5. Phương phỏp nghiờn cứu
2.6.2. Phương phỏp chụp ảnh hiển vi điện tử quột (SEM)
Nguyờn tắc cơ bản của phương phỏp chụp ảnh SEM (Scanning Electron Microscopy) là sử dụng chựm tia electron được phỏt ra từ sỳng phúng electron (cú thể là phỏt xạ nhiệt hay phỏt xạ trường) sau đú được tăng tốc. Thế tăng tốc của SEM thường chỉ từ 10 50kV vỡ sự hạn chế của thấu kớnh từ. Chựm tia electron được phỏt ra, tăng tốc và cuối cựng hội tụ thành một chựm electron hẹp (cỡ vài trăm A0 đến vài nm) nhờ hệ thống thấu kớnh từ, sau đú quột trờn bề mặt mẫu nhờ cỏc cuộn quột tĩnh điện. Độ phõn giải của SEM được xỏc định từ kớch thước của chựm electron hội tụ và phụ thuộc vào tương tỏc giữa vật liệu tại bề mặt mẫu vật và electron. Khi electron tương tỏc với bề mặt mẫu vật sẽ cú cỏc bức xạ phỏt ra. Sự tạo ảnh trong SEM và cỏc phộp phõn tớch được thực hiện thụng qua việc phõn tớch cỏc bức xạ này. Chỳng gồm hai loại sau:
* Electron thứ cấp: Đõy là chế độ ghi ảnh thụng dụng nhất của kớnh hiển vi điện tử quột, chựm electron thứ cấp cú năng lượng thấp được ghi nhận bằng ống nhõn quang nhấp nhỏy. Vỡ chỳng cú năng lượng thấp nờn chủ yếu là
cỏc electron phỏt ra từ bề mặt mẫu vật với độ sõu chỉ vài nm, do vậy chỳng tạo ra ảnh hai chiều của bề mặt mẫu.
* Electron tỏn xạ ngược: Là chựm electron ban đầu khi tương tỏc với bề mặt mẫu vật bị bật ngược trở lại, do đú chỳng thường cú năng lượng cao. Sự tỏn xạ này phụ thuộc vào thành phần hoỏ học ở bề mặt mẫu, do đú ảnh electron tỏn xạ rất hữu ớch cho phõn tớch về độ tương phản thành phần hoỏ học. Ngoài ra, electron tỏn xạ ngược cú thể dựng để ghi nhận ảnh nhiễu xạ electron tỏn xạ ngược giỳp cho phõn tớch cấu trỳc tinh thể.