0. 51 1 52 Khoảng cách, z/L
3.4.2 Tiến trình soliton
Một thuộc tính quan trọng của soliton là chúng rất ổn định, chống lại sự nhiễu loạn. Bởi vậy, thậm chí qua soliton cơ bản yêu cầu một hình dạng riêng và công suất đỉnh thỏa mãn 1=γP0LD, nó cũng có thể được tạo ra ngay
cả khi công suất đỉnh lệch khỏi điều kiện lý tưởng.
Hình vẽ sau mô tả tiến trình của một xung Gauss vào với các giá trị: N=1, u(0,τ )= exp(-
22 2
τ )
Hình 3.3. Tiến trình của một xung Gauss với N=1 qua một khoảng ξ=0−10. Xung tiến triển dần thành một soliton cơ bản bằng việc thay đổi hình dạng, độ rộng và công suất đỉnh của nó.
Như vậy xung sửa hình dạng và độ rộng của nó để trở thành một soliton
cơ bản và đạt được hình dạng của một hàm “sech” với ξ>>1.
Soliton bậc N cũng có thể được hình thành khi n năm trong khoảng N- 1/2 đến N+1/2. Cụ thể, soliton cơ bản có thể được tạo ra với N∈(0.5, 1.5). HÌnh vẽ sau biểu diễn tiến trình một xung đầu vào có N=1.2 qua ξ=0→10 bằng việc giải phương trình NSE bằng số với điều kiện đầu vào u(0,τ
)=1,2sech(τ ). Độ rộng xung và công suất đỉnh dao động ban đầu nhưng cuối cùng trở nên ổn định sau khi xung đầu vào đã tự sửa để thỏa mãn điều kiện N=1 trong phương trình (2.8).
Hình 3.4. Tiến trình xung của một xung “sech” với N=1,2 qua khoảng
100− 0− =
ξ .Xung tiến triển thành một soliton cơ bản (N=1) bằng việc sửa độ rộng và công suất đỉnh của nó.
Nhìn chung một sự lệch nhỏ từ điều kiện lý tưởng không gây nguy hại đến sự lan truyền soliton vù xung đầu vào có thể sửa các tham số của nó để hình thành siliton cơ bản. Một phần năng lượng xung bị mất trong suốt quá trình thích ứng pha động dưới dạng sóng tán sắc. Ta có thể giảm thiểu ảnh hưởng của sóng tán sắc đến hiệu năng hệ thống bằng việc thích ứng điều kiện đầu vào gần với điều kiện lý tưởng nhất có thể.