2. Transistor trường MOSFET loại có kênh tạo sẵn
3.2.3. Tầng khuếch đại base chung (BC-Base common)
Hình 3.9a, là sơ đồ tầng khuếch đạ i BC. Trong sơ đồ tụ Cb để thoá t xoay chiều cho cực B, cá c phần tử còn lạ i cũng có chức nă ng giống như sơ đồ EC. Tín hiệu vào đư a vào cực E, tín hiệu ra lấy trên cực C.
Đ ể khảo sá t cá c tham số của tầng khuếch đạ i BC theo dòng xoay chiều ta sử dụng sơ đồ tư ơng đư ơng hình 3.9.b.
Điện trở vào Rv: Rv=RE//[rE +(1−)rB] (3-39) Từ (3-38) ta thấy điện trở vào của tầng đư ợ c xá c định chủ yếu bằng điện trở rEvà vào khoảng (10 ữ50)Ω.Đ iện trở vào nhỏ là như ợ c điểm cơ bản của tầng BC vì tầng đó sẽ tải lớ n đối vớ i nguồn tín hiệu vàọ
Hệ số khuếch đại dòng điện Ki: Ki =α
Rt Rt Rc//
(3-40) = Ic/IEvà<1, do vậy Ki< 1
Hệ số khuếch đại điện áp KU:
Hình 3.9
Sơ đồ khuếch đại BC (a); Sơ đồ thay thế xoay chiều (b)
Hình 2.68
a) Sơ đồ khuếch đại BC ; b) Sơ đồ thay thế;
Ur En a) b) RE RE Rn B Rc Rt rc C E eN IE α.IE IV IC It UV IB Ur I1 rB -Ec C2 C1 Cb Rt Rn Rc R2 R1 RE
KU=α Rv Rn Rt Rc + // (3-41) Từ (3-41) ta thấy khi giảm điện trở trong của nguồn tín hiệu vào sẽ làm tă ng hệ số khuếch đạ i điện á p
Điện trở ra của tầng BC:
Rr = RC//rC(B)≈ Rc (3-42) Cần chú ý rằng đặc tuyến tĩnh của transistor mắc BC có vù ng tuyến tính rộng nhất nên transistor có thể dù ng vớ i điện á p collecter lớ n hơn sơ đồ EC (khi cần có điện á p ở đầu ra lớ n). Trên thực tế tầng khuếch đạ i BC có thể dù ng làm tầng ra của bộ khuếch đạ i, còn tầng CC dù ng làm tầng trư ớ c cuốị Khi đó tầng CC sẽ là nguồn tín hiệu và có điện trở trong nhỏ (điện trở ra) của tầng BC