C thường được quy định như điện dung của lớp ô xít trín một đơn vịđộ rộng kính dẫn âc giâ trịđ i ệ n dung không tuy ế n tính c ủ a ti ế p giâp pn
c) Câc thông số của transistor DE MOS:
Câc thông số của một DE MOS kính-n ba cực mang số hiệu 2N3797 do hêng Motorola (Mỹ) sản xuất cho ở hình 3.18.
Qua cấu trúc vă nguyín tắc hoạt động của câc loại transistor MOSFET đê xĩt ở trín, thể hiện rõ tính đối xứng của câc dụng cụ MOS. Cực đóng vai trò như cực nguồn, thực tếđược xâc định bởi câc điện âp ngoăi đặt văo. Dòng điện có thể chảy qua kính dẫn theo cả hai chiều, tùy thuộc văo điện âp đặt văo. Đối với câc transistor NMOS, vùng n+ mă tại đó được kết nối với mức điện âp cao hơn sẽ lă cực mâng vă vùng n+ còn lại được nối với mức điện âp thấp hơn sẽ lă cực nguồn. Đối với câc transistor PMOS, vùng p+ mă tại đó được kết nối với mức điện âp thấp hơn sẽ lă cực mâng vă vùng p+ còn lại được nối với mức điện âp cao hơn sẽ lă cực nguồn. Trong công nghệ chế tạo câc dụng cụ bân dẫn, tính đối xứng rất hữu ích trong một số ứng dụng, cụ thể lă trong câc bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiín động (DRAM) [Dynamic Random-Access Memory].
Bảng 3.1 sẽ tóm tắt câc giâ trịđiện âp ngưỡng cho cả bốn loại transistor NMOS vă PMOS.
BẢNG 3.1: Đặc tính của câc transistor MOS
NMOS PMOS
Kiểu tăng cường VTN > 0 VTP< 0 Kiểu nghỉo VTN≤ 0 VTP≥ 0
3.4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CỔNG TIẾP GIÂP – JFET.
Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giâp, gọi tắt lă JFET [Junction Field-Effect Transistor] lă
một kiểu khâc của transistor hiệu ứng trường có thểđược tạo thănh mă không cần phải có lớp ô xít câch ly với cực cổng bằng câch sử dụng câc tiếp giâp pn. Phần sau của tín gọi cũng nhưđối với MOSFET cho biết nguyín tắc lăm việc của dụng cụ lă được điều khiển bằng điện trường. Phần trước của tín gọi chỉ cực cổng của dụng cụ sẽđược tạo thănh bởi tiếp giâp pn với đế. Do vậy, JFET cũng còn được gọi lă JUGFET.
Cấu tạo cắt ngang vă ký hiệu mạch của JFET kính nđược cho ở hình 3.19, bao gồm một kính hẹp bằng vật liệu bân dẫn n, (có nồng độ pha tạp thấp hơn vùng cổng) mă hai đầu được nối với
hai điện cực bằng kim loại gọi lă cực nguồn (S) vă mâng (D) nhưở MOSFET. Trong phạm vi vùng kính dẫn lă hai vùng vật liệu bân dẫn p
sẽ tạo thănh cực cổng (G) của JFET.
Không giống như MOSFET, ở đđy không có sự câch ly để tâch rời vùng cổng với kính dẫn, mă thay văo đó lă cổng được kết nối điện với kính dẫn thông qua hai tiếp giâp pn.
Ở JFET kính n, dòng điện chảy văo kính dẫn tại cực mâng vă ra tại cực nguồn. Điện trở vùng kính dẫn sẽ được điều khiển bằng sự thay đổi độ rộng vật lý của kính thông qua sự điều biến của vùng nghỉo bao quanh câc tiếp giâp pn giữa cổng vă kính dẫn. Ở vùng tuyến tính, JFET có thể xem đơn giản như một điện trở được điều khiển bằng điện âp mă điện trở kính dẫn của nó được xâc định bởi: W L t ρ RCH = (3.37) Trong đó: ρ - lă điện trở suất của vùng kính; L - lă độ dăi kính; W - lă độ rộng của kính dẫn
giữa câc vùng nghỉo của tiếp giâp pn; t - lă độ dăy của kính dẫn.
Khi có điện âp đặt văo giữa mâng vă nguồn, thì điện trở kính dẫn sẽ xâc định dòng điện thông qua định luật Ohm.
Khi không có điện âp phđn cực đặt văo (nhưở hình 3.19), thì sẽ có một vùng kính dẫn điện trở tồn tại kết nối vùng mâng vă nguồn. Việc âp dụng một điện âp phđn cực ngược lín câc tiếp giâp cổng-kính sẽ lăm cho vùng nghỉo được mở rộng hơn, tức lă lăm giảm độ rộng hiệu dụng của kính dẫn vă dòng qua kính dẫn sẽ giảm xuống. Vì vậy, JFET thuộc về câc dụng cụ kiểu nghỉo, có nghĩa lă cần phải có điện âp đặt văo cổng để chuyển JFET về ngưng dẫn.