... 10 điện Si tăng lên 10 lần Bốn điện tử nguyên tử P liên kết với bốn điện tử bốn nguyên tử Si khác nhau, P thừa lại điện tử không nằm liên kết cộng hóa trò Điện tử thừa dễ dàng trở thành điện tử ... In o Si Si Si Hình 3. 3 Ba điện tử In liện kết với ba điện tử ba nguyên tử Si Như In thiếu điện tử cho liên kết cuối Nó dễ dàng nhận thêm điện tử nguyên tử xung quanh để có liên kết ... thành điện tử tự do, để lại mạng tinh thể chổ trống thiếu điện tử gọi lỗ trống, lỗ trống mang điện tích dương Nhiệt độ cao số điện tử tự lỗ trống hình thành nhiều - Khi điện trường điện tử tự...
Ngày tải lên: 19/09/2013, 17:03
... thành phần dòng điện điện áp transistor nh sau: 84 Cấu kiện điện tử Chơng III: Linh kiện tích cực IE IC IE IC ICBo E IB C B Các thành phần dòng điện điện áp chân cực transistor loại PNP Dòng điện ... dòng điện, điện áp công suất I (mA) M I a Điện trở tĩnh R0 Điện trở tĩnh hay điện trở chiều điện trở diode làm việc chế độ nguồn chiều U UAK Xác định điện trở chiều điện trở động diode 72 Cấu kiện ... Cấu kiện điện tử Chơng III: Linh kiện tích cực c Mạch hồi tiếp âm điện áp Sơ đồ nh hình bên Hồi tiếp âm điện áp tợng phần điện áp đợc đa ngợc trở lại đầu vào cho tác dụng cuả ngợc pha với điện...
Ngày tải lên: 24/07/2014, 20:20
Bài giảng: Linh kiện điện tử - chương 3 docx
... : điện áp đỉnh điện áp tối đa đặt cực E để UJT làm việc vùng điện trở âm bằng: VP = VBB + VD Vv : điện áp điểm trũng, điện áp tối thiểu đặt cực E để UJT làm việc vùng điện trở âm Iv : dòng điện ... đặt hiệu điện chiều theo chiều định đạt đến giá trị VBo diac dẫn điện Khi đặt hiệu điện theo chiều ngợc lại đến trị số VBo DIAC dẫn điện DIAC thể điện trở âm (điện đầu DIAC giảm dòng điện qua ... đại Emitơ Điện áp ngợc cực đại Emitơ Điện áp cực đại B1, B2 50mA 2A 30 V 35 V Dải nhiệt độ làm việc Dải nhiệt độ cất giữ Hệ số (EBB = 10V) -65 đến +1250c -65 đến +1500c 0,56 đến 0,75 Điện trở...
Ngày tải lên: 30/07/2014, 04:20
Cấu kiện điện tử - Chương 3 doc
... H (Henry) = 1 03 mH (milihenry) H = 106 µH (microhenry) Hệ số tự cảm • • • • • • • Air 1.257x10-6 H/m Ferrite U M 33 9.42x10-4 H/m Nickel 7.54x10-4 H/m Iron 6.28x10 -3 H/m Ferrite T38 1.26x10-2 H/m ... Chương : Cuộn cảm Hình dạng, ký hiệu cấu tạo Đặc tính điện tham số cuộn cảm Xác đònh trò số cuộn cảm Các loại cuộn cảm Cách đo thử kiểm tra Cấu tạo Cấu tạo Hình dạng & ký hiệu Các tham số Điện ... (Transformer) Điện áp: V1 = e1 = − N1 Sơ cấp ∆φ ∆t Thứ cấp V2 = e2 = − N2 a.Hệ thức điện thế: từ thông cuộn thứ cấp cuộn sơ cấp nên: V N1 = =n V N2 n : gọi tỉ số biến áp b Hệ thức dòng điện: Ta biết,...
Ngày tải lên: 05/08/2014, 23:22
Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 3 docx
... ,061 x 10 (VGS 3V )2 Vi VGS = 5V, thỡ: ID = 0,244 mA Vi VGS = 8; 10; 12; v 14V, ID s l 1,525; (ó c xỏc nh trang s liu); 4,94; v 7 ,38 mA tng ng c tuyn truyn t c v nh hỡnh 3. 13 3 .3 MOSFET KIU NGHẩO ... GS 2 VP v hay i DS = I DSS GS VP Trong ú thụng s IDSS c xỏc nh bi: (3. 34) (3. 35) Kn 2I hoc: (3. 36) VP K n = DSS 2 VP Cỏc biu thc mụ t quan h dũng-ỏp u ỳng cho c vựng tng cng v vựng ... ' CGD = COLW (3. 32) Cỏc in dung ca transistor NMOS hot ng ch ngt ch ngt, vựng cng-kờnh dn l khụng tn ti Cỏc giỏ tr ca CGS v CDS ch bao gm in dung chng ln ' CGS = COLW ' (3. 33) v CGD = COLW...
Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21
Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 3 potx
... mức điện trở tăng lên Giá trị điện trở tính theo điện áp vGS đặt vào theo biểu thức sau: BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 76 rD = r0 (3. 43) (1 ... cách điện Cấu trúc tạo thành tụ điện có lớp cách điện điện môi Ở JFET, lớp cách điện thay vùng nghèo Trong hai trường hợp, có điện dung diện cổng kênh dẫn điện dung phần khác xét mục 3. 2g phần ... SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 86 ID = VDD RD (3. 77) VGS = 0V Các đặc tuyến xác định phương trình (3. 72) (3. 75) vẽ hình 3. 39c Và giao chéo hai đặc...
Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21
Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 3 pptx
... CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 89 Mạch tương đương tín hiệu nhỏ cho khuyếch đại FET hình 3. 30 mô tả hình 3. 43 Khi có mạch tương đương tín hiệu nhỏ khuyếch đại FET, ta xác định hệ số khuyếch đại điện áp ... nhỏ Từ hình 3. 43, rõ ràng là, bỏ qua ảnh hưởng điện dung vào C, điện áp cực cổng FET điện áp lối vào vi Điện áp xác định nguồn phát dòng điện trở tương đương hai nhánh mắc song ≅ song điện trở máng ... qua điện trở nguồn RS không đổi, tức làm việc nguồn dòng Nếu bỏ qua số hạng vS/ RS, phương trình (3. 83) trở thành: v3 v (3. 85) + =0 RD RD suy ra: v3 = - v4 Kết hợp kết với phương trình (3. 82) (3. 84),...
Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21
Linh kiện điện tử chương 3 điốt bán dẫn
... hạt dẫn điện (electron, lỗ trống), nên gọi vùng nghèo (depletion region) hay vùng điện tích không gian • Các ion tạo thành điện trường hướng từ n sang p gọi điện trường tiếp xúc Điện tạo điện trường ... (Si); -2,3mV/oC (Ge) Các tham số Điốt bán dẫn Điện trở tĩnh: Là điện trở tiếp giáp p-n có điện NHATRANG UNIVERSITY áp chiều cố định đặt vào cực Điốt U AK R0 = I R0th
Ngày tải lên: 29/04/2016, 16:43
Mạch điện tử - chương 3 - Mạch phân cực và khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET
... trình đường thẳng lấy điện Ngoài ra: VS=RSID ; VG = 0; VD = VDD-RDID (3. 5) 3. 1 .3 Phân cực cầu chia điện thế: Dạng mạch hình 3. 5 Trương Văn Tám III -3 Mạch Điện Tử Chương 3: Mạch phân cực khuếch ... cố định (hình 3. 20), mạch phân cực tự động (hình 3. 21) mạch phân cực cầu chia điện (hình 3. 22) Mạch tương đương xoay chiều vẽ hình 3. 23 Trương Văn Tám III-10 Mạch Điện Tử Chương 3: Mạch phân cực ... nên thường phân cực cầu chia điện hồi tiếp điện Thí dụ: Ta xem mạch hình 3. 30a có mạch tương đương xoay chiều hình 3. 30b Trương Văn Tám III-14 Mạch Điện Tử Chương 3: Mạch phân cực khuếch đại tín...
Ngày tải lên: 10/10/2012, 15:51
Tài liệu ứng dụng linh kiện điện điện tử, chương 3 pptx
... lại liệu, truy xuất ngầm lệnh gọi chương trình (ACALL, LCALL) lệnh trở (RET, RETI) để lưu trữ giá trò đếm chương trình bắt đầu thực chương trình lấy lại kết thúc chương trình … Con trỏ liệu DPTR ... (Acessing External Code Memory): - Bộ nhớ chương trình bên nhớ ROM cho phép tín hiệu PSEN\ Sự kết nối phần cứng nhớ EPROM sau: Port EA D0 D7 74HC3 73 O 8951 ALE G D A0 A7 EPROM Port A8 A15 ... kỳ máy tiêu biểu, tín hiệu ALE tích cực lần Lần thứ cho phép 74HC3 73 mở cổng chốt đòa byte thấp, ALE xuống byte thấp byte cao đếm chương trình có EPROM chưa xuất PSEN\ chưa tích cực, tín hiệu lên...
