hoạt động 1 giới thiệu nội dung chính trong chương

Báo cáo thực tập công nhân 2 ngành điện tử viễn thông

Báo cáo thực tập công nhân 2 ngành điện tử viễn thông

... Viết chương trình #include Void delay (int); Void main (void) { TMOD=0x55 // 010 1 010 1;bo định thời 0 ,1- chế độ 1: //Bộ đếm 16 bit TCON=0x50 //# 010 10000 TH0=0x00; TL0=0x00; EX0 =1; EA =1; ... tốc độ động chiều công suất nhỏ Sơ đồ nguyên lý PHẦN I: ĐIỆN TỬ Thuyết minh nguyên lý hoạt động Tmin ↔ VR = 0Ω → Tmin = R1 x C1 = 10 3 x 10 -6 = ms Tmax ↔ VR = 50kΩ → Tmax = ( R1 + VR) x C1 = ( ... biến áp - Diode D1 ÷ D5: Diode thường D6, D7: Diode tách sóng - Tụ C1 = 470µF - 25V C2 = 10 4µF - Điện trở R1 = 2k2Ω R2, R3, R4 = 1kΩ - Biến trở VR = 10 kΩ - IC 7 812 - Đèn LED L1, L2 - Timer 555...

Ngày tải lên: 08/05/2015, 00:03

32 1,1K 3
thiết kế chế tạo mạch biền đổi dùng quang trở với ứng dụng bật tắt đèn tự động

thiết kế chế tạo mạch biền đổi dùng quang trở với ứng dụng bật tắt đèn tự động

... toán 1. 1 Khối Nguồn 1. 2 Khối So sánh 1. 3 Sơ đồ nguyên lý Đồ án môn học Điện Tử Giá trị quang trở tối 50kΩ , sáng 5kΩ , ta chọn R3 = 10 kΩ Khi điện áp đầu vào chân LM324 tối là: Ut = 12 V * 50/(50 +10 ) ... đại dòng điện VII IC LM 324 Description1 Mô tả Loạt LM324 bao gồm bốn kênh giành lập cao, nội khuếch đại tần số hoạt động đền bù mà thiết kế đặc biệt để hoạt động từ ngồn cung cấp lượng loạt hiệu ... rộng: cung cấp 3V đến 32V nguồn cung cấp kép ± 1. 5V đến ± 16 V - Large output voltage swing 0V to V + - 1. 5V Lớn sản lượng điện áp swing 0V đến V + - 1. 5V PHẦN II : TÍNH TOÁN VÀ THIẾT KẾ MẠCH I CHỌN...

Ngày tải lên: 25/02/2015, 16:07

27 3,2K 14
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải chỉ tiêu kỹ thuật và yêu cầu các sản phẩm

... 0 ,1 +12 V C C13 C =10 uF R R1 R=470 Ohm C C14 C =10 0 uF C C 11 C =10 uF R R2 R=470 Ohm C C3 C =10 uF C C12 C =10 0 uF L L1 L=390 nH INPUT C C1 C =10 0 pF RF-2627 C C2 C=30 pF C C4 C =15 pF TF TF1 T4 -1 ... W1=2.775 mm Subst="MSub1" W2=2.775 mm W=3. 711 mm W3=4.852 mm Angle =18 0 MTEE Tee9 Subst="MSub1" W1=3. 711 mm W2=3. 711 mm W3=4.852 mm MTEE Tee 11 Subst="MSub1" W1=3. 711 mm W2=3. 711 mm W3=4.852 mm Port ... 0 ,1 Port P1 Num =1 MCFIL CLin1 Subst="MSub1" W=3.8 21 mm S=0.277 mm L =18 . 512 mm MCFIL CLin2 Subst="MSub1" W=4.6 21 mm S =1. 277 mm L =18 .16 9 mm MCFIL CLin3 Subst="MSub1" W=4.69 mm S =1. 62 mm L =18 .12 9...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:01

