bjt với tín hiệu xoay chiều

... 7/12 BJT với tín hiệu xoay chiều Mạch tương đương xoay chiều BJT: Với tín hiệu có biện độ nhỏ tần số không cao lắm, người ta thường dùng hai kiểu mẫu sau đây: Kiểu hỗn tạp: (hybrid- π ) Với mô ... (h-parameter) 9/12 BJT với tín hiệu xoay chiều Từ hai phương trình này, ta có mạch điện tương đương theo kiểu thông số h: So sánh với kiểu hỗn tạp, ta thấy rằng: 10/12 BJT với tín hiệu xoay chiều Các ... giống đặc tuyến diode phân cực thuận 3/12 BJT với tín hiệu xoay chiều Người ta định nghĩa điện dẫn truyền transistor là: 4/12 BJT với tín hiệu xoay chiều Tổng trở vào transistor: Ta có hai loại...

Ngày tải lên: 31/12/2015, 16:53

... Kiện Điện Tử Chú ý giới hạn có tính cách tương đối Sự khác tần số lại dẫn đến khác biệt quan trọng lượng xạ Năng lượng xạ tỉ lệ với tần số theo công thức: E=h.f với h: số planck = 6,624.10-34J.sec ... tần số bước sóng liên hệ hệ thức λ = c f Trong c vận tốc ánh sáng = 3.108m/s f tần số tính Hz Bước sóng λ tính m Ngoài người ta thường dùng ước số: µm = 10-6m ; nm = 10-9m Amstron = Å = 10‐10m ... .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý mạch dùng PUT, ngõ xả tụ điện anod Tín hiệu sử dụng thường lấy catod (và dùng kích SCR UJT) VG VK = ηVBB t VK VK = VP-VV t Hình 34 Trang...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... Cả VV IV tăng VBB - Điện cực phát bảo hòa VEsat: hiệu điện cực phát E cực B1 đo IE=10mA hay VBB 10V Trị số thông thường VEsat volt (lớn nhiều so với diod thường) Ổn định nhiệt cho đỉnh: Điện đỉnh ... vài trăm ohm) B2 nguồn VBB Ngoài người ta mắc điện trở nhỏ R1 khoảng vài trăm ohm cực B1 để lấy tín hiệu Trang 143 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử R2 B2 E VBB B1 R1 Hình ... Như tên gọi, PUT giống UJT có đặc tính thay đổi Tuy cấu tạo, PUT khác hẳn UJT Anod A Anod A P N IA G Cổng G Cổng K Catod Cấu tạo R B2 R VAK P N A VAA K Catod Ký hiệu K VGK R B1 Phân cực Hình 31...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... tạo ký hiệu mô tả sau: Anod A Anod A P N G Cổng G Cổng P N K Catod Ký hiệu K Catod Hình 21 Trang 138 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy có ký hiệu khác với SCR SCS tính ... (BJT) gọi Transistor lưỡng cực có hai nối PN lúc UJT có độc nối P-N Tuy không thông dụng BJT, UJT có số đặc tính đặc biệt nên thời giữ vai trò quan trọng mạch tạo dạng sóng định Cấu tạo đặc tính ... nằm cách vùng B1 khoảng 70% so với chiều dài hai cực B1, B2 Dây nhôm đóng vai trò cực phát E Hình sau trình bày cách áp dụng điện chiều vào cực UJT để khảo sát đặc tính Mạch tương đương UJT IE...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... nhạy nhất, cách (2) cách (4) Do tính chất dẫn điện hai chiều, Triac dùng mạng điện xoay chiều thuận lợi SCR Thí dụ sau cho thấy ứng dụng Triac mạng điện xoay chiều 220V/50Hz + VL Tải Triac dẫn ... hai chiều Hình sau cho thấy cấu tạo, mô hình tương đương cấu tạo Triac Trang 133 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Như vậy, ta thấy Triac gồm SCR PNPN dẫn điện theo chiều ... Triac gồm SCR PNPN dẫn điện theo chiều từ xuống dưới, kích dòng cổng dương SCR NPNP dẫn điện theo chiều từ lên kích dòng cổng âm Hai cực lại gọi hai đầu cuối (main terminal) - Do đầu T2 dương đầu...