Để khảo sát khả năng điều khiển của hệ số hấp thụ và hệ số tán sắc theo độ lệch tần số của trường laser điều khiển, ta vẽ các hệ số này theo các giá trị khác nhau của Àc ứng với một giá trị cố định của Q = l 2 ỵ . Đồ thị của
Hình 4: Sự thay đôi công tua hấp thụ và tán sắc theo độ lệch tần sổ Không giống như trường hợp điều khiên hệ số hấp thụ và tán sắc theo cường độ điện trường, ở đây ta điều khiển theo độ lệch tần số không xuất hiện thêm các cửa số mới nhưng ta quan sát thấy rõ có sự xê dịch sang trái (hình 4c - ứng vói A >0) và sang phải (hình 4a- ứng vói A < 0 ) . Ở hình 4b, ứng với A =0 thì cửa sổ trong suốt nằm trong lân cận A p = 0(ứng với cửa sổ chính giữa). Mặt khác, do cường độ trường liên kết giữa trường laser với dịch
chuyển nguyên tử còn phụ thuộc vào độ lệch tần số nên độ sâu và độ nông của các cửa sổ này có thể đều thay đổi được thông qua điều chỉnh tần số của laser điều khiển.
KÉT LUÂN CHƯƠNG II
Các kết quả nghiên cứu trên đây cho thấy rằng, biếu thức giải tích cho
hệ số hấp thụ và hệ số khúc xạ của nguyên tử Rb85 được rút ra trong công trình này hoàn toàn phù họp với các kết quả tính toán số của các tác giả trong công trình [4] trước đây.
Như vậy, với việc sử dụng dạng giải tích, việc khảo sát ảnh hưởng của các thông số của trường laser điều khiến lên các hệ số hấp thụ và hệ số tán sắc được thực hiện một cách dễ dàng. Cụ thể, khi khảo sát sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ và tán sắc vào cường độ điện trường, chúng tôi đã chọn lại các giá trị của Q ( 4 / , l y và 12ỵ ) theo [4] và thấy hoàn toàn phù hợp với kết quả tính toán của nhóm J.Wang. Ngoài ra, với việc điều khiên sự thay đổi của công tua hấp thụ và tán sắc chúng tôi giữ nguyên Q và thay đổi các giá trị của A ( - 5 / , 0 và 5 ỵ ) thì không tạo thêm các cửa sổ mới và toàn bộ đồ thị có
sự dịch chuyến sang trái, sang phải. Điều này cũng nhận được sự dịch chuyển tương tự khi chúng ta thay đổi các giá trị của A khi A > 0 hay A < 0.
Mặt khác, với cấu hình bậc thang năm mức, với việc chọn các giá trị của của cường độ điện trường như trên, chúng tôi còn thu được 3 cửa sổ trong suốt đối với chùm dò. Độ sâu và độ rộng của các cửa sổ cũng được điều khiên khi chúng tôi thay đổi cường độ A hoặc độ lệch tần A , kéo theo đó là sự thay đổi về độ dốc trong miền phổ lân cận của mỗi cửa sổ cũng được điều
chỉnh.
KÉT LUÂN CHƯNG
Trong đề tài này, trên cơ sở lý thuyết bán cổ điến chúng tôi đã đưa ra được phương trình tương tác giữa nguyên tử với trường bức xạ - phương trình Liouvile, từ đó đưa ra dạng phương trình ma trận mật độ cụ thê cho hệ nguyên tử hai mức, đưa ra bản chất của dao động Rabi, cho hệ nguyên tử ba mức đưa ra bản chất của hiệu ứng trong suốt cảm ứng điện từ từ đó làm cơ sở cho hệ nguyên tử năm mức cấu hình bậc thang. Giải hệ phương trình ma trận mật độ cho hệ nguyên tử năm mức trong gần đúng sóng quay và gần đúng lưỡng cực điện, chúng tôi đã dẫn ra các hệ số khúc xạ và hệ số hấp thụ.
Bằng cách lựa chọn các thông số của trường nguyên tử và điều khiến sự thay đổi của các hệ số hấp thụ và khúc xạ bằng hai phương pháp là thay đổi theo cường độ điện trường và thay đổi theo độ lệch tần số. Với cách thay đổi theo cường độ điện trường, chúng tôi đã tạo ra ba cửa sổ trong suốt cùng với sự thay đổi độ sâu/ độ rộng của các cửa sổ của nguyên tử Rb8? năm mức cấu hình bậc thang. Với sự thay đổi theo độ lệch tần số, chúng tôi đã tạo được sự dịch chuyến của đồ thị (sáng trái, sang phải) và không xuất hiện thêm các cửa số mới.
Một phần kết quả của luận văn đã được đăng tải [3] trên Tạp chí khoa học của trường Đại học Vinh, số 3 năm 2012.