Phổ phỏt xạ huỳnh quang của cỏc mẫu đó được khảo sỏt theo nhiệt độ (hỡnh 3.12). Từ phổ phỏt xạ ta cú thể thấy được khi nhiệt độ tăng thỡ huỳnh quang của mẫu bị suy giảm. Điều này cú thể được giải thớch như sau: Khi tăng nhiệt độ thỡ khoảng cỏch giữa cỏc ion Eu3+ sẽ giảm dần, huỳnh quang của cỏc ion Eu3+ chỉ tốt khi cỏc ion cỏch nhau một khoảng cỏch nhất định nào đú, do đú khi khoảng cỏch của chỳng gần nhau quỏ sẽ dẫn tới sự dập tắt huỳnh quang do photon của cỏc ion Eu3+ truyền vũng quanh cho nhau cho đến khi truyền đến một tõm khụng phỏt quang (bởi vỡ khụng phải cỏc tõm phỏt nào cũng cho tỏi hợp phỏt xạ).
Hỡnh 3.12 Phổ phỏt xạ huỳnh quang của cỏc mẫu thay đổi nhiệt độ
540 560 580 600 620 640 660 In te n s it y ( a .u ) Wavelenth (nm) 900 1000 1100 1150
KẾT LUẬN
Tụi đó thu được cỏc kết quả sau:
Đó chế tạo thành cụng vật liệu màng nano composite ZnO-SiO2 bằng phương phỏp sol-gel và quỏ trỡnh quay phủ.
Cấu trỳc tinh thể của vật liệu vẫn chưa thật rừ ràng, nhưng từ ảnh SEM ta cú thể thấy được màng chế tạo cú kớch thước đều (dưới 10nm).
Cường độ huỳnh quang của vật liệu nano mạnh nhất ở cỏc mẫu cú tỉ lệ ZnO:SiO2 = 15:85, hoặc %Eu3+ = 1.5%. Khi nhiệt độ (bắt đầu từ 900oC) tăng thỡ cường độ huỳnh quang bị suy giảm.
Do thời gian thực hiện luận văn cú hạn nờn chỳng tụi chưa giải thớch được đầy đủ về cỏc tớnh chất quang của vật liệu. Trong hướng nghiờn cứu tiếp theo, chỳng tụi sẽ thực hiện thờm cỏc phộp đo cấu trỳc và tớnh chất của vật liệu để làm sỏng tỏ vấn đề này.
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. A. B. M. A. Ashrafi, A. U., A. Avramescu, H. Kumano, I. Suemune, Y. W. Ok, T. Y. Seong (2000), "Growth and characterization of hypothetical zinc-
blende ZnO films on GaAs(001) substrates with ZnS buffer layers", Applied
Physics Letter, 76(5), p. 550.
2. Bloom, S.I. Ortenburger (1973), "Pseudopotential Band Structure of ZnO",
physica status solidi (b), 58(2), p. 561-566.
3. Brinker C.Jeffrey, G. W. S. (1990), Solgel science the physics and chemitry
of solgel Processing, Academic Press, San Diego – New York – Boston –
London – Sydney - Tokyo.
4. Bunn, C. W. (1935), Proceeding of the Physical Society, 47 p. 835.
5. C., H. (1997), Rare Earth Coordination Chemistry, Science Press, Beijing.
6. Carl H. Bates, W. B. W., and Rustum Roy (1962), "New High-Pressure
Polymorph of Zinc Oxide", Science, 137(3534), p. 993.
7. Chelikowsky, J. R. (1977), "An oxygen pseudopotential: Application to the
electronic structure of ZnO", Solid State Communications, 22(6), p. 351-354.
8. Chennupati Jagadish, S. P. (2006), Zinc Oxide Bulk, Thin Films and
Nanostructures, Elsevier Science.
9. Chien, N. D., D. T. X. ThaoT. X. Anh. Optical properties of silica thin films
doped with Eu3+ and Al3+ ions. in Vietnamese – German Seminar on Physics and Engineering. 2002. Hue.
10. Gerward, L.J. S. Olsen (1995), "The High-Pressure Phase of Zincite",
11. Goldschmidt, Z. B. (1978), Chapter 1 Atomic properties (free atom),
Elsevier.
12. Hong, J.-H., C.-J. Cong, Z.-G. ZhangK.-L. Zhang (2007), "A new photoluminescence emission peak of ZnO–SiO2 nanocomposites and its
energy transfer to Eu3+ ions", Journal of Physics and Chemistry of Solids,
68(7), p. 1359-1363.
13. Ivanov, I.J. Pollmann (1981), "Electronic structure of ideal and relaxed surfaces of ZnO: A prototype ionic wurtzite semiconductor and its surface
properties", Physical Review B, 24(12), p. 7275-7296.
14. Jaffe, J. E.A. C. Hess (1993), "Hartree-Fock study of phase changes in ZnO
at high pressure", Physical Review B, 48(11), p. 7903-7909.
15. Jaffe, J. E., J. A. Snyder, Z. LinA. C. Hess (2000), "LDA and GGA
calculations for high-pressure phase transitions in ZnO and MgO", Physical
Review B, 62(3), p. 1660-1665.
16. Kisi, E. H.M. M. Elcombe (1989), "u parameters for the wurtzite structure of
ZnS and ZnO using powder neutron diffraction", Acta Crystallographica
Section C, 45(12), p. 1867-1870.
17. Lide, D. R. (1992), CRC Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press,
New York.
18. Meyer, B. K., H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straòburg, M. Dworzak, U. HaboeckA. V. Rodina (2004), "Bound exciton and donor–acceptor pair
recombinations in ZnO", physica status solidi (b), 241(2), p. 231-260.
19. Peng, H., C.-W. Lee, H. O. Everitt, C. MunasingheD. S. Lee (2007), "Spectroscopic and energy transfer studies of Eu3+ centers in GaN", Journal
20. Philips, J. C. (1973), Bonds and Bands in Semiconductors, Academic, New
York.
21. Reisfeld Renata, J. C. K. (1977), Lasers and Excited States of Rare Earths,
Springer-Verlag, Berlin.
22. Rửssler, U. (1969), "Energy Bands of Hexagonal II-VI Semiconductors",
Physical Review, 184(3), p. 733-738.
23. Sung-Kyu Kim, S.-Y. J., Chae-Ryong Cho (2003), "Structural reconstruction
of hexagonal to cubic ZnO films on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by annealing",
Applied Physics Letter, 82(4), p. 562.
24. T. Kogure, Y. B. (1993), Journal of Electron Microscopy, 47 p. 7903.
25. Tam, T. T. H., Optical properties of Eu3+ - doped Al2O3, SiO2 and SiO2 – Al2O3 system prepared by solgel technique. 2003, Hanoi University of
Science and Technology.
26. Tobin J. Marks, R. D. F. (1979), Organometallics of the f-Elements, D.
Reidel Publishing Company, Dordrecht.
27. Usuda, M., N. Hamada, T. KotaniM. van Schilfgaarde (2002), "All-electron
GW calculation based on the LAPW method: Application to wurtzite ZnO",
Physical Review B, 66(12), p. 125101.
28. Vogel, D., P. KrỹgerJ. Pollmann (1995), "Ab initio electronic-structure calculations for II-VI semiconductors using self-interaction-corrected
pseudopotentials", Physical Review B, 52(20), p. R14316-R14319.
29. Xu G., H. C., Gao S. (1995), The Chemistry of Rare Earth Elements, Rare