V i s bi n m t và xu t hi n c a dòng xoáy, ủ v n t c dòng ch y hai bên v t c n và trên đậ ốả ởậ ả ườ ng
1.3.2.Cảm biến điện trở từ
a. Máy phát đồng bộ.
1.3.2.Cảm biến điện trở từ
Cảm biến điện trở từ là 1 linh kiện bán dẫn có hai cực, điện trở của nó gia tăng dưới tác động của từ trường. Trong trường hợp từ trường tác dụng thẳng góc mặt phẳng của cảm biến ta có độ nhạy lớn nhất. Chiều của từ trường không ảnh hưởng gì đến hiệu ứng điện trở từ trong trường hợp này.
Độ lớn của tín hiệu ra của cảm biến điện trở từ không phụ thuộc vào tốc độ quay. Khác với trường hợp cảm biến điện cảm, độ lớn tín hiệu ra quan hệ trực tiếp với tốc độ quay, vì vậy đòi hỏi các thiết bị điện tử phức tạp để có thể thu nhận được các tín hiệu trên 1 dải điện áp rộng.
Ngược lại với cảm biến điện trở từ, tín hiệu ra được hình thành bởi sự đổi hướng của đường cảm ứng từ - bending of magnetic field lines (thay đổi theo vị trí của bánh răng). Tín hiệu ra của cảm biến vẫn được hình thành dù đối tượng không di chuyển rất chậm.
Hình 4.13: Tín hiệu tạo ra bởi cảm biến điện trở từ
a. Cảm biến điện trở từ với vật liệu InSb / NiSb
Hiệu ứng điện trở từ với vật liệu InSb / NiSb
Vật liệu bán dẫn InSb với liên kết III – V có độ linh động rất lớn. Trong vật liệu bán dẫn, dưới tác dụng của từ trường hướng dịch chuyển của các điện tích bị lệch đi 1 góc tg = . B. Do sự lệch này đoạn đường dịch chuyển của electron dài hơn. Kết quả là điện trở cảm biến gia tăng dưới tác dụng của từ trường. Để hiệu ứng này có thể sử dụng trong thực tế, góc cần phải lớn. Trong kim loại, góc này rất bé. Với germanium góc lệch này khoảng 200
, trong Indiumantimon do độ linh động của electron rất cao nên góc lệch = 800với B = 1T.
Để tạo con đường dịch chuyển của electron càng dài càng tốt dưới tác dụng của từ trường, như vậy ngõ ra sẽ có sự thay đổi điện trở lớn hơn, cảm biến được kết cấu như hình. Nhiều phiến InSb (bề rộng vài ) được ghép nối tiếp nhau. Giữa các phiến này là các màng kim loại.
Hình 4.14: Kết cấu cảm biến điện trở từ với vật liệu
InSb/ NiSb
Trong thực tế với kỹ thuật luyện kim người ta tạo ra các cây kim bằng Nickelantimon nằm bên trong InSb có chiều song song với hai cực điện. Cho mục đích này, một ít NiSb được cho vào trong InSb chảy lỏng và qua các công đoạn làm nguội vô số cây kim NiSb được hình thành bên trong InSb. Các cây kim này có đường kính khoảng 1 và dài 50 . Các cây kim này dẫn điện rất tốt và hầu như không có điện áp nơi trên nó.
Mật độ điện tích phân bố không đều trong InSb do tác dụng của từ trường, sẽ phân bố được phân bố đều lại ở trên các cây kim. Như thế ta có sự phân bố điện tích ở nơi khởi đầu vùng 1 giống như ở nơi khởi đầu vùng 2.
Điện trở từ có thể coi như 1 hàm của cảm ứng từ theo cách tính gần đúng
RB=R0(1+k)
k là hằng số vật liệu có trị số khoảng 0,85.
Điện trở cảm biến nằm trong khoảng 10 -500 . Diện tích cắt ngang của bán dẫn càng nhỏ càng tốt, tuy nhiên chiều rộng không thể nhỏ hơn 80