V t iệu bá d
4.1.1.5. Kết quả đo Raman của hệ vật liệu 3,5-TBD/HOPG
Hình 4.6 Phổ Rama của HOPG v hệ v t iệu v 3,5-TBD/HOPG
Phổ Raman đƣợc sử dụng để khảo sát mức độ sai hỏng hình thành trên bề mặt hệ vật liệu carbon sau hi đƣợc cấy ghép bởi các gốc aryl tự do. ỉnh D
45
trong phổ Raman của HOPG và graphene chỉ xuất hiện khi các hệ vật liệu này có các sai hỏng mạng tinh thể, bao gồm các lai hóa sp3 hình thành do liên kết cộng hóa trị [27]. Tỷ số giữa cƣờng độ đỉnh và đỉnh G (ID/IG) cho biết mật độ của các sai hỏng, vì vậy nó là cơ sở để khảo sát mức độ biến tính trên bề mặt hệ vật liệu [28,29]. o đó, ỹ thuật này đƣợc sử dụng để xác định mức độ hình thành các sai hỏng (lai hóa sp3) sau hi các gốc aryl tự do cấy ghép lên bề mặt hệ vật liệu khảo sát.
Hình 4.6 mô tả phổ Raman của hệ vật liệu 3,5-T /HOP . Hai đỉnh phổ đặc trƣng tại 1576 và 2679 cm-1
đƣợc ghi nhận trên cả hai hệ vật liệu chính là các đỉnh G (G-band) và 2D (2D-band) của vật liệu carbon, cụ thể trong trƣờng hợp này là vật liệu HOP (đƣờng màu đen). Tuy nhiên, trên phổ Raman của
hai hệ vật liệu này còn có thêm một đỉnh phổ tại 1336 cm-1 (khung màu vàng)
gọi là đỉnh D (D-band). ỉnh phổ này (hình chèn) chỉ xuất hiện khi cấu trúc
mạng carbon sp2 bị biến dạng. Kết quả thu đƣợc cho thấy cƣờng đỉnh D của hệ
vật liệu 3,5-TBD/HOPGkhá cao. Cụ thể, tỷ số ID/IG của chúng là 0.086. Dựa vào kết quả phân tích về tỷ số ID/IG chúng ta có thể kết luận rằng số sai hỏng
sp3 trên bề mặt HOPG do sự cấy ghép điện hóa của các gốc 3,5-TBD với mật
độ há cao, do đó cƣờng độ đỉnh quan sát đƣợc khá lớn. Chú ý rằng, đỉnh D không xuất hiện trên đế HOP chƣa biến t nh (đƣờng màu đen), nghĩa là bề mặt hệ vật liệu HOP đƣợc sử dụng khá hoàn hảo và không bị hƣ hại khi sử dụng tia lazer trong quá trình đo Raman.