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... vùng dễ bị hư hỏng Khả chịu đựng di/dt tùy thuộc vào SCR SCR hoạt động điện xoay chiều Khi SCR hoạt động điện xoay chiều tần số thấp (thí dụ 50Hz 60Hz) vấn đề tắt SCR giải dễ dàng Khi xung kích ... điện chiều VAA vào SCR hình sau dòng điện nhỏ IG kích vào cực cổng G làm nối PN cực cổng G catot K dẫn phát khởi dòng điện anod IA qua SCR lớn nhiều Nếu ta đổi chiều nguồn VAA (cực dương nối với ... vào cực cổng IA A IG RG G Cổng (Gate) P N VAK P N RA K VGG VAA Hình Ta thấy SCR coi tương đương với hai transistor PNP NPN liên kết qua ngõ thu Khi có dòng điện nhỏ IG kích vào cực Transistor...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... ta thấy tín hiệu ngõ vào ngõ ngược pha (lệnh pha 180o) XIII MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS Các transistor trường ứng (JFET MOSFET) mà ta khảo sát thích hợp cho mạch có biên độ tín hiệu nhỏ ... trình Linh Kiện Điện Tử Bài tập cuối chương Tính VD, điện dẫn truyền gm mạch: +12V RD 5K VD IDSS = 4mA VGS(off) = -4V RG 1M 1K RE Trong mạch điện sau, tính điện phân cực VD điện dẫn truyền gm +12V ... trung tần, dao động… năm 1976, người ta phát minh loại transistor trường có công suất vừa, đến lớn với khả dòng thoát đến vài chục ampere công suất lên đến vài chục Watt V-MOS: Thật loại E-MOSFET...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... vgs gmvgs r0 D vds S Hỡnh 41 IX IN DN TRUYN (TRANSCONDUCTANCE) CA JFET V DEMOSFET Cng tng t nh BJT, mt cỏch tng quỏt ngi ta nh ngha in dn truyn ca FET l t s: g m = i d (t) v gs ( t ) in dn truyn ... D2 I D1 ] dc ti Q l gm1 VGS(th) VGS (volt) Hỡnh 43 XI TNG TR VO V TNG TR RA CA FET - Ging nh BJT, ngi ta cng dựng hiu ng Early nh ngha tng tr ca FET ( vựng bo hũa, VDS tng, dũng in ID cng...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... thẳng với đặc tuyến ngõ với VGS = -VGG = -1V điểm tĩnh điều hành Q Trang 112 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VIII FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU ... nghĩa thay đổi vDS(t) ngược chiều với thay đổi dòng iD(t) tức ngược chiều với thay đổi hiệu ngõ vào vGS(t), người ta bảo điện ngõ ngược pha - lệch pha 180o so với điện tín hiệu ngõ vào Người ta định ... -VGG = -1V Hình 36 C1 C2 tụ liên lạc, chọn cho có dung kháng nhỏ tần số tín hiệu xem nối tắt tần số tín hiệu Nguồn tín hiệu vs(t) chồng lên điện phân cực VGS nên điện cổng nguồn vGS(t) thời điểm...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... ký hiệu diễn tả hình vẽ sau đây: Trang 107 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 n+ S Ký hiệu n+ D Thân p- Thân nối với ... S Thân U Hình 29 D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 p+ S Ký hiệu p+ D Thân n- Thân nối với nguồn G E-MOSFET kênh P S Thân U Hình 30 Trang 108 Biên soạn: Trương Văn Tám .Giáo ... Hình 28 Như vậy, hoạt động, DE-MOSFET giống hệt JFET có tổng trở vào lớn dòng rỉ IGSS nhỏ nhiều so với JFET VI MOSFET LOẠI TĂNG (ENHANCEMENT MOSFET: E-MOSFET) MOSFET loại tăng có hai loại: E-MOSFET...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... Kênh n- S Ký hiệu n+ D Thân p- Thân nối với nguồn G DE-MOSFET kênh N S Hình 23 D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 p+ Kênh p- S Ký hiệu p+ D Thân n- Thân nối với nguồn G DE-MOSFET ... thông thường, thân U nối với nguồn S Để DE-MOSFET hoạt động, người ta áp nguồn điện VDD vào cực thoát cực nguồn (cực dương nguồn điện nối với cực thoát D cực âm nối với cực nguồn S DE-MOSFET ... (Tối đa 0,2V) + + VGG - D G + VGS - VGG S VDS + VDD Hình 22 Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với đèn chân không Để tăng tổng trở vào, người ta tạo loại transistor trường khác cho cực cổng cách...

