(Luận văn thạc sĩ) nghịch lưu ba pha ba bậc hình t chịu lõi

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ PHẠM GIA TRÍ NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T CHỊU LỖI NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 60520203 SKC006119 Tp Hồ Chí Minh, tháng 04/2019 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ PHẠM GIA TRÍ NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T CHỊU LỖI NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ - 60520203 Hướng dẫn khoa học: PGS.TS TRẦN THU HÀ Tp Hồ Chí Minh, tháng 04 / 2019 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƯỢC: Họ tên: Phạm Gia Trí Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 06/04/1994 Nơi sinh: Quảng Ngãi Quê quán: Quảng Ngãi Dân tộc: Kinh Tôn giáo: Không Địa thường trú: Đội 5, Nho Lâm, Phổ Hòa, Đức Phổ, Quảng Ngãi Điện thoại: 0378437919 E-mail: giatrispkt@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Đại học: Hệ đào tạo: Đại học quy Thời gian đào tạo từ 09/2012 đến 09/2016 Nơi học (trường, thành phố): Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM Ngành học: CNKT Điện Tử - Truyền Thông Tên đồ án tốt nghiệp: Xe tự động di chuyển dựa vào vật mốc dùng xử lý ảnh Ngày nơi bảo vệ đồ án tốt nghiêp: 07/2016 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM Người hướng dẫn: PGS.TS Nguyễn Thanh Hải III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUYÊN MÔN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian 02-2017 đến i LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LỜI CAM ĐOAN Tơi cam đoan cơng trình nghiên cứu Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa cơng bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày 30 tháng 03 năm 2019 (Ký tên ghi rõ họ tên) Phạm Gia Trí ii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP LỜI CẢM TẠ Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến PGS.TS Trần Thu Hà ThS Đỗ Đức Trí tận tình hướng dẫn thời gian thực luận văn Xin chân thành gửi lời cảm ơn đến tồn thể q thầy cô trường Đại học Sư Phạm Kỹ Thuật TP Hồ Chí Minh giảng dạy, hướng dẫn tạo điều kiện, môi trường học tập tốt cho Xin cảm ơn môn sở Kỹ thuật điện Khoa Điện – Điện tử Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh, thầy Đỗ Đức Trí hỗ trợ phịng thí nghiệm Điện tử cơng suất nâng cao D405 suốt thời gian thực luận văn Xin kính chúc sức khỏe chân thành cảm ơn Học viên Phạm Gia Trí iii LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP TĨM TẮT LUẬN VĂN Các nghịch lưu cơng suất đóng vai trị ngày quan trọng lĩnh vực cơng nghiệp hộ gia đình Việc nâng cao chất lượng nguồn cung cấp nhiệm vụ quan trọng lĩnh vực điện tử công suất Hiện nay, có nhiều loại cấu hình nghịch lưu hiệu suất cao Nhưng tồn số nhược điểm như: Điện áp ngõ nhỏ điện áp DC nguồn cấp; Các khóa bán dẫn khơng phép dẫn đồng thời (trùng dẫn); Chưa thiết kế, trang bị dự phịng nên có cố xảy tồn hệ thống bị trì trệ, gián đoạn Bộ nghịch lưu ba pha, ba bậc hình T dạng cải tiến mơ hình nghịch lưu NPC truyền thống sử dụng diode kẹp với số khóa bán dẫn, nhiên không sử dụng diode