Fujioka nói hình dạng phổ tia X của họ khá giống với phổ ghi được bởi các nhà thiên văn học. Tuy nhiên, lời giải thích cho nguồn gốc của các vạch phổ đặc trưng thì khác.
Các nhà thiên văn vật lí khẳng định một cực đại tia X tại 1,84 keV phát sinh từ một chuyển tiếp bị cấm của các ion silicon. Nhưng Fujioka nói các tính toán do đội của ông thực hiện – xét đến các phép đo thực nghiệm về nhiệt độ và mật độ của plasma – cho thấy cực đại ấy xuất hiện cùng với một chuyển tiếp cộng hưởng khác của các ion silicon.
Tuy nhiên, các nhà nghiên cứu thừa nhận họ không thể đưa một lời giải thích rạch ròi cho nguồn gốc của cực đại này. Đó là vì thông lượng bức xạ tạo ra trong phòng thí nghiệm tồn tại trong những phần nhỏ của một giây, trong khi bức xạ tạo ra bởi một vật thể thiên văn vật lí chắc đặc là liên tục.
Công trình trên đăng tải trên Nature Physics và, viết trong một bài báo đăng kèm, Paul Drake ở trường Đại học Michigan đã mô tả kĩ thuật trên là có “tiềm năng to lớn cho sự phát triển thêm nữa”, vì nó cho phép năng lượng của nguồn photon biến thiên trong một ngưỡng rộng trong khi cho phép điều khiển nhiều trên chất liệu quang ion hóa. Tuy nhiên, Drake cũng cảnh báo rằng cần có thể nghiên cứu nữa để mô tả đặc trưng các tính chất vật lí của những plasma thu được.
Fujioka nói đội nghiên cứu hiện đang chuyển sự chú ý của mình sang các nghiên cứu về sự hấp thụ những chùm tia X mạnh. Nhiều người tin rằng tốc độ hấp thụ tia X trong
các chất liệu và plasma là độc lập với cường độ của chùm tia, nhưng họ nghi ngờ rằng một plasma có thể trở nên trong suốt trong những chùm tia X mạnh đến mức khó tin. Nếu đây đúng là trường hợp đó, thì nó sẽ làm thay đổi kiến thức của chúng ta về cách thức các plasma hành xử trong sao siêu mới.