Các thông số thí nghiệm

Một phần của tài liệu Nghiên cứu kiến trúc IMS và xây dựng hệ thống IMS theo giải pháp của alcatel lucent (Trang 82 - 86)

- Khoảng cách xung B= to: là thời gian giữa hai lần ngắt và đóng máy của máy phát thuộc hai chu kỳ phóng điện kế tiếp nhau Khoảng cách xung t 0 th ườ ng

3.3 Các thông số thí nghiệm

3.3.1 Các thông sốđầu vào thí nghiệm

Với mục tiêu là nghiên cứu ảnh hưởng của các yếu tố công nghệ đến chất lượng bề mặt gia công. Ta chọn 3 tham số điều khiển là dòng điện P (A), thời

gian xung A (µs) và Khoảng cách xung B (µs). Cụ thể các mức điều khiển theo bảng 3.3 sau:

Tham số điều khiển

STT P (A) A (µs) B (µs) 1 1 25 25 2 3 25 25 3 1 100 25 4 3 100 25 5 1 100 100 6 3 100 100 7 1 25 100 8 3 25 100

* Thiết bị kiểm tra độ phẳng, nghiêng của

điện cực: Đồng hồ ORION của Đức. Có độ

chính xác 0.01 (mm)

Dùng kiểm tra độ phẳng mặt dưới của

điện cực và độ nghiêng của điện cực. Để

tránh sai số khi gia công chi tiết.

Hình 3.2 Đồng hồđo độ phẳng ORION

Đo chiều cao nhấp nhô bề mặt đã gia công bằng thiết bị chuyên dùng. Máy

đo SJ-201P- Mitutoyo – Nhật Bản, các thông số cơ bản: Hiển thị LCD. Tiêu chuẩn DIN, ISO, JIS, ANSI.

Thông sốđo được: Ra, Rz, Rt, Rq, Rp, Ry, R3z, Rc, S, Rm.

Độ phân giải: 0,32/300 µm; 0,08/75 µm; 0,04/9,4 µm. Bộ chuyển đổi A/D: RS – 232. Phần mềm điều khiển và xử lý số liệu MSTAT w 324.0 Hình 3.3. Máy đo độ bóng Mitutoyo SJ-201P Hình 3.4. Đầu đo thực hiện đo độ bóng b mặt. * Phương pháp đo:

- Xác định chiều dài đo chuẩn để lấy mẫu kết quả (L = 8mm).

- Đặt đầu dò vuông góc với bề mặt chi tiết, tiến hành đo. Các số liệu đo

được thu thập tựđộng và được truyền vào các tệp dữ liệu trên máy tính. Phương chuyển động của đầu dò trùng với phương tiến dao. .

3.3.3. Mô tả quá trình thực hiện thí nghiệm gia công trên máy

Trong quá trình gia công tia lửa điện, kim loại tách khỏi phôi đơn thuần do quá trình nhiệt và được chuyển ra khỏi khu vực phóng tia lửa điện bởi dòng dung dịch diện môi.Vì thế trong quá trình thực hiện thí nghiệm tác giả đã thao tác nhằm đảm bảo hai yếu tố cơ bản;

Điện cực và phôi sử dụng cho thí nghiệm được ngập sâu trong dung dịch

điện môi, che phủ bề mặt gia công khoảng 30 mm và dung dịch điện môi luôn luân chuyển qua khe hởđiện cực và phôi.

Năng lượng được cấp cho điện cực dưới dạng xung, cho phép tuần tự những

điều kiện sau đây xảy ra: +) Bật điện áp DC

+) Cầu plasma hình thành – tia lửa điện xảy ra giữa điện cực và phôi.

+) Nhiệt của tia lửa điện làm nóng chảy kim loại trên bề mặt phôi và tạo khả

năng bốc hơi kim loại.

+) Tắt xung, hơi kim loại hóa đặc, tạo thành những hạt hình cầu rỗng. +) Dòng dung dịch điện môi chuyển các hạt cầu ra khỏi vùng gia công Như vậy mỗi tia lửa điện đơn tạo ra một vết lõm nhẹ trên bề mặt phôi, nơi kim loại được tách phôi. Vì quá trình phóng tia lửa điện xảy ra liên tục, hình dáng vết in điện cực lên phôi được tạo ra tại vị trí, nơi sức bền của dung dịch yếu nhất trong thời điểm hình thành kênh phóng tia lửa điện. Quá trình này diễn ra rất nhanh (khoảng 10.000 tia xảy ra trong mồi giây). Liên tục theo cách ấy,

điện cực dần dần tiến sâu vào phôi đến chiều sâu đã định, hình thành hốc lõm theo hình dáng của điện cực.

Hình 3.6 Cây điều khiển FO 550S Hình 3.7 Màn hình hiển thị * Phân tích kết quả thí nghiệm

Đối với thí nghiệm:

1. Dòng cao: đặt chếđộ dòng điện cao với các chếđộ trong máy Kết quả: Tốc độ tách vật liệu cao

Bề mặt gia công thô Mòn điện cực thấp

2. Dòng thấp: đặt chếđộ dòng điện thấp với các chếđộ trong máy Kết quả: Tốc độ tách vật liệu thấp

Bề mặt gia công tinh Mòn điện cực cao

Một phần của tài liệu Nghiên cứu kiến trúc IMS và xây dựng hệ thống IMS theo giải pháp của alcatel lucent (Trang 82 - 86)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(101 trang)