4 1 bipolar junction transistor bjt structure

... = 45 A IB = 30A IB = 15 A 50 IB= A VCE (v) Chương 4: Transistor mối nối lưỡng cực Hình 4. 10 Họ đặc tuyến ngõ BJT 4. 6 Hình dạng C 828 H 10 61 Hình 4. 11 Hình dạng loại transistor 4. 7 Phân cực BJT ... điều kiện: 1 VCC) 10 VE(  +VCC 12 Vẽ mạch tương đượng mạch sau: RB1 RC C2 VO C1 Vi Hình 12 RB2 RE 13 Vẽ mạch tương đương mạch sau: +VCC RB1 RC C2 C1 RS RB2 RE VS 63 Hình 13 Chương 4: Transistor ... Transistor mối nối lưỡng cực 14 Vẽ mạch tương đương mạch sau: +V C C RC RB1 C2 C1 RL CB RS RE RB2 VS Hình 14 15 Vẽ mạch tương đương mạch sau: + VCC Hình 15 RB1 RC C1 C2 RS RB2 VS 64 RE RL ...

Ngày tải lên: 19/09/2013, 17:03

... BJT • BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor mối nối (hay tiếp xúc) • Lưỡng cực: dòng điện tạo hạt dẫn điện tử (-) lỗ (+) • BJT phát minh vào năm 1 948 Bardeen, Brattain Shockley • BJT ... emitter towards base My pneumonic: Points IN Bipolar junction transistor (BJT) • The BJT is a “Si sandwich” Pnπ (P=p+,π=p-) or Npν (N=n+, ν=n-) • BJT action: npn Forward Active when VBE > and ... signal 6-7 Xấp xỉ transistor Hình 6 -13 Xấp xỉ BJT: (a) Dụng cụ gốc; (b) Xấp xỉ lý tưởng; (c) Xấp xỉ bậc 6-8 Đọc bảng liệu • BJT có công suất tiêu tán PD: < W  BJT tín hiệu nhỏ > W  BJT công suất...

Ngày tải lên: 30/05/2015, 11:45

... VEE = 1VVCC: 10 V12V14V+RE = 10 0?Hình 24RC = 2K?ICIC (mA)76 543 21 246 810 12 14 0 IE =3 (mA)VCBQ1Q1Q2VCC = 14 VVCC = 12 VVCC = 10 V Ảnh hưởng IE lên điểm điều hành: Hình 25IC (mA)76 543 21 246 810 12 14 0 IE =3 ... = 3mAQ 246 810 12VOCHình 22876 543 217 ,5V = 8mA * Khi RC = K? (RC tăng) IC # IE =3mA VCB = VCC - RC.IC = 12 - 3x3 = 3V ISH = VCC RC = 12 = 4mA VCB(Volt)0IC (mA)IE = 3mAQ 246 810 12VOCHình 2 343 21 Như vậy, ... = 1VVCC = 12 VIE = 3mAICRE = 10 0?Hình 20RC Ta có: IE = VEE − VBE RE = − 1, 7 0 ,1 * Khi RC = K?, IC = − VCB(Volt)0IC 3= − VCB + 12 = 3mA ≈ IC VCB RC + (mA)IE VCC RC = 3mAQ 246 810 12VOCHình 216 543 21...

Ngày tải lên: 31/12/2015, 17:09

... 4. Độ lợi (độ khuếch đại) dòng • Tại điểm tĩnh điều hành QA ta có: IC  IB 3 3,8mA 3, 810    95 QA 40  A 40 10 6 • Tại điểm tĩnh điều hành QB, ta có: IC  IB 4, 2mA 4, 210 3   10 5 6 QB 40 A ... QA 40  A 40 10 6 • Tại điểm tĩnh điều hành QB, ta có: IC  IB 4, 2mA 4, 210 3   10 5 6 QB 40 A 40 10 Đường thẳng tải tĩnh ( DCLL) • Phương trình đường thẳng tãi tĩnh : Từ ( 5) viết lại: IC = ( ... RC Q RB IB + VBB IC VBE VCE Tính trị số điểm Q: VBB = RB IB + VBE (1) IB = ( VBB- VBE) / RB (2) IC =  IB (3) VCC = RCIC + VCE (4)  VCE = VCC- RCIC (6) + VCC ...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

