Cỏc đ iều kiện thử nghiệm trong quỏ trỡnh chịu tỏc độ ng của cỏc phúng điện

Một phần của tài liệu Đánh giá khả năng phục hồi cách điện bề mặt của silicon sử dụng trong cách điện cao cấp chế tạo bằng vật liệu composite phủ silicone sau khi chịu tác động phá hủy bề mặt (Trang 58 - 60)

KHI CHỊU TÁC ĐỘNG CỦA VẦNG QUANG/PLASMA

3.2. Cỏc đ iều kiện thử nghiệm trong quỏ trỡnh chịu tỏc độ ng của cỏc phúng điện

3.2.1 Cỏc phúng điện vầng quang

Hệ thống thử nghiệm được thiết lập gồm hai điện cực trũn gắn kết trong một hộp thủy tinh đúng kớn. Dạng hỡnh học của điện cực trờn đó được thiết kế để

đạt được sự đồng nhất điện trường trờn vật thử. Hệ thống thử nghiệm và cỏc

điện cực được thể hiện trờn cỏc hỡnh 3.1 và 3.2. Điện cực trũn phớa trờn cú

đường kớnh 87mm. Chiều dài của 7 kim phớa trong cựng là 12mm, 12 kim nằm giữa là 11mm và 12 kim nằm ngũai là 9mm. Đầu cỏc kim này được vuốt trũn với bỏn kớnh 56 àm ±4.2. Điện cực trũn phớa dưới cú đường kớnh 140mm và được nối đất. Điện ỏp thử nghiệm đặt vào cú giỏ trị 20kV/50Hz. Việc truyền cỏc điện tớch vầng quang được thực hiện qua cỏc điện cực (thể

hiện bằng Watts) và được gọi là cụng suất của điện cực. Đối với thớ nghiệm này, cú hai dạng cấu hỡnh hờ thống thử nghiệm được thực hiện. Cỏc màng mỏng PDMS hoặc là được đặt trực tiếp lờn điện cực dưới, tạo cụng suất điện cực khỏang 1.5W; hoặc được đặt lờn một đĩa thủy tinh (dày 3mm, đường kớnh 120mm). Dạng thử nghiệm thứ hai cho cụng suất điện cực vào khoảng 2.6W. Và dạng này được dựng cho thớ nghiệm và phõn tớch cỏc kết quả thu

được (trừ khi cú hiệu ứng đặc biệt từ sơ đồ thử nghiệm với cụng suất điện cực 1.5W).

Hỡnh 3.1. Sơđồ hệ thống thớ nghiệm

Hỡnh 3.2. Vị trớ của cỏc kim trờn điện cực nhỡn từ phớa dưới lờn

Tất cả hệ thống được đặt trong một cụng-te-nơ kớn nhằm điều chỉnh được nhiệt độ ổn định tại 22±2 °C.

Tỏc động của plasma tần số radio được tiến hành trong buồng phản ứng dạng LCD-1200-400A hóng Shimadzu, Japan với dung tớch khỏang 75x10-3 m3. Tỏc động được thực hiện với ỏp suất 26.6 Pa từ luồng ụ-xy tinh khiết với tốc độ thổi 4.37x10-6 m3 s-1. Tần số là 13.56 MHz và cụng suất là 40W.

Đĩa điện cực được quay nhằm tạo tớnh đồng nhất cho tỏc động của plasma lờn vật thử nghiệm.

3.2.3 Plasma vi súng (MW)

Tỏc động của vi súng (Microwave treatments) được thực hiện trong buồng phản ứng V15-G với tần số vi súng. Cỏc thụng số khỏc như sau: ỏp suất 27Pa với khớ ụ-xy tinh khiết hoặc khụng khớ khụ thổi với tốc độ 8.3x10-7 m3 s-1. Tần số 2.45 GHz và cụng suất 40 hoặc 100W.

Một phần của tài liệu Đánh giá khả năng phục hồi cách điện bề mặt của silicon sử dụng trong cách điện cao cấp chế tạo bằng vật liệu composite phủ silicone sau khi chịu tác động phá hủy bề mặt (Trang 58 - 60)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(118 trang)