Trên cơ sở những phân tích tại mục 1.4.1, chúng ta nhận thấy rằng để có đ−ợc kết cấu mô phỏng kết cấu impedance có hình dạng bất kỳ bởi một kết cấu mạch dải phẳng sẽ có 2 loại kết cấu thoả mãn điều kiện đó là:
a) Kết cấu các mạch dải hình gấp khúc đ−ợc nằm trên một lớp điện môi đ−ợc đặt trên một mặt phẳng dẫn điện tuyệt đối, đ−ợc biểu diễn trên hình 1.17 khi các đ−ờng liền biểu diễn mạch dải dẫn điện).
b) Kết cấu răng l−ợc có khe (slot) hình gấp khúc trên một mặt phẳng dẫn điện tuyệt đối đ−ợc đặt trên một hốc cộng h−ởng (cavity), đ−ợc biểu diễn trên hình 1.17 khi các đ−ờng liền biểu diễn các khẹ
Nh− đã đề cập trong mục 1.4.1, vì biến đổi trở thuần kháng trên kết cấu là bất kỳ, chúng ta coi khoảng cách giữa các dải (a), khe (b) là cố định bằng giá trị D nào đó, song trở kháng của từng dải (khe) là khác nhau t−ơng ứng theo biến đổi trở thuần kháng ZH(y) của mặt phẳng impedancẹ
D ∆y #N ... ... #16 ... #15 #14 #12 #13 #11 #10 #8 #9 #7 #6 #4 #5 #3 #2 #1
Hình 1.17: Chấn tử mạch dải (khe) Hình 1.18: Kết cấu 1 phần tử mạch dải (khe) Vì kết cấu mạch dải (khe) có dạng gần nh− biến đổi theo chu kỳ (khoảng cách giữa các dải bằng nhau, chỉ khác ở giá trị trở kháng ZH(y) của mỗi mạch dải hoặc khe) chúng ta chỉ cần xem xét một dải (khe) điển hình của kết cấu gấp khúc mạch dải đặt trên một lớp điện môi nằm trên một mặt phẳng dẫn điện tuyệt đối z = 0 và kết cấu gấp
khúc khe trên một mặt phẳng dẫn điện tuyệt đối mà ở d−ới là một hộp cộng h−ởng. Giả sử độ rộng của dải (khe) W rất nhỏ so với b−ớc sóng λ0 tại tần số trung tâm f0. H−ớng trục của mỗi phần của dải (khe) song song với trục x và y. Phần phía trên của kết cấu (z
> 0) là môi tr−ờng không khí. Hình dạng kết cấu một phần tử mạch dải (khe) đ−ợc thể hiện trên hình 1.18.