L ời cm ơn
2.4.1.Trong vùng dòng đ in rò thấp <10 4A
Sơ đồ tương đương trở thành Hình 2.13.
R C
L
IG
Hình 2.13. Sơ đồ tương đương của biến trở trong vùng dòng rò.
cấp độ dòng thấp, đặc tính V-I gần như tuyến tính, dòng điện rò phụ thuộc vào nhiệt độ.Biến trở có trởkháng rất cao xem như hở mạch. Điện trở phi tuyến RV có giá trị rất lớn có thể bỏ qua, vì RBkhông đáng kể so với RIG nên cũng được bỏ
qua. trong vùng dòng rò thì điện dung hầu như là không đổi trong một dãy rộng tần số và điện áp. Điện dung gần như hằng số khi tần số thay đổi đến 100kHz. Tương tự như vậy đối với nhiệt độ, điện dung (250C) cũng thay đổi rất ít khoảng
Giá trị điện trở RIGduy trì ở giá trị cao khi nhiệt độ tăng lên, ở 125oC có giá trị từ 10 đến 100M. Giá trị điện trở này có quan hệ gần tuyến tính với tỉ lệ nghịch tần số RIG 1/f. Tuy nhiên, RIG nối song song với điện dung C thì tính dung vẫn thể hiện ở bất kỳ tần sốquan tâm. Điều này là bởi vì dung kháng có quan hệ gần tuyến tính với tỉ lệ nghịch tần số 1/f.
2.4.2. Trong vùng ho t động bình th ờng (10-5–103 A)
Trong vùng này vật liệu bị đánh thủng về điện và tính trở của vật liệu phụ thuộc nhiệt độ rất ít. MOV kẹp điện áp từ 10-5 A–103 A. Đặc tính V-I được biểu diễn bằng phương trình dạng hàm mũ (2.4).
Trong vùng này thì biến trở đang dẫn và Rv nhỏ hơn RIG rất nhiều nhưng RV
vẫn lớn hơn RBnhiều, ta có sơ đồ thay thế Hình 2.14.
R
v
C
L
Hình 2.14. Sơ đồ tương đương của biến trở trong vùng hoạt động bình thường. Trong suốt quá trình dẫn điện, điện áp biến trở duy trì gần như là hằng số khi dòng điện thay đổi. Điện trở phi tuyến thay đổi đáp ứng theo dòng điện.
Với tín hiệu tần sốthấp, ảnh hưởng của điện dung có thể bỏ qua. tần số cao, vai trò của điện dung C trở nên đáng kể. Chính điện dung này làm giảm trở kháng khi tần số cao, làm ảnh hưởng đến đặc tính làm việc của biến trở, làm suy giảm tín hiệu.
Điện trở tĩnh của biến trở:
Điện trởđộng của biến trở:
ZV = dV/di = V/I= RV/ (2.13)