Hình 3.5(a) biểu diễn phổ AbS và PL của các NC CdTe và CdTe/CdSe. Đối với phổ hấp thụ của các NC CdTe/CdSe ta thấy, khi bơm các tiền chất Cd và Se vào bình phản ứng chứa các NC CdTe, phổ hấp thụ của các NC CdTe/CdSe xuất hiện một đuôi hấp thụ phía bước sóng dài (lớn hơn 750nm). Điều này chứng tỏ xuất hiện đặc tính hấp thụ loại II ( exciton gián tiếp), được đặc trưng bởi các dịch chuyển điện tử qua lớp tiếp giáp lõi/vỏ. Đây chính là đặc trưng quan trọng để nhận biết các NC CdTe/CdSe chế tạo có đặc tính hấp thụ exciton loại II.
Hình 3.5: (a) Phổ AbS, PL và (b) Phổ Raman của các NC CdTe và CdTe/CdSe
Phổ huỳnh quang của các NC CdTe/CdSe có đỉnh phổ dịch chuyển mạnh về phía bước sóng dài (dịch đỏ, dịch đến vị trí có bước sóng 801nm) so với đỉnh PL của lõi CdTe. Với các NC loại I thì sự dịch đỏ được giải thích là do sự xuyên ngầm của hàm sóng điện tử ra ngoài lớp vỏ. Khi lớp vỏ được hình thành trên lõi, kích thước của các NC lõi/vỏ là lớn, kết quả làm cho hàm sóng của điện tử có thể định xứ bên ngoài lõi dẫn tới bán kính hiệu dụng tăng, tạo ra sự dịch đỏ của đỉnh phát xạ. Đối với các NC bán dẫn loại II CdTe/CdSe thì sự dịch đỏ lại là do khi lớp vỏ CdSe phát triển trên
lõi CdTe thì khoảng cách giữa đáy vùng dẫn của lõi CdTe và đỉnh vùng hóa trị của vỏ CdSe thu hẹp lại, kết quả làm cho đỉnh phát xạ của các NC CdTe/CdSe dịch về phía nước sóng dài hơn so với lõi CdTe.
Để kiểm tra chắc chắn sự tạo thành của lớp vỏ CdSe trên lõi CdTe để tạo nên