- Vùng Nghỉo.
b)Sự hình thănh kính dẫn ở transistor NMOS kiểu tăng cường kính.
kiểu tăng cường kính.
Trước khi xđy dựng biểu thức cho quan hệ dòng- âp của transistor NMOS, ta hêy khảo sât một NMOS được cho ở hình 3.3. Theo hình vẽ, cực Nguồn, cực Mâng vă cực Đế của NMOSFET đều được nối đất chung. Đối với một điện âp Cổng- Nguồn, vGS = VGS thấp hơn nhiều so với điện âp Ngưỡng VTN, như ở hình 3.3a, thì sẽ có câc tiếp giâp pn đối nghịch nhau tồn tại giữa Nguồn vă Mâng, nín chỉ có một dòng điện rò rất nhỏ có thể chảy giữa hai điện cực đó. Khi tăng VGS lín gần bằng nhưng vẫn thấp hơn điện âp Ngưỡng, thì một vùng nghỉo sẽ hình thănh ngay phía dưới
vùng Cổng, vă vùng Nghỉo năy sẽ kết hợp với câc vùng nghỉo của Nguồn vă Mâng nhưđê chỉở hình 3.3b. Trong vùng nghỉo không có câc hạt tải điện tự do, nín vẫn không thể có dòng điện xuất hiện giữa cực Nguồn vă Mâng. Tuy nhiín, cuối cùng khi điện âp Cổng-Kính tăng lín vượt quâ giâ trịđiện âp Ngưỡng VTN, nhưở hình 3.3c, thì câc điện tử chảy văo từ vùng Nguồn, Mâng vă Đếđể hình thănh nín một lớp đảo kết nối vùng n+ Nguồn với vùng n+ Mâng, tức lă có một điện trở kết nối tồn tại giữa câc cực Nguồn vă Mâng. Nếu đặt văo giữa hai cực Mâng vă Nguồn một điện âp dương thì câc điện tử trong kính sẽ trôi trong điện trường vă tạo nín dòng điện qua câc cực Mâng vă Nguồn. Dòng trong transistor NMOS luôn luôn chảy văo ở cực Mâng, qua kính dẫn vă ra ở cực Nguồn. Cực Cổng được câch ly với kính dẫn, nín sẽ không có dòng cổng dc vă ta có: iG = 0. Câc tiếp giâp pn giữa vùng mâng với vùng đế, vùng nguồn với vùng đế (vă cũng được tạo ra giữa vùng kính dẫn với vùng đế) phải luôn luôn được phđn cực nghịch đểđảm bảo chắc chắn lă chỉ có một dòng rò do phđn cực nghịch nhỏđể có thểđược bỏ qua. Như vậy, ta có thể xem rằng iB=0. Đối với một MOSFET như ở hình 3.3a, một kính dẫn được cảm ứng nhờ điện âp đặt văo Cổng để có sự dẫn điện xảy ra. Điện âp Cổng sẽ “tăng cường” độ dẫn điện của kính dẫn, nín MOSFET loại năy có tín gọi lă loại dụng cụ hoạt động ở chếđộ tăng cường.