V t iệu bá d
4.1.1.4. Nghiên cứu tính bền vững của hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG trong mô
môi trường điện hóa
ể hảo sát độ bền của hệ màng 3,5-TBD trong điều iện điện hóa, chúng tôi đã hảo sát quá trình bay hơi hydro ở vùng thế âm và quá trình oxy bay hơi
ở vùng thế dƣơng của hai hệ vật liệu HOP và 3,5-TBD/HOPG.
Quá trình hydro bay hơi ở vùng thế âm đƣợc hảo sát bằng phƣơng pháp CV (Hình 4.5 (a)). Kết quả hảo sát cho thấy tại vùng thế E= -2.1 V vs Ag/Ag l cƣờng độ dòng hydro bay hơi của hệ màng 3,5-TBD/HOPG chỉ bằng 1/4 lần hệ màng HOP (30 A/cm2 vs 120 A/cm2). Kết quả quan sát bằng hình ảnh cũng thấy rằng, đối với điện cực HOP thì các bong bóng h hình
thành nhiều và to hơn so với điện cực 3,5-TBD/HOPG (Hình 4.5 a). iều này
cho thấy màng phân tử 3,5-T đã ngăn cản mạnh quá trình hydro bay hơi. Kết quả hoàn toàn tƣơng tự đối với quá trình oxy bay hơi ở vùng thế dƣơng (Hình 4.5 b).
ể chứng minh sự tồn tại của hệ màng 3,5-T , chúng tôi đã quét 40 vòng trong vùng thế hảo sát từ -2.1V đến 1.6 V vs Ag/Ag l và lặp lại quá trình hảo sát hai quá trình bay hơi của hydro và oxy. Kết quả thu đƣợc ( hông trình bày trong luận văn này) cho thấy hông có sự thay đổi đáng ể nào về cƣờng độ dòng của quá trình hydro và oxy bay hơi so với hệ vật liệu ban đầu. ựa vào ết quả thu đƣợc chúng ta có thể ết luận sơ bộ rằng hệ vật liệu 3,5- T /HOP có độ bền cao trong môi trƣờng điện hóa.
44
Hình 4.5 So sá h khả ă g ba hơi h dro (a) v ox ba hơi (b) của hệ v t iệu HOPG và 3,5-TBD/HOPG