36 1K 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ chuyển mạch điốt pin

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ chuyển mạch điốt pin

... 1. 5: Cấu tạo loại điốt PIN Bảng 1. 1 Độ dày Diện tích Lớp P+ 76 10 -3 cm 2 10 -3 cm2 Lớp I 7,6 10 -3 cm 3 ,12 10 -3cm2 Lớp N+ 10 ,2 10 -3 cm 4,5 10 -3cm2 Lớp kim loại 0 ,12 7 10 -3cm 4,5 10 -3cm2 Lớp đế 10 ,2 10 -2 ... cao tần 1. 1 Điốt cao tần 1. 1 .1 Khái quát điốt bán dẫn siêu cao tần 1. 1.2 Mạch điện tơng đơng 1. 1.3 Hoạt động điốt tần số siêu cao 1. 2 Nghiên cứu vài loại điốt siêu cao tần thờng gặp 1. 2 .1 Điốt ... Lớp P+ 76 10 cm 2 10 -3 cm2 Lớp I 7,6 10 -3 cm 3 ,12 10 -3cm2 Lớp N+ 10 ,2 10 -3 cm 4,5 10 -3cm2 Lớp kim loại 0 ,12 7 10 -3cm 4,5 10 -3cm2 Lớp đế 10 ,2 10 -2 cm 12 .9 10 -3cm2 39 Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:02

85 1K 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng chia công suất

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ cộng chia công suất

... điốt khác nhau, yêu cầu mạch ứng dụng l4 -jXb l3 -jXb Z1 l1 Z0 Z4 Z1N1 Zo1 Y1p R1 l2 Zop Z0 Y R3 Zo2 Y2p Z3 1: N Z1N2 Z2 Z1N3 Z1N4 Hình 1. 6 Mạch tơng đơng cấu trúc gắn điốt ống dẫn sóng đồng trục ... suất 1. 1 Khái quát chung 1. 2 Các cộng hốc cộng hởng 1. 2 .1 Bộ cộng hốc cộng hởng ống dẫn sóng HCN 1. 2.2 Bộ cộng hốc cộng hởng hình trụ 1. 3 Các cộng lai ghép chuỗi (Bộ cộng tổng hợp) 13 14 1. 3 .1 Bộ ... 2 = Y0V {(k 1) g p 1} + bk (k= 1, 2, , N) (2 .11 ) Do đó, công suất truyền là: 2 a k - bk = (k 1) g p Y0V 2 = (k 1) (2 .12 ) Pin 2N (k= 1, 2, N) (2 .13 ) Công thức (2 .13 ) chia chia...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:02

64 760 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ dao động bán dẫn VCO

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ dao động bán dẫn VCO

... AT -11 411 AT-42086 Tần số (MHz) S 11 (Mag.) 1, 74 1, 90 1, 77 1, 44 1, 35 Góc S22 (Mag.) 0,65 0,70 0,67 0,76 0,64 - 31, 8 -39,0 -10 2 ,1 -13 7,9 -14 9,3 45 Góc -6,7 -13 ,9 -43,8 -10 7 ,1 -12 8,6 S 21 (dB) 24 ,1 ... 12 55 12 80 13 00 Công suất (dBm) +15 ,0 +15 ,6 +15 ,8 +16 ,2 +17 ,1 +14 ,5 +13 ,0 +11 ,7 +11 ,0 Mức hài bậc (-dBc) -17 -23 -17 -16 - 2.2 Phơng pháp thiết kế chế tạo dao động VCO ống sóng dùng điốt Gunn ... Quan hệ S 11 theo tần số VCO Tần số (MHz) 750 10 00 12 50 S 11 (Mag.) 2,335 2,520 3, 219 Mạch cộng hởng Góc Giá trị tụ điện Varactor (pF) 14 ,2 4,0 2,0 -14 2 ,1 -17 5,4 14 7,7 Linh kiện tích cực G S 11 linh...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:02

