Khảo sát theo cường độ sáng của chùm laser điều khiển

Một phần của tài liệu Khảo sát hiệu ủng trong suốt cảm ủng điện từ trong môi trường nguyên tử rb 5 mức năng lượng (Trang 27 - 29)

Trong trường hợp này, tần số của chùm laser dò được thay đối quét qua miền phố hấp thụ của dịch chuyển 5SI/2(F= 3) - 5P3/2(F= 3), còn chùm điều

khiển có tần số gần cộng hưởng với dịch chuyển 5P3/2(F = 3) - 5D5/2(F = 4), nghĩa là Ac = -9y ~ 9MHz. Sử dụng phần mềm Maple, chúng tôi vẽ công tua hấp thụ và công tua tán sắc theo các giá trị khác nhau của tần số Rabi Qc (Hình 3) V* <*) (b) \h Vr («) (b) Cc)

Hình 3: Sự thay đổi của các công tua hấp thụ (đường liền nét) và công tua tán

sắc

(đường đứt nét) theo cường độ trường điều khiển Qc. Ilình phía trên - thu drợc

theo đề tài này; hình dưới - theo nhóm J.Wang [4]). Các hình (a), (b) và (c) thu

được theo đề tài này ứng với các giá trị Qc = 4y, 7y và 12y.

Từ hình 3 ta thấy rằng có sự phù hợp giữa kết quả tính bằng số trong công trình [4] (hình dưới) với kết quả giải tích (hình trên). Như vậy, giả thiết ban đầu xem trường laser có cường độ rất yếu để bỏ qua ảnh hưởng về thay đổi độ cư trú là hoàn toàn chấp nhận được.

sổ trong suốt) mặc dù tần số chùm laser dò quét qua dịch chuyển 5SI/2(F = 3) - 5P3/2(F = 3) còn chùm laser điều khiển cộng hưởng với dịch chuyển 5P3/2(F

=3) - 5D5/2(F = 4). Trong trường hợp này thì cường độ liên kết giữa 5P3/2(F =3) với 5D5/2(F = 4) là mạnh nhất tương ứng với cửa số đầu tiên (trong lân cận của Ap = 0) và sâu nhất trong công tua hấp thụ. Tương tự, liên kết giữa 5P3/2(F= 3) - 5D5/2(F= 2) là yếu nhất, tương ứng với cửa sổ thứ 3 (nông nhất)

trên công tua hấp thụ.

Cụ thể, dựa vào hình trên ta thấy rằng nếu tăng dần tần số Rabi Qc (nghĩa là tăng cường độ) của trường liên kết thì số cửa số trong suốt cũng tăng dần, tăng cả về độ rộng và độ sâu. Chang hạn, khi giữ độ lệch tần Ac = -9y và độ lệch tần tần số Rabi Q =4ỵ (hình 3a) ta thấy chỉ có ba cửa số xuất hiện với cửa sổ thứ 3 là nông nhất. Ở hình b, Q = 7 ỵ xuất hiện thêm một cửa sổ nữa nhưng cửa sổ thứ 4 chưa rõ nét còn cửa sổ thứ 3 thấy rõ rệt hơn hình a và

rõ nhất ở hình 3c. Điều này chứng tỏ rằng đã có sự thay đổi về công tua hấp thụ khi thay đổi tần số Rabi. ứng với Q =12ỵ(hình 3c) có thể so sánh rõ về độ sâu và rộng của các công tua này với hình 4a,b và trường hợp này hệ số

hấp thụ đạt giá trị 0 gần như không thay đối. Điều này lí giải về sự tăng dần tần số Rabi sẽ dẫn đến liên kết giữa các mức siêu tinh tế F” = 2, 3, 4 của mức 5D5/2 với mức 5P3/2 (F’ =3) tăng dần. So với hình 4a,b thì Quá trình này dẫn đến sự tăng cường giao thoa giữa các kênh tạo bởi dịch chuyển chùm dò với các dịch chuyển hên kết mà kết quả là giảm độ hấp thụ đối với chùm dò.

Một phần của tài liệu Khảo sát hiệu ủng trong suốt cảm ủng điện từ trong môi trường nguyên tử rb 5 mức năng lượng (Trang 27 - 29)

Tải bản đầy đủ (DOC)

(33 trang)
w