thấp hơn (ρ) trong dung dịch. Theo phương trình (2), các hạt meso kích thước nhỏ hơn sẽ được hình thành trong giai đoạn thứ ba. Đồng thời, vẫn còn nhiều ion Ag + còn lại trong dung dịch, để hỗ trợ sự phát triển vượt mức của các đầu tip nhỏ. Do đó, các đầu nhô ra dài hơn và sắc nét hơn được hình thành ở giai đoạn thứ tư. Nhìn chung, khi nồng độ của các ion Ag + giảm từ cao xuống thấp, hình thái của các hạt meso sẽ biến đổi từ dạng thịt viên sang hình thái phân nhánh cao. Điển hình khi ở nồng độ 0,5mM cho kết quả hình thái mesoparticle phân nhánh cao, nhánh chính dài và xuất hiện nhiều nhánh phân cấp.

47

Hình 3. 2 Ảnh SEM của các hạt cấu trúc meso Ag chế tạo với lượng AgNO3 thay đổi 0.3 mM (a) 0.4mM (b) 0.5mM(c) 0.6mM(d) 0.7mM (e ) 0.8mM( g) 0.9 (h)

3.1.2. Hình dạng phụ thuộc vào lượng chất khử L-AA

Khi khảo sát, chúng tôi lựa chọn giữ nồng độ AgNO3 (0.5mM) ở nồng độ thấp, các yếu tố về tốc độ khuấy(300 vòng/phút) và thời gian khuấy (20min) được giữ nguyên và chỉ thay đổi lượng chất khử L-AA. Khảo sát chế tạo các hạt cấu trúc meso bạc cho thấy khi tăng lượng chất khử L-AA thì cấu trúc meso bạc càng trở nên phát triển, các nhánh chính và phụ mọc dài. Sự phát triển vượt mức (overgrowth) của các hạt meso Ag được thấy rõ. Vốn dĩ, L-AA không chỉ đóng vai trò như chất khử, mà còn đóng vai trò như các tác nhân bao bọc, hấp phụ trên bề mặt hạt để ổn định các hạt nano. Do đó, trong quá trình 4 của sự phát triển cấu trúc meso ( hình 3.3d) chất khử L-AA càng thể hiện rõ vai trò của mình trong việc thúc đẩy các nguyên tử Ag sau khi được tạo thành, gắn kết vào các đầu tip của mesoparticle và phát triển mạnh. Ở kết quả hình 3.3e với lượng chất khử L-AA cũng nhiều nhất, hình thái phân nhánh đạt mức cao nhất .

a) c) Hình 3. 3 Ảnh SEM của các h 250µl(a) 500µl(b) 1250µl(c) 1500µl(d) 2000µl(e) 48 b) d) e)

a các hạt cấu trúc meso Ag với lượng L-AA thay đ 250µl(a) 500µl(b) 1250µl(c) 1500µl(d) 2000µl(e)

49

3.1.3. Hình dạng hạt phụ thuộc vào tốc độ khuấy

Tốc độ khuấy trộn là một yếu tố rất quan trọng trong quá trình phản ứng. Cần thiết phải tìm được một giá trị tốc độ phù hợp để vừa đảm bảo phân tán đều các chất tham gia phản ứng, vừa đảm bảo được sự ổn định của dung dịch phản ứng

Một phần của tài liệu (LUẬN văn THẠC sĩ) nghiên cứu chế tạo các cấu trúc nano bạc dị hướng nhằm ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt (Trang 47)