Ngày tải lên: 22/07/2014, 02:21

... Kênh n- S Ký hiệu n+ D Thân p- Thân nối với nguồn G DE-MOSFET kênh N S Hình 23 D Nguồn S Cổng G Thoát D Tiếp xúc kim loại Thân U G SiO2 p+ Kênh p- S Ký hiệu p+ D Thân n- Thân nối với nguồn G DE-MOSFET ... thông thường, thân U nối với nguồn S Để DE-MOSFET hoạt động, người ta áp nguồn điện VDD vào cực thoát cực nguồn (cực dương nguồn điện nối với cực thoát D cực âm nối với cực nguồn S DE-MOSFET ... (Tối đa 0,2V) + + VGG - D G + VGS - VGG S VDS + VDD Hình 22 Tuy JFET có tổng trở vào lớn nhỏ so với đèn chân không Để tăng tổng trở vào, người ta tạo loại transistor trường khác cho cực cổng cách...

Ngày tải lên: 23/07/2014, 03:21

... Kiện Điện Tử Chú ý giới hạn có tính cách tương đối Sự khác tần số lại dẫn đến khác biệt quan trọng lượng xạ Năng lượng xạ tỉ lệ với tần số theo công thức: E=h.f với h: số planck = 6,624.10-34J.sec ... tần số bước sóng liên hệ hệ thức λ = c f Trong c vận tốc ánh sáng = 3.108m/s f tần số tính Hz Bước sóng λ tính m Ngoài người ta thường dùng ước số: µm = 10-6m ; nm = 10-9m Amstron = Å = 10‐10m ... Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Chú ý mạch dùng PUT, ngõ xả tụ điện anod Tín hiệu sử dụng thường lấy catod (và dùng kích SCR UJT) VG VK = ηVBB t VK VK = VP-VV t Hình 34 Trang...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... Cả VV IV tăng VBB - Điện cực phát bảo hòa VEsat: hiệu điện cực phát E cực B1 đo IE=10mA hay VBB 10V Trị số thông thường VEsat volt (lớn nhiều so với diod thường) Ổn định nhiệt cho đỉnh: Điện đỉnh ... vài trăm ohm) B2 nguồn VBB Ngoài người ta mắc điện trở nhỏ R1 khoảng vài trăm ohm cực B1 để lấy tín hiệu Trang 143 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử R2 B2 E VBB B1 R1 Hình 28 ... Như tên gọi, PUT giống UJT có đặc tính thay đổi Tuy cấu tạo, PUT khác hẳn UJT Anod A Anod A P N IA G Cổng G Cổng K Catod Cấu tạo R B2 R VAK P N A VAA K Catod Ký hiệu K VGK R B1 Phân cực Hình 31...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... tạo ký hiệu mô tả sau: Anod A Anod A P N G Cổng G Cổng P N K Catod Ký hiệu K Catod Hình 21 Trang 138 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Tuy có ký hiệu khác với SCR SCS tính ... (BJT) gọi Transistor lưỡng cực có hai nối PN lúc UJT có độc nối P-N Tuy không thông dụng BJT, UJT có số đặc tính đặc biệt nên thời giữ vai trò quan trọng mạch tạo dạng sóng định Cấu tạo đặc tính ... nằm cách vùng B1 khoảng 70% so với chiều dài hai cực B1, B2 Dây nhôm đóng vai trò cực phát E Hình sau trình bày cách áp dụng điện chiều vào cực UJT để khảo sát đặc tính Mạch tương đương UJT IE...