2. Transistor trường MOSFET loại có kênh tạo sẵn
2.3.4. ứng dụng của UJT
Do đặc trư ng von - ampe có đoạ n điện trở âm nên ngư ời ta dù ng transistor một lớ p tiếp xúc làm má y phá t xung. B1 B2 E +20V R1 R U B2 UB1 UJT - n C UC UB2 Umax Umin t t t a) b)
Hình 2.63: Sơ đồ nguyê n lý má y phá t xung dù ng UJT(a), dạ ng xung (b)
R2
Trên hình 2.63a trình bày sơ đồ nguyên lý má y phá t xung dù ng UJT. Trong mạ ch R1, R2là cá c điện trở tảị R,C xá c định tần số của mạ ch dao động.
Giải thích hoạ t động của má y phá t xung dù ng UJT.
Khi UE= UC< UB, diode EB phân cực ngư ợ c, không có dòng qua diode EB. Tụ điện C đư ợ c nạ p qua R. Đ iện á p trên tụ điện tă ng dần lên cho đến UC> UPthì diode EB mở, tụ C phóng điện qua diode EB (trong UJT), điện á p trên tụ giảm. Cho đến khi UC< UBthìdiode lạ i phân cực ngư ợ c, quá trình trên lạ i tiếp tục diễn ra một cá ch tuần hoàn. Khi tụ điện phóng điện qua diode dòng qua điện trở R1 tă ng, tạ i cực B1xuất hiện xung kim dư ơng, B2xuất hiện xung kim âm.
Đ ộ rộng của xung phụ thuộc vào thời gian phóng điện của tụ, tụ phóng điện qua diode và điện trở R1, điện trở này có giá trị rất nhỏ nên quá trình phóng điện diễn ra rất nhanh nên xung kim rất hẹp.
Đ ểthay đổi độ rộng xung ngư ời ta thư ờng mắc mạ ch theo sơ đồ hình 2.64. Từ sơ đồ ta có: điện á p trên cực E của UJT: UE= UC+ UD.
Khi UE < Umin tụ C đư ợ c nạ p điện qua điện trở R, diode D, điện á p trên cực E của UJT tă ng dần cho tớ i khi UE > UP, UJT thông mạ nh, dòng qua R tă ng, điện á p UE giảm, diode D cấm tụ C không nạ p điện đư ợ c nữa, tụ C xả điện qua điện trở R3 cho đến khi UE< Umin, quá trình lạ i tiếp tục. Như vậy ta có thể thay đổi độ rộngxung bằng cá ch thay đổi giá trị R3.