Mọi user code EGSnrc đều yêu cầu các thông số vận chuyển Monte Calo:
Global ECUT : năng lượng cắt của electron trong mọi vùng. Đây là năng lượng ngưỡng dưới của electron có nghĩa là năng lượng của electron dưới giá tri này thì bị bỏ lại trong vùng này và lịch sử hạt kết thúc. Nếu để trống giá trị AE được sử dụng
Global PCUT : năng lượng cắt của photon trong mọi vùng. Đây là năng lượng ngưỡng dưới của photon có nghĩa là năng lượng của photon dưới giá tri này thì bị bỏ lại trong vùng này và lịch sử hạt kết thúc. Nếu để trống giá trị AP được sử dụng
Global SMAX : hạn chế kích thước hình học tối đa ở mỗi bước trong sự vận chuyển electron ở mỗi vùng. Nếu để trống, không có hạn chế kích thước hình học nào. Nếu sử dụng thuật toán mặc định bước electron của EGSnrc, không cần chọn SMAX. Lựa chọn này chỉ hữu dụng đối với sự vận chuyển trong vật chất có mật độ thấp (không khí ) khi PRESTA được chọn
Electron-step algorithm : Thuật toán bước electron. PRESTA-II ( mặc định ) hay PRESTA-I
Boundary crossing algorithm: có hai lựa chọn:EXACT, đi qua biên dưới chế độ tán xạ đơn, khoảng cách từ biên tới chỗ vận chuyển được xác định bởi “Skin depth for BCA”. Lựa chọn thứ 2 là PRESTA-I, nếu số biên được lựa chọn đi qua , nghĩa là bỏ qua sự tương quan với các vật bên khác
Skin depth BCA: xác định khoảng cách từ biên sử dụng chế độ tán xạ đơn ( nếu chọn EXACT boundary crossing ) hoặc bỏ qua sự tương quan giữa các vật bên ( nếu chọn PRESTA-I boundary crossing) . Giá trị mặc định là 3 cho EXACT
ESTEPE :phần năng lượng mất đi lớn nhất trong mỗi bước. Mặc định là 0,25.
XImax : tán xạ đàn hồi lớn nhất trên mỗi bước. Mặc định là 0,5.
Spin effect:: bật/tắt cho hiệu ứng Spin cho tán xạ đàn hồi electron. Mặc định là On: cần thiết tuyệt đối cho tính toán tán xạ ngược.
Nếu là Simple chỉ sử dụng số hạng đầu của phân bố Koch-Motz để xác định góc phát xạ từ bức xạ hãm photon. Nếu chọn On thì sử dụng phân bố Koch-Motz 2BS.
Brems cross settions:: BH, NIST, mặc định là BH
Nếu chọn BH tiết diện bức xạ hãm Bethe-Heitler được sử dụng .Nếu NIST được chọn sử dụng tiết diện NIST.Sự khác biệt rõ ràng chỉ trong vùng năng lượng thấp ( KeV)
Bound Compton scattering:On hoặc off
Nếu chọn Off, tán xạ Compton sẽ được xử lí bằng Klein-Nishina, nếu chọn On tán xạ Compton được xử lí bằng phương pháp xấp xỉ xung. Mặc định là On để áp dụng với các năng lượng thấp, khoảng 1MeV
Pair angular sampling: Off, Simple hoặc KM Nếu chọn Off, các cặp sẽ chuyển động một góc m
E đối với hướng của photon (m là khối lượng nghỉ, E là năng lượng của photon. Chọn Simple để sử dụng số hạng đầu của phân bố góc, chọn KM (Koch-Motz) sử dụng 2BS từ bài báo cáo của Koch và Motz. Mặc định là Simple
Photonelectron angular sampling: Off hoặc On
Nếu chọn Off ,các quang electron có hướng của photon mẹ. Nếu chọn On sử dụng công thức Sauterd ( chỉ đúng cho hấp thụ quang ở lớp K )
Rayleigh scattering:Off, On
Nếu chọn On sử dụng tán xạ Rayleigh. Mặc định là Off. Nên chọn On đối với năng lượng thấp
Atomic relaxation:Off, On.Mặc định là On
- Trong hấp thụ quang điện, photon sẽ tương tác với các thành phần ( nếu là hợp chất ) và lớp vỏ sẽ được lấy mẫu với tiết diện thích hợp.
- Các chỗ khuyết của lớp vỏ được tạo ra trong quá trình hấp thụ quang sẽ được hồi phục do sự phát xạ huỳnh quang tia X, phát xạ Auger và phát xạ electron Koster-Cronig. Chọn On đối với ứng dụng năng lượng thấp