0
Tải bản đầy đủ (.pdf) (72 trang)

TRANSISTOR CƠNG SUẤT LƯỠNG CỰC

Một phần của tài liệu TÀI LIỆU HƯỚNG DẪN THỰC HÀNH: ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT PPTX (Trang 49 -52 )

II – NHẮC LẠI LÝ THUYẾT

TRANSISTOR CƠNG SUẤT LƯỠNG CỰC

TIẾN TRÌNH THÍ NGHIỆM

1. Nối cực POWER INPUT của bảng mạch với nguồn cấp 15V. Lúc này đừng bật nguồn.

Hình 3.22

2. Thiết lập mạch như hình 3.22. Để làm được điều đĩ, đặt một jumper để nối R1 nối tiếp R2, dùng jumper thứ 2 để đoản mạch cuộn cảm L1. Trong khối mạch DRIVER, đặt đặt 1 jumper giữa cực dương của nguồn và cực ngõ ra A. Sau đĩ nối cực A của khối mạch DRIVER (DR) với cực A của khối mạch BIPOLAR TRANSISTOR. Sau cùng, nối cực B và C của khối mạch LOAD (Z) với cực B và C của khối mạch BIPOLAR TRANSISTOR.

3. Trên bộ chân đế, xoay núm dương của nguồn điều khiển hết cỡ ngược chiều kim

đồng hồđể thu được điện áp 0V. Sau đĩ, bật nguồn cung cấp.

4. Dùng VOM ở chếđộ DC đo điện áp trên điện trở R3 cực B của Transistor. Tính dịng IB? IB =

5. Dùng VOM ở chếđộ DC đo điện áp hai cực C và E ? VCE =

6. Xoay núm dương của nguồn điều khiển theo chiều kim đồng để tăng điện áp cực

đại.

7. Trên kênh 2, điện áp giữa cực C và E của transistor lưỡng cực bằng bao nhiêu? VCE(ON) = _________ mV.

8. Dùng nguồn điều khiển dương, biến đổi vài lần điện áp cung cấp từ 0 đến 10V trong khi quan sát tín hiệu.

9. Điều chỉnh nguồn điều khiển dương để thu được điện áp VCE là 1V. Dịng IB

BÀI TP 3.5:

MOSFET & IGBT CƠNG SUT

TIẾN TRÌNH THÍ NGHIỆM

1. Nối cực POWER INPUT của bảng mạch với nguồn cung cấp 15V. Lúc này

đừng bật nguồn cung cấp.

Hình 3.23

2. Thiết lập mạch như hình 3.23. Để làm được điều đĩ, đặt một jumper để nối R1 nối tiếp R2, dùng jumper thứ 2 để làm đoản mạch cĩ cuộn cảm L1. Trong khối mạch DRIVER (DR), đặt đặt 1 jumper giữa cực dương của nguồn và ngõ ra cực A. Sau đĩ nối cực A của khối mạch DRIVER vơí cực A của khối mạch MOSFET . Sau cùng, nối cực B và C của khối mạch LOAD (Z) với cực B và C của khối mạch MOSFET .

3. Trên bộ chân đế, xoay núm dương của nguồn điều khiển hết cỡ ngược chiều kim

đồng hồđể thu được điện áp 0V. Sau đĩ, bật nguồn cung cấp.

4. Trên kênh 2, điện áp giữa cực máng drain và cực nguồn của MOSFET là bao nhiêu? VDS =_______________V

5. Xem kết quả ở bước 4, bạn cĩ thể xác định MOSFET ngắt và ngăn khơng cho dịng drain chạy qua khơng?

O Cĩ O Khơng

6. Xoay nguồn điều khiển dương theo chiều kim đồng hồ sao cho điện áp cực G MOSFET tăng đến khi MOSFET dẫn.

7. Điện áp giữa cực máng drain và cực nguồn vủa MOSFET bằng bao nhiêu? VDS (ON) = _____________ V

8. Xem kết quảở bước trước, bạn cĩ thể xác định MOSFET bật và cho dịng máng drain chạy qua khơng ?

O Cĩ O Khơng

9. Dùng VOM ở chếđộ DC, đo điện áp trên điện trở R1 ở phía cực G. Dịng cực G xác định bằng cách lấy điện áp đo được chia cho điện trở R1.

đĩ quan sát kỹ tín hiệu.

11. Cĩ phải MOSFET hoạt động như một cơng tắc được điều khiển bởi dịng G khơng?

O Cĩ O Khơng

Hình 3.24

12. Tắt nguồn. Thiết lập mạch như hình 3.24 (chỉ thay MOSFET bằng IGBT).

13. Trên bộ chân đế, xoay núm dương của nguồn điều khiển hết cỡ ngược chiều kim

đồng hồđể thu được điện áp 0V. Sau đĩ, bật nguồn cung cấp.

14. Trên bộ dao động ký. Điện áp giữa cực C và E của IGBT là bao nhiêu?

VCE =_______________V

15. Xoay nguồn điều khiển dương theo chiều kim đồng hồ sao cho điện áp cực G IGBT tăng đến 10V.

16. Điện áp giữa cực C và E của IGBT là bao nhiêu?

VCE (ON) =_______________V

17. Tương tự câu 9 xác định dịng G. IG =_____________________mA 18. Biến đổi vài lần điện áp giữa 0 đến10V, quan sát thật kỹ tín hiệu

19. Cĩ phải IGBT hoạt động như một cơng tắc được điều khiển bởi dịng G, nghĩa là dẫn điện khi cung cấp điện áp 10V cho dịng G và ngắt điện khi khơng cung cấp điện áp cho dịng G khơng?

BÀI TP 3.6:

Một phần của tài liệu TÀI LIỆU HƯỚNG DẪN THỰC HÀNH: ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT PPTX (Trang 49 -52 )

×