nên hiệu kinh tế tăng lên, kích thước mạch giảm xuống Đồng thời, thiết kế có khả phát hiện, xử lý lỗi giúp cho mạch hoạt động điều kiện lỗi hở mạch Việc kết hợp nghịch lưu hình T với tăng áp Quasi switch boost (qSBT I) giải vấn đề mà nghịch lưu truyền thống gặp phải – điện áp ngõ lớn điện áp ngõ vào mà không cần thông qua tăng áp DC – DC, điện áp ngõ điều khiển thông qua số ngắn mạch Các kết lý thuyết kiểm chứng phần mềm PSIM thực nghiệm mơ hình điều khiển kit DSP TMS320F28335 với FPGA Cyclone II EP2C5T144 Bài nghiên cứu trình bày gồm chương: Chương 1: Trình bày tổng quan tình hình nghiên cứu nghịch lưu, ưu khuyết điểm ba nghịch lưu truyền thống NPC, Flying capacitor, Cascade multilevel, mục tiêu, phạm vi, phương pháp nghiên cứu ứng dụng đề tài Chương 2: Giới thiệu cấu hình nghịch lưu, mạch Quasi switch boost, vấn đề lỗi cấu hình nghịch lưu quy trình xử lý lỗi Chương 3: Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T chịu lỗi đề xuất Chương 4: Kết mô thực nghiệm nghịch lưu đề xuất Chương 5: Ưu điểm, hạn chế hướng phát triển đề tài iv LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ABSTRACT Multilevel inverters play an increasingly important role in industry as well as in household sector Improving the quality of supplies is always an important task in the field of power electronics Currently, there are many types of high-performance inverter configurations But there are still some disadvantages such as: The output voltage is always smaller than the supply DC voltage; Semiconductor switchs are not allowed to lead at the same time (overlapping); Not designed, equipped with backup, so when an incident occurs, the whole system is stagnant and interrupted The three-phase T-type inverter is an improved form of the traditional NPC inverter model using clamping diode with the same number of semiconductors, but it does not use diodes so it is more effective, the size of the circuit decreased At the same time, the system is designed to be able to detect and handle errors, making the circuit work under conditions of open-circuit fault The combination of the T-type inverter with the Quasi switch boost (qSBT I) will solve the problem that traditional inverter encounters - the output voltage is greater than the input voltage without the DC - DC booster, output voltage is controlled via short circuit coefficient The theoretical results will be verified on PSIM software and experimented on the model controlled by kit TMS320F28335 with FPGA Cyclone II EP2C5T144 The paper is presented in chapters: Chapter 1: Overview of inverter researc, the advantages and disadvantages of three traditional inverters are NPC, Flying capacitor, Cascade multilevel inverter, objectives, scope, research methods and applications of topic Chapter 2: Introducing the inverter configurations, Quasi switch boost circuit, error problems on the inverter configuration and error handling process Chapter 3: The three-phase T-type inverter capacities with fault tolerance Chapter 4: Simulation results and experiment of proposed inverter