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... nhạy nhất, cách (2) cách (4) Do tính chất dẫn điện hai chiều, Triac dùng mạng điện xoay chiều thuận lợi SCR Thí dụ sau cho thấy ứng dụng Triac mạng điện xoay chiều 220V/50Hz + VL Tải Triac dẫn ... hai chiều Hình sau cho thấy cấu tạo, mô hình tương đương cấu tạo Triac Trang 133 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử Như vậy, ta thấy Triac gồm SCR PNPN dẫn điện theo chiều ... Triac gồm SCR PNPN dẫn điện theo chiều từ xuống dưới, kích dòng cổng dương SCR NPNP dẫn điện theo chiều từ lên kích dòng cổng âm Hai cực lại gọi hai đầu cuối (main terminal) - Do đầu T2 dương đầu...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... vùng dễ bị hư hỏng Khả chịu đựng di/dt tùy thuộc vào SCR SCR hoạt động điện xoay chiều Khi SCR hoạt động điện xoay chiều tần số thấp (thí dụ 50Hz 60Hz) vấn đề tắt SCR giải dễ dàng Khi xung kích ... điện chiều VAA vào SCR hình sau dòng điện nhỏ IG kích vào cực cổng G làm nối PN cực cổng G catot K dẫn phát khởi dòng điện anod IA qua SCR lớn nhiều Nếu ta đổi chiều nguồn VAA (cực dương nối với ... vào cực cổng IA A IG RG G Cổng (Gate) P N VAK P N RA K VGG VAA Hình Ta thấy SCR coi tương đương với hai transistor PNP NPN liên kết qua ngõ thu Khi có dòng điện nhỏ IG kích vào cực Transistor...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... ta thấy tín hiệu ngõ vào ngõ ngược pha (lệnh pha 180o) XIII MOSFET CÔNG SUẤT: V-MOS VÀ D-MOS Các transistor trường ứng (JFET MOSFET) mà ta khảo sát thích hợp cho mạch có biên độ tín hiệu nhỏ ... trình Linh Kiện Điện Tử Bài tập cuối chương Tính VD, điện dẫn truyền gm mạch: +12V RD 5K VD IDSS = 4mA VGS(off) = -4V RG 1M 1K RE Trong mạch điện sau, tính điện phân cực VD điện dẫn truyền gm +12V ... trung tần, dao động… năm 1976, người ta phát minh loại transistor trường có công suất vừa, đến lớn với khả dòng thoát đến vài chục ampere công suất lên đến vài chục Watt V-MOS: Thật loại E-MOSFET...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... vgs gmvgs r0 D vds S Hỡnh 41 IX IN DN TRUYN (TRANSCONDUCTANCE) CA JFET V DEMOSFET Cng tng t nh BJT, mt cỏch tng quỏt ngi ta nh ngha in dn truyn ca FET l t s: g m = i d (t) v gs ( t ) in dn truyn ... D2 I D1 ] dc ti Q l gm1 VGS(th) VGS (volt) Hỡnh 43 XI TNG TR VO V TNG TR RA CA FET - Ging nh BJT, ngi ta cng dựng hiu ng Early nh ngha tng tr ca FET ( vựng bo hũa, VDS tng, dũng in ID cng...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22

... thẳng với đặc tuyến ngõ với VGS = -VGG = -1V điểm tĩnh điều hành Q Trang 112 Biên soạn: Trương Văn Tám Giáo trình Linh Kiện Điện Tử VIII FET VỚI TÍN HIỆU XOAY CHIỀU VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG VỚI TÍN HIỆU ... nghĩa thay đổi vDS(t) ngược chiều với thay đổi dòng iD(t) tức ngược chiều với thay đổi hiệu ngõ vào vGS(t), người ta bảo điện ngõ ngược pha - lệch pha 180o so với điện tín hiệu ngõ vào Người ta định ... -VGG = -1V Hình 36 C1 C2 tụ liên lạc, chọn cho có dung kháng nhỏ tần số tín hiệu xem nối tắt tần số tín hiệu Nguồn tín hiệu vs(t) chồng lên điện phân cực VGS nên điện cổng nguồn vGS(t) thời điểm...

Ngày tải lên: 25/07/2014, 09:22