69 980 1
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ lọc dải thông

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ lọc dải thông

... tần 1. 1 Tổng quan lọc siêu cao tần 1. 1 .1 Các lọc với phần tử phân bố 1. 1.2 Các lọc hốc cộng hởng 1. 1.3 Các lọc mạch dải 1. 2 Quy trình thiết kế lọc SCT 1. 2 .1 Các lọc tối u Chebyshev Butterworth 1. 2.2 ... lọc có độ rộng dải lớn gần 15 % j 01 = G0 C1 g g1 k 01 = R0 L1 g g1 j n ,n +1 = k n ,n +1 = Gn 1C n g n g n Ln Rn g n g n j i ,i t = k i ,i t = Li Li t g i g i t Hình 1. 14: a/ Mạch cộng hởng nối ... chặn là: = 1+ p cosh2 (mcosh1 x + ncosh1 y) , S 21 Trong đó: x,y đợc cho (1. 4), (1. 5) Và viết lại nh sau: 17 (1. 7) Đề tài: ĐTĐL- 2005/28G Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động tích...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:02

65 850 2
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải nghiên cứu thiết kế, chế tạo các bộ trộn tần

... FET 1. 3.5.7 Các trộn tần cân kép FET 1. 3.5.8 Các trộn tần FET có trở kháng 8 11 14 16 18 18 18 18 19 21 23 24 Chơng ii: Thiết kế trộn tần cân 27 Thiết kế trộn tần GHz cho đa 37 27 2 .1. 1 Giới thiệu ... Radius =11 .15 3 mm MCURVE Curve2 Subst="MSub1" W=0.463 mm Angle=60 Radius =11 .15 3 mm Port P1 Num =1 Port P3 Num=3 Port P2 Num=2 MLIN TL2 Subst="MSub1" W=0.463 mm L=0.935 mm MTEE Tee3 Subst="MSub1" W1=0.463 ... Subst="MSub1" W=0.463 mm Angle=60 Radius =11 .15 3 mm Port P4 Num=4 MCURVE Curve5 Subst="MSub1" W=0.463 mm Angle=60 Radius =11 .15 3 mm MLIN TL1 Subst="MSub1" W=0.463 mm L=0.935 mm MTEE Tee4 Subst="MSub1" W1=0.463...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:03

33 981 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải quy trình đo đạc hiệu chỉnh, kiểm nghiệm chất lượng các sản phẩm

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải quy trình đo đạc hiệu chỉnh, kiểm nghiệm chất lượng các sản phẩm

... 3 ,1 25 < 1dB < 1dB 10 10 - Điện áp nguồn nuôi, [V] +12 +12 - Hệ số sóng đứng vào/ra 1, 5 :1 1,5 :1 50 50 khuếch - Dải tần làm việc, [MHz] ... Tên phơng tiện đo Đặc tính kỹ thuật Giới hạn đo Cấp xác sai số Dải tần làm việc: Độ xác 1x10 -11 9KHz ữ 22GHz Máy đếm tần HP 5361B Dải tần làm việc: Độ xác 1x10 -11 0Hz ữ 20GHz Máy đo tổng hợp siêu...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:03

37 700 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải quy trình thiết kế các sản phẩm sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tầ

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải quy trình thiết kế các sản phẩm sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tầ

... -12 .03 -3.30 -3.30 - 21. 63 -11 .19 Marker M2 -15 S 31 -42.30 Marker M1 -10 S 21 0.20 Change/Worst A->B M1 S 11 Desired Center Frequency -5 0.30 -12 .03 -3.30 -3.30 - 21. 63 -11 .19 F: 1: 2: 3: K: -35 B A ... - 21. 6308297 300.0000000 -11 .19 22435 -11 .19 22435 0.0627290 - 21. 6308297 300.0000000 -11 .19 22435 300.0000000 300.0000000 300.0000000 0.0627290 -11 .19 22435 - 21. 6308297 - 21. 6308297 300.0000000 |S 11| ^2 ... (RLoss3) M2 -12 .025 319 5 -3 .1 Magnified A->B Magnified A->B -3.0 S 31/ S13 (Loss3) S 21/ S12 (Loss2) -12 .025 319 5 S 11 (VSWR) S 11 (RLoss1) Magnified A->B -3.0 S22 (RLoss2) Magnified A->B -12 .025 319 5 2.3...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:04

