Cấu trỳc vựng năng lượng của vật liệu ZnWO4

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo vật liệu ZnWO4, pha tạp và khảo sát một số tính chất vật lí chuyên ngành vật lí chất rắn (Trang 49)

Cỏc hiện tượng quang học của mỗi vật liệu đều cú nguồn gốc từ cấu trỳc vựng năng lượng của vật liệu đú. Do đú, cấu trỳc vựng năng lượng được xem là cơ sở quan trọng để giải thớch cỏc tớnh chất cũng như cỏc hiệu ứng quang học của vật liệụ Ở mỗi loại vật liệu, cỏc nghiờn cứu lý thuyết cũng như thực nghiệm được thực hiện nhằm hiểu rừ cấu trỳc vựng năng lượng cũng như mật độ trạng thỏi của điện tử trờn cỏc vựng năng lượng.

Đối với vật liệu ZnWO4, nhiều nhúm tỏc giả đó sử dụng nhiều lý thuyết khỏc

nhau để tỡm hiểu cấu trỳc vựng năng lượng: lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT – Density Functional Theory), phương phỏp xấp xỉ gradien tổng quỏt (GGA – Generalized Gradient Approximation) [21, 99]; phương phỏp xấp xỉ mật độ địa phương (LDA – Local Density Approximation) [26, 100]; phương phỏp tổ hợp tuyến tớnh của cỏc obitan nguyờn tử (LCAO - Linear Combination of Atomic Orbitals) dựng cỏc Hamiltonian khỏc nhau [38, 68].

Bằng lý thuyết DFT, Fu và cộng sự [43] đó tớnh toỏn cấu trỳc vựng năng lượng và mật độ trạng thỏi (DOS – Density of States) của 54 orbital, kết quả biểu diễn trờn

hỡnh 1.14b là mật độ trạng thỏi tổng của đúng gúp của cỏc nguyờn tử và hỡnh 1.14c là mật độ trạng thỏi từng nguyờn tử. Kết quả cho thấy rằng cấu trỳc cỏc vựng năng

lượng của ZnWO4 gồm một vựng năng lượng thấp từ -19 eV đến -16 eV là đúng

gúp của trạng thỏi O2s, gồm cỏc orbital 1  8. Vựng húa trị là cỏc trạng thỏi lai giữa

O2p, Zn3d và W5d (orbital 9  32), ở đỉnh vựng húa trị gồm cỏc trạng thỏi O2p

(orbital 33  42). Độ rộng của vựng húa trị khoảng 7,5 eV [68]. Vựng dẫn thấp chủ

yếu gồm cỏc trạng thỏi W5d và một phần nhỏ cỏc trạng thỏi O2p (orbital 43  48).

Một vựng dẫn cao hơn bao gồm đúng gúp của trạng thỏi W5d và đúng gúp của trạng

thỏi Zn4s (orbital 49  54) [43]. Khi ZnWO4 được kớch thớch ỏnh sỏng, electron sẽ

chuyển từ trạng thỏi O2p ở vựng húa trị lờn trạng thỏi W5d của vựng dẫn [43, 68].

Hỡnh 1.14.Tớnh toỏn DFT với cấu trỳc ZnWO4: Cấu trỳc vựng năng lượng (a); Mật độ

trạng thỏi tổng (b); Mật độ trạng thỏi từng nguyờn tử (c) [43].

Từ sơ đồ cấu trỳc vựng năng lượng, cú thể tớnh toỏn được độ rộng vựng cấm

(Eg) của vật liệu ZnWO4. Tuy nhiờn, bằng những lý thuyết gần đỳng khỏc nhau, cỏc

giỏ trị Eg tớnh toỏn được cũng khỏc nhau: 2,82 eV với phương phỏp LDA, 2,901 eV

với phương phỏp GGA [21]; 4,22 eV khi dựng phương phỏp LCAO với Hamiltonian B3LYP, 4,27 eV với Hamiltonian B3PW, 4,60 eV với Hamiltonian

PBEO [68]. Giỏ trị Eg = 4,60 eV tớnh toỏn được khỏ phự hợp với một số kết quả

Một phần của tài liệu Nghiên cứu chế tạo vật liệu ZnWO4, pha tạp và khảo sát một số tính chất vật lí chuyên ngành vật lí chất rắn (Trang 49)

Tải bản đầy đủ (PDF)

(182 trang)