Chapter 5: Advantages, limitations and the development direction of the topic v LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC i LỜI CAM ĐOAN ii LỜI CẢM TẠ iii TÓM TẮT LUẬN VĂN iv MỤC LỤC vi DANH SÁCH CÁC BẢNG ix DANH SÁCH CÁC HÌNH x DANH SÁCH CÁC KÝ HIỆU, CÁC CHỮ VIẾT TẮT xiv Chương TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan lĩnh vực nghiên cứu 1.2 Mục tiêu đề tài 1.3 Nhiệm vụ giới hạn đề tài 1.4 Phương pháp nghiên cứu 1.5 Điểm đề tài 1.6 Phạm vi ứng dụng Chương CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2.1 Lý thuyết nghịch lưu 2.1.1 Khái niệm 2.1.2 Bộ nghịch lưu áp 2.1.3 Một số cấu trúc nghịch lưu ba bậc thông dụng 2.1.3.1 Nghịch lưu diode kẹp (NPC – Neural Point Clamped) 2.1.3.2 Nghịch lưu tụ kẹp (Flying capitor inverter) vi LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP 2.1.3.3 Nghịch lưu Cascade 2.1.4 Nghịch lưu ba pha ba bậc hình T (T type NPC Inverter) 2.1.4.1 Cấu hình 2.4.1.2 Nguyên lý hoạt động 2.2 10 Nghịch lưu tăng áp nghịch lưu Quasi switch boost 11 2.2.1 Nghịch lưu truyền thống kết hợp tăng áp 2.2.2 Nghịch lưu Quasi switch boost (qSBI) 11 11 2.3 Một số lỗi xảy bán dẫn cấu hình nghịch lưu 14 2.4 Lỗi hở mạch không cho phép lỗi dung sai 15 2.5 Quy trình xử lý lỗi 15 2.5.1 Phát lỗi 15 2.5.2 Cô lập linh kiện lỗi 16 2.5.3 Xử lý lỗi giải thuật điều khiển 16 Chương KHẢO SÁT BỘ NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T TĂNG ÁP QUASI SWITCH BOOST CHỊU LỖI 17 3.1 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T tăng áp Quasi switch boost (qSBT I) chịu lỗi 17 3.2 Lưu đồ trình hoạt động nghịch lưu 18 3.2.1 Lưu đồ hoạt động nghịch lưu 3.2.2 Khi mạch nghịch lưu hoạt động bình thường 3.2.2.1 Nguyên lý hoạt động 18 19 19 3.2.2.2 Giải thuật điều chế độ rộng xung (PWM) cho nghịch lưu 22 3.2.3 Khi mạch nghịch lưu xảy lỗi 24 3.2.3.1 Phương pháp nhận biết lỗi25 3.2.3.2 Nguyên lý hoạt động mạch chịu lỗi 26 3.2.3.3 Giải thuật điều chế độ rộng xung (PWM) mạch chịu lỗi 26 Chương MÔ PHỎNG VÀ THỰC NGHIỆM 30 vii mạch Trong trạng thái ngắn mạch, điện áp qua tải xác định tương tự trạng thái Zero Khoảng thời gian ngắn mạch DT Điện áp cuộn dây L xác định theo Hình 3(c) sau: L Tương tự, dòng điện qua tụ C1 C2 xác định: =i i C1 C2 Áp dụng định luật cân điện áp cuộn dây trạng thái ổn định từ phương trình (1) (4) sau: (Vg − V C1 + (Vg + V C1 Điện áp tụ xác định sau: V C1 Điện áp DC - link (VPN) sau: V PN (3) Với M số điều chế, D tỷ số ngắn khóa dự phịng Đối với nghịch lưu đề xuất, lỗi hở mạch hai (S1x, S4x) (x = a, b, c) hai Hình giải việc thay đổi giải thuật điều khiển P P =M V m Hệ số tăng áp “B” nghịch lưu xác định: B= =L V Điện áp pha đỉnh ngõ xác định: Từ cơng thức (9) thấy điện áp đỉnh ngõ AC phụ thuộc vào hệ số M D theo giá trị nguồn vào Vg Chú ý rằng, tỉ số ngắn mạch D phải nhỏ 0.5, việc chọn M D tùy vào ứng dụng 2.2 Khi mạch hoạt động sau lỗi Bộ nghịch lưu nguồn áp thông thường phải đối mặt với hai loại lỗi bán dẫn nhánh nghịch lưu pha lỗi ngắn mạch lỗi hở mạch Lỗi ngắn mạch xảy hai công tắc nhánh nghịch lưu vơ tình kích dẫn, kết làm ngắn mạch