87 800 1
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải thuyết minh kỹ thuật và hướng dẫn sử dụng các sản phẩm

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải thuyết minh kỹ thuật và hướng dẫn sử dụng các sản phẩm

... suất vẽ hình 10 MCURVE Curve1 Subst="MSub1" W=2. 016 mm Angle =18 0 Radius=6.8 mm Port P1 Num =1 MLIN TL1 Subst="MSub1" W=2. 016 mm L=3.0 51 mm MTEE Tee1 Subst="MSub1" W1=2. 016 mm W2=2. 016 mm W3=4.852 ... 017 m m W[ 1] =3 14 5 m m Rho =1 W =10 0 m m S[ 1] =0 0666 m m W[ 2] =4 13 1 m m Rho =1 W =10 0 m m VI A2 W =10 0 m m T=0 m m Rho =1 W =10 0 m m H =1 57 m m T=0 m m C=0 35 pF R R1 M LI N M O hm R =15 TL26 Subst ... H =1 57 m m T=0 m m Rho =1 W =10 0 m m M L4CTL_V CLin1 H =1 57 m m T=0 m m Rho =1 W =10 0 m m V 11 D=0 m m H =1 57 m m T=0 m m Rho =1 VI A2 V6 D=0 m m H =1 57 m m T=0 m m Subst ="Subst 1" Lengt h =16 017 ...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:04

36 811 0
Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải

Nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch tích hợp thụ động và tích cực siêu cao tần sử dụng phần mềm thiết kế mạch siêu cao tần và công nghệ gia công mạch dải

... W1=3. 711 mm W2=3. 711 mm W3=4.852 mm Port P2 Num=2 R R3 R= 314 .26 Ohm MTEE Tee9 Subst="MSub1" W1=3. 711 mm W2=3. 711 mm W3=4.852 mm MTEE Tee 11 Subst="MSub1" W1=3. 711 mm W2=3. 711 mm W3=4.852 mm Hình 12 : ... Rho =1 W =10 0 m m V 11 D=0 m m H =1 57 m m T=0 m m Rho =1 VI A2 V6 D=0 m m H =1 57 m m T=0 m m Subst ="Subst 1" Lengt h =16 017 m m W[ 1] =3 14 5 m m Rho =1 W =10 0 m m S[ 1] =0 0666 m m W[ 2] =4 13 1 m ... Curve1 Subst="MSub1" W=2. 016 mm Angle =18 0 Radius=6.8 mm Port P1 Num =1 MLIN TL1 Subst="MSub1" W=2. 016 mm L=3.0 51 mm MTEE Tee1 Subst="MSub1" W1=2. 016 mm W2=2. 016 mm W3=4.852 mm MLIN TL2 Subst="MSub1"...

Ngày tải lên: 15/05/2014, 09:16

217 715 1
Đồ án Thiết kế chế tạo mạch điều khiển động cơ bước có sử dụng lập trình Vi Điều Khiển

Đồ án Thiết kế chế tạo mạch điều khiển động cơ bước có sử dụng lập trình Vi Điều Khiển

... quay động cách liên tục, cần áp điện vào hai mấu đông theo dãy Mấu 1a 10 0 010 0 010 0 010 0 010 0 010 0 01 Mấu 1a 11 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 01 Mấu 1b 0 010 0 010 0 010 0 010 0 010 0 010 0 Mấu 1b 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 ... hợp sau: Mấu 1a 11 0000 011 10000 011 10000 011 1 Mấu 1b 00 011 10000 011 10000 011 10000 Mấu 2a 011 10000 011 10000 011 10000 01 Mấu 2b 0000 011 10000 011 10000 011 100 Thời gian ‐‐> Hình 3.3 Động nam châm vĩnh cửu ... 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 Mấu 2a 010 0 010 0 010 0 010 0 010 0 010 00 Mấu 2a 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 00 Mấu 2b 00 010 0 010 0 010 0 010 0 010 0 010 Mấu 2b 10 011 0 011 0 011 0 011 0 011 0 011 thời gian ‐‐> thời gian ‐‐> Nhớ hai...