... động Bảo hoà nghịch ( ( On Reverse Saturation active) ) kiểu hoạt động BJT 1. Cả nối EB CB phân cực nghịch : Do nối ngưng dẫn  BJT ngưng dẫn Eex Eex (off) n p n Ei Ei vùng rộng VEE VCC 2.Cả nối EB ... I Cấu tạo • Gồm nối tiếp xúc ghép xen kẽ • Có loại Transistor nối: npn pnp (h 1) • C C n • • C p B B C B B • p n • n p • E loại npn E E loại pnp E Sự phân bố điện ... CB phân cực thuận: Do nối dẫn hạt tải chạy vào vùng nền.Mà vùng hẹp nên bị tràn ngập hạt tải  BJT dẫn bão hòa(On) • Eex Eex Ei • vùng hẹp VEE VCC ...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

... Characteristics of Bipolar Junction Transistor CHAPTER 2: CHARACTERISTICS OF BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR 2 .1 BJT CONSTRUCTION AND SYMBOLS The bipolar junction transistor (BJT) is a three-element ... de Loire Program I EQ  1 RB VBEQ  I EQ RE p.36 CHAPTER 2: Characteristics of Bipolar Junction Transistor I EQ   1 ICQ  ICQ  ICQ  I EQ  VBB VBEQ RB /    1  RE If component values ... CHAPTER 2: Characteristics of Bipolar Junction Transistor Fig 2-2 Common-emitter characteristics (npn, Si device) 2.3 CURRENT RELATIONSHIPS The two pn junctions of the BJT can be independently biased,...

Ngày tải lên: 12/05/2014, 23:16

... Q I C  I C1  I B  I B1    mA  10 0   40  20   A Q - Độ lợi VCE VCE2 VCE1 6 12   200 Av  VBE Q VBE2 VBE1 Q 0,680,65 Phân giải đồ thị iC ( mA) iB (uA) IB= 60uA 40 40 60 ic ICQ ... động ( AC) chương • Độ lợi dòng • Theo hình ta có: • IC = mA IB = 40  A • Tính độ lợi dòng : I CQ 4mA    10 0 I BQ 4 A o Transistor có tính khuếch đại dòng o Độ lợi dòng tính nhanh từ đồ ... Vai trò đường thẳng tải tĩnh • Phân giải mạch Transistor • Xác định điểm tĩnh điều hành Q • Cho biết trạng thái hoạt động cũa transistor ( tác động, bão hồ, ngưng) • Mạch khuếch đại...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

... Chú ý :Transistor gọi là: linh kiện điều khiển băng dòng điện linh kiện điều khiển hạt tải thiểu số TRANSISTOR chử viết tắt từ TRANSfert resISTOR (Điện trở chuyển ) 4. Đối với transistor loại ... cách lý luận hoạt động giống transistor npn thay đttd lổ trống, nên chiều dòng điện ngược lại III.Các cách ráp Đặc tuyến V-I • Có cách ráp (xác định từ ngõ vào ngõ mạch transistor) : CB, CE, CC ... ráp CE • Gồm có dặc tuyến thông dụng sau: a Đặc tuyến vào IB = f ( VBE) VCE = Cte IB( mA) VCE= 1V 2V Q 0,7 VBE ( V) ...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

... CE) ta chuyển đổi thành dạng sau cách viết lại thành:  IC  I B 1  I CO  I B   1 I CO 1  • Với:   ;  1 1  1  (5) ... phát InC InE Thay vào (3) cho: Ic =  IE + ICO = IE + ICBO (4) InC IE • Hệ số truyền dòng điện bé  1 0 ,95  , 9998  cơng thức (4) thường sử dụng cách ráp cực chung ( CB) • Trong trường hợp ... 1. Trong phần khảo sát transistor hoạt động khuếch đại ta xét đến kiểu tác động (BE phân cực thuận, CB phân cực nghịch) 2.Phần hoạt động giao hốn xét đến sau 3.Biểu thức dòng điện BJT • Theo định luật...