nguồn áp đầu vào Vì vậy, mạch delay mạch bảo vệ sử dụng để tránh chồng chéo tín hiệu cực cổng khóa bán dẫn, trễ tín hiệu cực cổng làm cho điện áp ngõ bị méo Đối với mạch nghịch lưu đề xuất vốn có khả chống lại lỗi ngắn mạch xuất mạch trở kháng ngõ vào nhánh nghịch lưu Trong nghịch lưu nguồn áp thông thường, lỗi hở mạch thường giải M D định V ref _ a V P ref _ b + V C1 - ref _ c S D2 3a G 3.2 Khi mạch hoạt động sau lỗi S D3 2a + - N (a) N (b) N Trong đó, M hệ số điều chế f tần số ngõ C2 (c) Hình Phần nhánh nghịch lưu pha A bị lỗi (a) S1a hở mạch, (b) S4a hở mạch, (c) S1a S4a hở mạch Đối với lỗi hở mạch hai khóa S1a, S4a hai giải thuật điều khiển giống cho ba trường hợp Khi xảy lỗi hở mạch hai khóa S1a, S4a hai, mạch hoạt động theo ba trạng thái hoạt động bình thường: tích cực (khơng ngắn mạch), ngắn mạch Zero Tuy nhiên, chịu lỗi xung điều khiển PWM ba nhánh nghịch lưu cần có thay đổi để đảm bảo điện áp dây ngõ cân trình bày phần ĐIỀU KHIỂN PWM CỦA BỘ qSBT I 3.1 Khi mạch hoạt động bình thường Hình trình bày phương pháp điều khiển PWM cho khóa pha A mạch nghịch lưu, thành phần VST số điện áp điều khiển ngắn mạch cho khóa S1, S2 Ở điều kiện bình thường, tín hiệu điều chế pha sử dụng cặp điện áp tham chiếu Vref_x -Vref_x (x = a, b, c), cặp điện áp lệch 1800 theo công thức (11) VST vref_a -VST Vcar S1a S2a, S3a S4a VAG VC Pha A kết nối trung tính nguồn G Hoạt động Hoạt động bình thường chịu lỗi Hình Dạng xung PWM nhánh nghịch lưu pha A điện áp cực VAG khóa S1a hở mạch Xét Hình lỗi hở mạch khóa S1a nhánh nghịch lưu pha A Trước thời điểm xảy lỗi, điện áp cực VAG có ba mức điện áp: +VC, 0, -VC Sau phát lỗi hở mạch, khóa S1a, S4a ngắt xung hồn tồn khóa S2a, S3a kích dẫn hoàn toàn, làm cho pha A kết nối liên tục với điểm trung tính nguồn G, dẫn đến điện áp cực VAG mức điện áp V Đối với khóa cơng suất hai nhánh nghịch lưu bình thường cịn lại (pha B, C) xung điều khiển cần phải có thay đổi Từ Hình 6(a), điện áp ba pha ngõ có cơng thức (12) Va = Vm sin f 0t S1,S2 V Hình Tín hiệu điều khiển PWM cho khóa cơng suất pha A qSBT2I Tín hiệu ngắn mạch (S1, S2) tạo cách so sánh số (VST, -VST) với sóng mang tần số cao Vcar Tín hiệu điều khiển cho khóa S1a, S2a, S3a, S4a tạo cách so sánh điện áp tham chiếu Vref_a -Vref_a kết hợp số điện áp ngắn mạch VST, -VST với sóng mang Vcar Hình Phương pháp điều khiển tương tự cho pha lại Biên độ điện áp tham chiếu Vref_a số VST giá trị b V c =V m =V m Tương ứng, điện áp dây ngõ có cơng thức (13) Từ cơng thức (13) (16) thấy biên độ điện áp dây sau lỗi bị giảm V ab =V −V V V bc ca c (13) điện áp so với lúc mạch hoạt động bình thường, cần chọn lại thông số M D dựa công thức (3) (9) lúc mạch hoạt động bình thường [10] Để bù lại biên độ V c V ca V 1200 120 bc 120 ab V V b (a) (14) V +V a − a b −2V V cos( b bc c +V V − 2V V cos( 2 b b c −2V V cos( c ca a + ab thường góc pha B C Từ công thức (14), điều kiện bình lỗi V a (a) = 60 để điện áp dây cân Hình 6(b) Có thể thấy, góc pha điện áp tham chiếu pha B bị giảm góc 30o góc pha điện áp tham chiếu pha C tăng (b) lên góc 30 Như vậy, điện áp