Ngày tải lên: 21/01/2014, 19:20
Bài giảng học phần Thiết kế website thương mại điện tử Chương 3 ThS. Thiều Quang Trung
... Thiều Quang Trung 17 Phát biểu có điều kiện • Các dạng: – IF (điều kiện) { câu lệnh; } – IF (điều kiện) { câu lệnh; } ELSE { câu lệnh; } – switch (điều kiện) { case Value1 câu lệnh1; break; } ... case Value1 câu lệnh1; break; } GV Thiều Quang Trung 18 Phát biểu có điều kiện – While (điều kiện) – Do - While (điều kiện) – Break – Continue • Phát biểu For GV Thiều Quang Trung 19 Kết nối sở ... khoá global cho biến $a, biến $a sử dụng giá trị có hiệu lực sau khỏi hàm GV Thiều Quang Trung 13 Tầm vực biến Scope of Variable
Ngày tải lên: 26/05/2017, 16:50
Bài tập trường điện từ chương 3.pdf
... 133 3 → 471,9.10−12 → (ĐS: a) E = i r (V / cm); D = ) i r (C / cm2 ) b) r r Iro = 0,84 (µ A/ cm) −12 −12 471,9.10 35 4.10 (C / cm ) ; ρlk = (C / cm3 ) ρ =− r3 r3 → Problem_ch3 BÀI TẬP CHƯƠNG 3. 7 ... (cm), tìm : a) Thế điện điện môi thực ? b) Mật độ điện tích tự ρ điện môi thực ? (ĐS: a) ϕ = 2098, ln (1 + 20 x ) Problem_ch3 b) ρ = 29, (1 + 20 x ) (µ C / m3 ) ) BÀI TẬP CHƯƠNG 3. 5: Tụ phẳng , ... Problem_ch3 (d1γ2 +d2 γ1 ) c) Rcd = ) γ1γ2S BÀI TẬP CHƯƠNG 3. 9: Tụ điện trụ , dài L, gồm lớp điện môi thực , có ε1 ,ε2 ,γ1 , γ2 = const , tìm : → → a) J , E lớp điện môi ? b) Thế điện lớp điện môi...
Ngày tải lên: 20/08/2012, 09:01
Bài tập Trường điện từ - chương 3
... 133 3 → 471,9.10−12 → (ĐS: a) E = i r (V / cm); D = ) i r (C / cm2 ) b) r r Iro = 0,84 (µ A/ cm) −12 −12 471,9.10 35 4.10 (C / cm ) ; ρlk = (C / cm3 ) ρ =− r3 r3 → Problem_ch3 BÀI TẬP CHƯƠNG 3. 7 ... (cm), tìm : a) Thế điện điện môi thực ? b) Mật độ điện tích tự ρ điện môi thực ? (ĐS: a) ϕ = 2098, ln (1 + 20 x ) Problem_ch3 b) ρ = 29, (1 + 20 x ) (µ C / m3 ) ) BÀI TẬP CHƯƠNG 3. 5: Tụ phẳng , ... Problem_ch3 (d1γ2 +d2 γ1 ) c) Rcd = ) γ1γ2S BÀI TẬP CHƯƠNG 3. 9: Tụ điện trụ , dài L, gồm lớp điện môi thực , có ε1 ,ε2 ,γ1 , γ2 = const , tìm : → → a) J , E lớp điện môi ? b) Thế điện lớp điện môi...
Ngày tải lên: 10/10/2012, 10:54
Giáo trình linh kiện điện tử - Chương 1
... Linh Kiện Điện Tử d 23 A với A0 số Avogadro (A0 = 6,0 23. 10 ) A Mỗi nguyên tử cho v = điện tử tự do, số điện tử tự m3 là: n= d A v.10 A Với Tungsten, ta có: n= 18,8 6,2 03. 10 23. 2.10 ≈ 1, 23. 10 29 điện ... Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tầng L có tối đa điện tử Tầng M có tối đa 18 điện tử Tầng N có tối đa 32 điện tử Các tầng O,P,Q có phụ tầng có tối đa 32 điện tử Ứng với phụ tầng có mức ... l=0,1,2 ,3 Tầng K (n=1) có phụ tầng s có tối đa điện tử Tầng L (n=2) có phụ tầng s có tối đa điện tử phụ tầng p có tối đa điện tử Tầng M (n =3) có phụ tầng s (tối đa điện tử) , phụ tầng p (tối đa điện tử) ...
Ngày tải lên: 13/10/2012, 08:47
Giáo trình linh kiện điện tử - Chương 2
... đổi điện đầu vào rơle tác động IV.1.2 Phương pháp dùng nguồn điện áp phụ AC: Báo tín hiệu Báo tín hiệu + + + + + 35 RI 36 RT 37 RG - 52N + 36 RT 35 RI 52N - 47C 34 BG 37 RG 48CC Tới trục MFĐ 47C 34 BG ... (1 -33 ) 2 rqâ + X C0Σ α: số phần trăm cuộn dây tính từ trung điểm đến vị trí chạm đất (α ≤ 1) Up: điện áp pha máy phát rqđ: điện trở độ chỗ cố X C0Σ : dung kháng pha đẳng trị tất phần tử mạng điện ... vào điện áp U0 qua điện trở R1 thay cho tụ điện C1 sơ đồ sử dụng để bảo vệ cho máy phát có trung tính nối đất qua điện trở lớn Khi thành phần tác dụng dòng điện tác dụng so sánh với thành phần...
Ngày tải lên: 13/10/2012, 08:47
Bài giảng môn Kỹ thuật điện tử - Chương 3
... BB VCC R B ; R BB R B1 R B IB V BB V BE ; IC R BB (1 )RE R BB R B1 // R B 32 k // 6.8k V BB VCC R B R B1 R B 15 * 6,8 32 6,8 IB V BB R BB IC IB VCE VCC V BE (1 ) RE R B1 // R B I B ; VCE VCC I...
Ngày tải lên: 15/10/2012, 14:08