Ngày tải lên: 26/07/2014, 20:21

... find the emitter current  1 I E = I C + I B = I C  1 +  β  Summary of BJT Currents IC IB VBE = I S exp VT VBE = I S exp β VT β +1 VBE IE = I S exp β VT β α≡ β +1 decreases ... concentration at the edges of the collector -junction depletion region are ~0 The B-E junction is forward-biased so electrons from the emitter are injected across the B-E junction into the base These injected ... + BJT Design • Important features of a well-designed BJT (large β ): – Injected minority carriers not recombine in the quasi-neutral...

Ngày tải lên: 07/04/2016, 08:21

... gặp điểm VA gọi điện áp Early (cỡ 50V đến 10 0V) 17 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường 18 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường Đặc tính iC-vCE 19 Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường Miền ... không dây Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường Cấu trúc đơn giản BJT kiểu npn Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường Cấu trúc đơn giản BJT kiểu pnp Transistor lưỡng cực Nguyễn Quốc Cường • BJT thiết ... Giới thiệu • BJT phát minh vào năm 1 948 Bell Telephone Lab • MOSFET biết đến trước BJT nhiên sử dụng nhiều công nghệ chế tạo IC từ năm 19 80s • BJT ngày sử dụng – – • chế linh...

Ngày tải lên: 05/07/2016, 19:05

... beta: IB = IC /  = 2A / 10 0 = 20 mA Find base-drive power assuming VBE = 0.7 Volts: P = V  I = 0.7V  02A = 14 mW Power gain (AP) = PLOAD / PBASE: AP = 10 0W / 014 W = 7 14 3 Transistor Data: Stress ... = 40 mA / 50 = 0.8 mA For reliability, over-drive the base by a factor of 2: Actual IB =  calculated IB =  0.8mA = 1. 6 mA Calculate base resistor: RB = 12 V / 1. 6mA = 7.5 k Power Gain of a Transistor ... OBJECTIVES Describe and Analyze: • Transistor architecture • Transistor characteristics • Transistors as switches • Transistor biasing • Transistor amplifiers • Troubleshooting techniques...

Ngày tải lên: 08/08/2014, 16:22

... 4. 1 Tốc độ sinh khí CH4 - Lượng COD bò tiêu thụ qt khử SO42Nếu sử dụng CH3OH chất cho electron 11 9 SO42- + 16 7CH3OH + 10 CO2 + 3NH4+ + 3HCO3- + 17 8H+ = 3C5H7O2N + 60HS- + 331H2O 0,89 gCOD/gSO42Nếu ... lượng thu từ CH4 KLR CH4 35oC = 0,6 346 g/L KLR CH4 30oC 273 + 35 = 0,6 346 g/L x = 0, 645 1 g/L 273 + 30 Năng lượng sinh từ CH4 = 720.000 L/ngđ x 0, 645 1 g/L x 50 ,1 kJ/g CH4 = 23,3 x 10 6 kF/ngđ Khoa ... 200 gSO42-/m3 x 0,67 gCOD/gSO42CODSulfate removal = 12 1 g/m3 Khoa CN&QL Môi Trường Đại Học Văn Lang UASB Bài Tập 4. 1 Tốc độ sinh khí CH4 - Lượng COD chuyển hóa thành CH4 CODCH4 = (19 50 – 12 1) g/m3...

Ngày tải lên: 23/09/2012, 19:48

... s -1 Các nhiệt độ giá trị độ nhớt đặc trưng thủy tinh Các giai đoạn Nhiệt độ thủy tinh, 0C Ðộ nhớt, N.s/m2 Cao Thấp Thông thường Làm 15 50 10 00 12 00 – 14 0 0 10 Bắt đầu gia công 13 50 850 10 00 – 11 00 ... 12 00 – 14 0 0 10 Bắt đầu gia công 13 50 850 10 00 – 11 00 10 2 Biến dạng 900 650 700 – 800 4. 10 7 Thiêu kết 750 45 0 550 – 650 10 8 Ủ 650 40 0 580 – 600 10 12 … Độ nhớt định: * Vận tốc trình nấu * Quá trình ... tinh Tỷ trọng (g/cm3) TT silicat kiềm - kiềm thổ 2 ,48 -2,6 trung bình Boro silicat 2, 24- 2 , 41 thấp Silicat chì 2,85-3 ,12 cao Alumo silicat 2 ,47 -2,65 trung bình Các oxit ảnh hưởng đến tỷ trọng thủy...

