2. Transistor trường MOSFET loại có kênh tạo sẵn
2.4.1. Cách sử dụng cẩm nang tra cứu thay thế
Bư ớ c 1: Xá c định tên linh kiện cần tra cứu hoặc thay thế.
Tên linh kiện bắt đầu bằng số đư ợ c liệt kê trư ớ c những phần bắt đầu bằng chữ cá ị Những phần bắt đầu bằng một số sẽ đư ợ c liệt kê theo thứ tự cá c số nằm trư ớ c một số gạ ch ngang hay một chữ cá ị
Hình 2.64: Sơ đồ nguyê n lý mạ ch phá t xung kim có thể thay đổi độ rộng xung.
B2 B1 E +20V R1 R U B1 UB2 UJT - n C R3 R2 D
Ví dụ: MPS-A20, MPSA20
Chú ý những con số thư ờng bị đọc sai là: Zero cho chữ O và ngư ợ c lạ i Số 1 cho chữ I hay ngư ợ c lạ i
Chữ cá i Hy lạ pàsẽ đư ợ c thay thế là chữ ‘ m, M’ hoặc chữ ‘ u, U’
Bư ớ c 2: Tìm kiếm, định vị một linh kiện thay thế:
Xá c định ECG đư ợ c liệt kê. Phần này bắt đầu từ trang 2-1 và đư ợ c sắp xếp như sau:
Tên linh kiện tra cứu đư ợ c sắp xếp bên cột trá i, linh kiện ECG đư ợ c liệt kê bên cột phảị Cá c linh kiện có cù ng số ECG thì có thể thay thế cho nhau đư ợ c.
Ví dụ: Ta cần tra cứu transistor 2SC1815 (tên tóm tắt là C1815)
Bư ớ c 3: Tra cứu sản phẩm:
Sau khi định vị đư ợ c linh kiện tra cứu, thay thế. Ta tra cứu theo sản phẩm bắt đầu từ trang 1-5 đến 1-32 ta đư ợ c thông tin tóm tắt (số trang , số hình, mô tả ứng dụng) về linh kiện cần tra cứụ
85 1- 41 T16 T- NPN, Si, RF, IF, Audio Amp, Sw
Trong đó :
1-41 : Thông số linh kiện đư ợ c trình bày trong phần 1 trang 41 T16 : Hình số T16
T-NPN...: Tóm tắt về linh kiện đang tra cứu là loạ i transistor ngư ợ c, chất liệu bá n dẫn là Silicon, sử dụng trong khuếch đạ i âm tần, trung tần, cao tần và chuyển mạ ch.
Bư ớ c 4: Tra cứu cá c thông số kỹ thuật kiểu dá ng về hình dạ ng và sơ đồ chân:
Đ ể biết cá c thông số cụ thể ta tiếp tục tìm tớ i phần 1 trang 41 hình số T16 ta tìm đư ợ c cá c tham số của transistor C1815.
Cá c tham số ýnghĩa Ví dụ về C1815 Description and application Mô tả ứng dụng. Loạ i transistor NPN, chất liệu Si, dù ng trong khuếch đạ i âm tần, trung tần, cao tần ... Collector to Base volts
BVCBO
Đ iện á p chịu đựng lớ n nhất giữa C và B khi hở chân E (đơn vị là V).
70 Collector to Emitter
volts BVCEO
Đ iện á p chịu đựng lớ n nhất giữa C và E khi hở chân B (đơn vị là V).
70 Base to Emitter volts
BVEBO
Đ iện á p chịu đựng lớ n nhất giữa E và B khi hở chân C (đơn vị là V).
4 Max. Collector Current
Ic Amps.
Dòng IClớ n nhất của transistor
(đơn vị là A). 0,4
Max. Device Diss. PD Watts.
Công suất tiêu tá n lớ n nhất của
transistor (đơn vị là W). 0,6 Freq. in MHz ft Tần số lớ n nhất transistor làm
Current Gain hFẸ Hệ số khuếch đạ ị 120 Package Case Kiểu dá ng về chân transistor . TO-92 Package Fig. No Kiểu dá ng về hình dạ ng. T16