V. Cấu tạo và nguyên lí hoạt động của tranzito lưỡng cực n-
1. Hiệu ứng tranzito
Giới thiệu các cực và điện thế đặt vào các cực.
Trình bày phương án và đưa ra các tình huống để đi đến khái niệm về hiệu ứng tranzito.
Yêu cầu học sinh phân tích sự phân cực của các lớp.
Kết luận về điện trở RCB khi đĩ.
Yêu cầu học sinh phân tích sự phân cực của các lớp.
Kết luận về điện trở RCB khi đĩ.
Giới thiệu hiệu ứng tranzito.
Giới thiệu khả năng khuếch đại tín hiệu điện nhờ hiệu ứng tranzito.
Giới thiệu tranzito.
Vẽ kí hiệu tranzito n-p-n.
Giới thiệu các cực của tranzito.
Hướng dẫn học sinh thực hiện C3.
Giới thiệu ứng dụng của tranzito.
Ghi nhận các cực và điện thế đặt vào các cực.
Theo dõi, phân tích để hiểu được khái niệm.
Phân tích sự phân cực của các lớp.
Ghi nhận về điện trở RCB trong trường hợp này.
Phân tích sự phân cực của các lớp.
Ghi nhận về điện trở RCB trong trường hợp này.
Ghi nhận khái niệm.
Ghi nhận khái niệm.
Ghi nhận khái niệm. Vẽ hình. Nhận biết các cực của tranzito. Thực hiện C3. Ghi nhận các ứng dụng của tranzito. Xét một tinh thể bán dẫn trên đĩ cĩ tạo ra một miền p, và hai miền n1 và n2. Mật độ electron trong miền n2 rất lớn so với mật độ lỗ trống trong miền p. Trên các miền này cĩ hàn các điện cực C, B, E. Điện thế ở các cực E, B, C giữ ở các giá trị VE = 0, VB vừa đủ để lớp chuyển tiếp p-n2 phân cực thuận, VC cĩ giá trị tương đối lớn (cở 10V).
+ Giã sử miền p rất dày, n1 cách xa n2
Lớp chuyển tiếp n1-p phân cực ngược, điện trở RCB giữa C và B rất lớn.
Lớp chuyển tiếp p-n2 phân cực thuận nhưng vì miền p rất dày nên các electron từ n2 khơng tới được lớp chuyển tiếp p-n1, do đĩ khơng ảnh hưởng tới RCB.
+ Giã sử miền p rất mỏng, n1 rất gần n2
Đại bộ phận dịng electron từ n2
phun sang p cĩ thể tới lớp chuyển tiếp n1-p, rồi tiếp tục chạy sang n1
đến cực C làm cho điện trở RCB giảm đáng kể.
Hiện tượng dịng điện chạy từ B sang E làm thay đổi điện trở RCB gọi là hiệu ứng tranzito.
Vì đại bộ phận electron từ n2
phun vào p khơng chạy về B mà chạy tới cực C, nên ta cĩ IB << IE và IC ≈ IE. Dịng IB nhỏ sinh ra dịng IC lớn, chứng tỏ cĩ sự khuếch đại dịng điện.