b) Vị trí hấp phụ điển hình trên mạng bề mặt.
2.6.3.2.Trạng thái bề mặt đế
Vì lư ïc liên kết hĩa học chỉ mở rộng vài A0, nên chỉ một lớp tạp chất liên kết yếu cũng đủ ngăn cản sư ï liên kết của vật liệu màng và đế .
Thơng thư ờng bề mặt đầu tiên bị nhiểm bẩn hơi nư ớc, dầu, muối, các loại hơi hư õu cơ và CO2… Nhiều chất bẩn đĩ cĩ thể khư û đi bằng dung mơi khư û nhờn, sau đĩ rư ûa bằng nư ớc khư û ion, như ng một vài lớp đơn cuối cùng vẫn cịn lại. Như õng hạt này sẽ hấp phụ vật lý ngay cả áp suất riêng phần của chúng rất nhỏ .
Cĩ một vài phư ơng pháp khư û các phân tư û hấp phụ vật lý trên bề mặt đế khi nĩ đang ở trong buồng chân khơng, ở đĩ nĩ sẽ khơng bị tái nhiểm bẩn. Đốt nĩng đế để giải hấp chúng, hoặc bắn phá chúng bằng các hạt cĩ năng lư ợng cao. Quá trình giải hấp cĩ thể theo dõi bằng khối phổ kế. Plasma H2 sẽ giảm rất nhiều oxide và khư û chúng, như H2O. Plasma O2 sẽ phản ư ùng hĩa học với tạp chất hư ûu cơ để tha ønh lập phân tư û nhẹ dể bay hơi như CO2, H2O .
Bắn phá ion cĩ năng lư ợng lớn hơn 100 eV, hoặc tư ø chùm ion, hoặc tư øplasma, cĩ thể khư û các hạt bề mặt bằng ăn mịn phún xạ. Nếu bằng plasma thì thế phĩng điện cĩ thể tư ø 500 5000 Volt và áp suất tư ø 10-1 10-2 torr.
[1]Nhiệt hấp phụ Qa cĩ thể xác định bằng phư ơng pháp nhiệt động lư ïc học. Khi nhiệt độ thấp hơn nhiệt độ tới hạn, thì cĩ thể xem hơi là khí lý tư ởng, cịn chất lỏng trong pha hấp phụ là khơng nén đư ợc. Khi đĩ nhiệt hấp phụ Qa là cơng nén đẳng nhiệt khí hấp thụ tư ø áp suất p trong pha khí đến áp suất hơi bảo hịa po với nhiệt độ cho trư ớc:
p p ln RT dp p RT Q o p p a o
[2]Zn và Cd cĩ thể lắng đọng trên đế thủy tinh bằng phún xạ katốt, nếu vận tốc lắng đọng nhỏ, vì hạt phún xạ khác hạt nhiệt bay hơi : ở trạng thái ion hĩa, vận tốc lớn. Ng ồira phĩng điện cĩ thể ảnh huởng lên bề mặt đế, làm dể dàng lắng đọng các hạt phún xạ (Holland.p.250) .
Nếu đế là vật liệu dẫn điện, thì nĩ trư ïc tiếp làm katốt .Nếu đế là vật liệu cách điện, thì phải đặt nĩ trong miền sụt thế katốt của phĩng điện ẩn bất thư ờng. Điện tư û, khi chuye ån động tư ø katốt vào vùng plasma cĩ vận tốc lớn sẽ đập lên bề mặt đế cần phủ và tích điện âm. Dư ới lư ïc hút của như õng điện tích âm này, ion dư ơng sẽ bắn phá bề mặt đế. Tất nhiên sẽ cĩ một phần nhỏ vật liệu làm kat ốt phún xạ. Để khắc phục điều đĩ, katốt thư ờng làm bằng Al .
Nếu buồng chân khơng là cư ïc dư ơng nối đất, thì khí hấp phụ trên thành buồng sẽ giải hấp dư ới sư ï bắn phá của các hạt năng lư ợng cao, do đĩ độ chân khơng ca àn thiết sẽ nhanh chĩng đạt dư ợc .