Ngày tải lên: 03/06/2015, 16:07

39 940 7
THIẾT kế CHẾ tạo MẠCH KHUẾCH đại CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR  BJT CÔNG SUẤT 2w

THIẾT kế CHẾ tạo MẠCH KHUẾCH đại CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR BJT CÔNG SUẤT 2w

... Fara) Pico = 1/ 1000.000.000.000 Fara (viết gọn 1pF) + N(Nano Fara) Nano = 1/ 1000.000.000 Fara (viết gọn 1nF) + MicroFarra Micro = 1/ 1000.000 Fara (viết gọn 1 F)  1 F = 10 00nF = 1. 000.000 Pf ... P = = 0 ,17 A V 12 +Tại điểm làm việc ổn định H10 61 ta có Vce=5v nên ta có R6 = Vcc − Vce 12 − = = 42(om) Ir 0 .17 +Hệ số khuếch đại B =17 0,Vbe=0,7v Ir6 0 .17 = = 0.001A B 17 0 Vcc - Vbe 12 − 0.7 ... Trang 15 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SPKT HƯNG YÊN -các linh kiện sử dụng mạch +trandito c2383.H10 61 +tụ điện 10 uf, 10 00uf +Điện trở 2,2k 44k 10 0 ôm 33 ôm 10 k 44ôm2w + biến trở xoay 2k -Nguyên lý hoạt động...

Ngày tải lên: 10/09/2015, 13:54

18 1,6K 2
BÁO cáo THIẾT kế CHẾ tạo MẠCH bảo vệ máy KHỞI ĐỘNG sử DỤNG OPAMP

BÁO cáo THIẾT kế CHẾ tạo MẠCH bảo vệ máy KHỞI ĐỘNG sử DỤNG OPAMP

... 11 TV không chính thức 12 TV không chính thức 13 TV không chính thức 14 TV không chính thức II NỘI DUNG ĐỀ TÀI: 2 .1 Kiến thức cần có để thực đề tài: ... máy tính 25.000đ IC LM 358 , IC NE555,Tip 14 2 25.000đ ,Tran C1 815 ,Tụ điện , Biến Trở ,Công tắc ,Led ,điện trở các loại … In mạch ,Phíp đồng 10 .000đ TỔNG:60.000đ GHI CHÚ NHỮNG KIẾN THỨC, ... ,Phíp đồng 10 .000đ TỔNG:60.000đ GHI CHÚ NHỮNG KIẾN THỨC, KINH NGHIỆM HỌC ĐƯỢC VÀ ĐỀ XUẤT: III 3 .1 Kiến thức: - Thành viên nhóm thu thập được các kiến thức sau : + Biết rõ được nguyên...

Ngày tải lên: 06/04/2016, 09:45

6 537 2
Thiết kế chế tạo mạch điều khiển tốc độ động cơ điện một chiều

Thiết kế chế tạo mạch điều khiển tốc độ động cơ điện một chiều

... Văn Chương SVTH: Dỗn Trung Qn Vũ Minh Tiến Page KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ ĐỒ ÁN MƠN HỌC Chương 1: CẤU TẠO VÀ NGUN LÝ CỦA ĐỘNG CƠ ĐIỆN CHIỀU Cơ sở lý thuyết chung động điện chiều 1. 1 Giới thiệu chung động ... đây: - Động điện chiều kích từ song song - Động điện chiều kích từ nối tiếp - Động điện chiều kích từ hỗn hợp 1. 2 Cấu tạo động điện chiều Động điện chiều gồm có phần : Phần tĩnh (stator) phần động ... lập 1. 4.2 Phương trình đặc tính cơ: Trường hợp Rf=0: U= E + Iư.Rư (1) Trong đó; E= Ke Φ n (2) Ke = p.n : Hệ số sức điện động động 60a a: số mạch nhánh song song cuộn dây K= pn : Hệ số cấu tạo động...