Ngày tải lên: 04/10/2012, 12:06

... nút cho graph hình 4. 2 trình bày Với: Trang 44 GIẢI TÍCH MẠNG ∑a j =0 i j =0 i = 1, 2, e n 1 -1 e Đ= -1 -1 -1 -1 -1 -1 Các cột ma trận  phụ thuộc tuyến tính Vì hạng  < n 4. 3.2 Ma trận thêm ... ma trận nút Kích thước ma trận e x (n -1) hạng n -1 = b Với: b số nhánh graph Chọn nút làm nút qui chiếu thể graph hình 4. 2 nút e 1 -1 -1 A= -1 -1 1 -1 -1 -1 Ma trận A hình chữ nhật Nếu hàng A xếp ... D E F G e e Vòng hở Vòng 1 ˆ C = B Vòng Nhánh Vòng hở 1 -1 -1 1 -1 -1 = 1 Nhánh bù e e Ub Cb Ut 4. 4 MẠNG ĐIỆN GỐC Thành phần mạng điện tổng trở tổng dẫn trình bày hình 4. 7 Đặc tính thành phần...

Ngày tải lên: 15/10/2012, 15:43

... Ai = = −ag m R  [ ( ω / ω0 ) − ( ω0 / ω ) ]  ii 1 + jQi  where Qi = ω0 RC C = C ′ + a Cb ' Rb ' R = ri || R p || a n1 vb 'e a= =

Ngày tải lên: 16/10/2012, 08:47

... =e + 1= ∂λ 5.λ max T Gii ta cọ: λmax.T = 2,898 .10 -3 m.K (4. 2) (4. 3) 56 E 0λ -6 10 W /m 30 T =12 00K 20 TT =900K =12 00K TT =600K =12 00K 10 λ λm 10 µm Hçnh 4. 1 Hm phán bäú Eoλ theo λ v T 4. 1. 1.2 ... âäúi våïi bỉåïc sọng v våïi nhiãût âäü ca váût C1 E oλ = λ e C2 λT (4. 1) 1 âọ C1, C2 [m.K] - cạc hàòng säú Planck: C1 = 0,3 74. 10 -15 W.m2; C2 = 1 ,43 9 .10 -2 m.K λ, [m] - chiãưu di bỉåïc sọng, T, [K] ... (4. 43) δQ2 = (k1F1 + k2F2 + k3F3) (t - to) dτ Do âọ, phỉång trçnh cán bàòng nhiãût: (4. 44) δQ1 = dU + dIm + dIG + δQ2 hay: ε1DEt Ft sin2 ϕ(τ) dτ = dt ∑miCi + (GCp + ∑ ki Fi) (t - to) dτ (4. 45)...

Ngày tải lên: 29/10/2012, 17:11

Ngày tải lên: 02/11/2012, 14:18

... AUTOEXEC.BAT BKED EXE VIDU2 DOC CONGVAN1.TXT Tªn FILE 54, 619 40 4 9 94 1 24, 602 216 ,7 34 17 ,353 02 -13 - 94 03-29-95 05-07-95 05 -16 -95 04- 16 -97 02 -12 -96 6:21a 6:29p 2 :17 p 7 :49 a 4: 56p 2:50p KÝch th­íc (byte) ... 4. 1 Các khái niệm 4. 2  Desktop thao tác 4. 3  Cửa sổ thao tác 4. 4  Hộp thoại thao tác 4. 5  Menu thao tác 4. 6  Folder thao tác 4. 7  Short cut thao tác 4. 8  MyComputer 4. 9  Windows Explorer 4. 10  Control ... inch 1 /4 360 KB vµ 1. 2 MB §Üa 3,5 inch 720 KB vµ 1 .4 MB §Üa cøng (Hard disk) • §ãng kÝn hép, cã nhiỊu tÇng ®Üa, nhiỊu ®Çu tõ • 19 80: 10    20 MB • 19 90: 40  MB • 19 95: 200 MB • 19 96: 1 GB • 19 97: tõ...

Ngày tải lên: 13/11/2012, 11:38

Ngày tải lên: 14/11/2012, 16:09