Ngày tải lên: 10/09/2013, 20:53

18 3,7K 19
thiết kế, chế tạo mạch kiểm tra số lượt người ra vào cửa siêu thị

thiết kế, chế tạo mạch kiểm tra số lượt người ra vào cửa siêu thị

... Blank in : chõn cho phộp loi b s khụng mong mun cỏc b hin th - Chõn 9 ,10 ,11 ,12 ,13 ,14 ,15 : cỏc ngừ ni vi led - Chõn s v 16 cung cp ngun cho IC GVHD: Phm Ngc Thng 33 TRNG I HC SPKT HNG YấN Trng ... m thun - Chõn 11 l chõn iu khin cho IC lm vic u tớch cc thp - Chõn 14 l chõn xúa lm vic mc tớch cc cao, IC m ta ni chõn ny xung mas - Chõn 15 , 1, 10 , l cỏc u vo d liu - Chõn 12 l chõn chuyn ... IC7404, IC7 413 , IC7 414 ỏn ny ta s dng IC7 414 (Xem ph lc 2-Trang 26) GVHD: Phm Ngc Thng 17 TRNG I HC SPKT HNG YấN - IC mó húa - m Cú nhiu loi IC dựng mó húa nh: IC7 419 2, IC7 419 3, Trong ỏn ny...

Ngày tải lên: 18/02/2014, 13:56

35 2,6K 9
Nghiên cứu thiết kế, chế tạo tua bin xung kích 2 lần kiểu Cink pdf

Nghiên cứu thiết kế, chế tạo tua bin xung kích 2 lần kiểu Cink pdf

... (3-9)a (3 -13 ) ta có: C4 cos4 = U1 + W4 cos4 = U1 - W1cos1 (3 -15 ) Thay (3 .14 ) (3 .15 ) vào phơng trình (3.9) ta có: gH = U1W1cos1 (3 -16 ) Và bỏ qua tổn thất, C1 = = gH (3 -17 ) 4U 1W1 cos C12 (3 -18 ) Từ ... (3 -18 ) lần lợt theo sau theo cho 0, ta có: Lấy đạo hàm riêng theo ta có: tl cos = [sin1 (-sin1 sin1 - cos1 cos1) + cos1 (sin1 cos1 sin sin1cos1)] = cos [sin1 (cos 21 - sin 21) - 2cos1cos1sin1] ... đợc tính: = N 10 0% = N vao cos u1 u1 (C1 cos u1 ) .1 + cos g = QC1 2K Q (3-37) Khi 1= thì: = u K u1 cos (1 + ) C1 C1 Xét tất biến số (3-38) u1 không đổi C1 Lấy vi phân...

Ngày tải lên: 23/03/2014, 17:20

119 526 1
Tính toán, thiết kế, chế tạo mạch điều khiển và ổn định tốc độ động cơ DC

Tính toán, thiết kế, chế tạo mạch điều khiển và ổn định tốc độ động cơ DC

... (1 + K ) I u Ru K D (1 S t ) D ( 1) S t ndm K= Với hệ số động KĐ: Page 28 (4) N CHUYấN NGNH II 1 = 1. 362 = K e 0.734 KĐ = 2. 51. 14.464 .1. 362 (1 0 .1) 8 { 1} = 61. 2 0 ,1. 2390 K= 0.008 Hệ số ... + I ng ng ) n bh Ibh = ng K i K K D + R u K D = 1, 72 .18 ,5 .1, 362 (12 + 3,675 .1, 9 01) + 3972.56 = 46.973(A) 1, 9 01. 1,72 .18 ,5 .1, 362 + 14 ,464 .1, 362 Page 36 N CHUYấN NGNH II Hình 4-5 Đặc tính hệ ... chân 11 Trở kháng vào Mạch tạo cưa Dòng nạp tụ Biên độ cưa Điện trở mạch nạp Thời gian sư ờn ngắn xung cưa V 11 R 11 0,2 I10 V10 R9 tP 10 Page 50 15 80 Giá Đơn trị lớn vị 10 MA V10 max Vk 10 00...

Ngày tải lên: 11/04/2014, 16:16

68 2K 5
w