tham chiếu ba pha cần thay để sửa lỗi hở mạch trình bày cơng thức (15) V (c) ref _ a ' =0 = M sin(2 f t − V ref _ b ' V = M sin(2 f 0t + ref _ c ' Tương ứng, điện áp dây ngõ chịu lỗi có cơng thức (16) =V V' ab m =V V' bc V 'ca sin(2 f t + sin(2 f m = Vm sin(2 f 0t + ngõ yêu cầu Từ Hình 7(a), phần hình bên trái mạch hoạt động bình thường điện áp cực VAG có đủ ba bậc (87.5 V, V, -87.5 V), đến lỗi hở mạch xảy khóa S2a S3a liên tục kích dẫn pha A kết nối trực tiếp với trung tính nguồn G làm cho điện áp cực VAG ln trì mức V Ở Hình 7(b) với phần hình bên trái điện áp pha VAN mạch hoạt động bình thường, giá trị đo 43 V(rms) phù hợp với lý thuyết phân tích, phần hình bên phải mạch hoạt động chịu lỗi hở mạch điện áp pha giảm bậc biên độ điện áp trì mạch hoạt động bình thường Với Hình 7(c) 7(d) hồn tồn tương tự, phần hình bên trái điện áp dây V AB dòng điện tải IR mạch hoạt động bình thường có giá trị đo tương ứng 75 V(rms) 1.08 A(rms) phù hợp với lý thuyết phân tích, phần hình bên phải mạch hoạt động chịu lỗi hở mạch biên độ điện áp dịng điện trì lúc mạch bình thường Để đảm bảo biên độ điện áp dòng điện xảy lỗi hở mạch M D cần thay đổi tương ứng 0.6 0.4 (a) (b) Hình Kết mơ (a) Điện áp VPN, (b) Điện áp tụ VC Từ Hình 8(a) 8(b), phần hình bên trái dạng sóng điện áp VPN VC mạch hoạt động bình thường, giá trị điện áp đo tương ứng 175 V 87.5 V, mạch hoạt động chịu lỗi tương ứng với phần hình bên phải điện áp VPN VC tương ứng 303 V 151 V, tức tăng lên lần so với lúc bình thường phù hợp với lý thuyết Để tiến hành thực nghiệm, sử dụng điện áp đầu vào Vg = 70 V, cuộn cảm tụ điện chọn giống mô tương ứng với Bảng Tín hiệu PWM tạo cách lập trình FPGA Quartus II (Cyclone II EP2C5T144) DSP Code Composer Studio (TMS32F28335) Để đạt điện áp pha yêu cầu, tỉ số ngắn mạch D hệ số điều chế M chọn giống mô tức 0.3 0.7 mạch hoạt động bình thường hoạt động chịu lỗi 0.4 0.6 [50V/div] (a) [50V/div] (b) [50V/div] (c) [0.5A/div] (d) Hình Kết thực nghiệm qSBT I chịu lỗi (a) Điện áp cực VAG, (b) Điện áp pha VAN, (c) Điện áp dây VAB, (d) Dòng điện tải IR Từ Hình (a), phần hình bên trái điện áp cực VAG mạch hoạt động bình thường có đủ ba bậc (87 V, V, -87 V) phù hợp với mô phỏng, lỗi hở mạch xảy khóa S 2a S3a điều khiển dẫn liên tục làm cho pha A kết nối hồn tồn trung tính nguồn G, dẫn đến điện áp cực VAG ln trì mức V phần hình bên phải Tương tự Hình 9(b), 9(c) 9(d) phần hình bên trái điện áp pha VAN, điện áp dây VAB có đủ bậc dịng điện tải IR mạch hoạt động bình thường, giá trị đo 42.5 V(rms), 74.1 V(rms) 1.05 A(rms) phù hợp với lý thuyết mô phỏng, mạch hoạt động chịu lỗi hở mạch phần hình bên phải có biên độ điện áp dịng điện trì lúc mạch hoạt động bình thường (a) (a) (b) (b) Hình 10 Kết thực nghiệm (a) Điện áp VPN, (b) Điện áp tụ VC Từ Hình 11(a), THD dịng điện tải mạch hoạt động bình thường có giá trị đo 1.92 % mạch hoạt động chịu lỗi hở mạch Hình 11(b), giá trị đo 2.45 %, thỏa mãn tiêu chuẩn chất lượng điện áp (a) KẾT LUẬN (b) Hình 11 Kết thực nghiệm THD dịng điện tải (a) Khi mạch hoạt bình thường, (b) Khi hoạt động chịu lỗi Từ Hình 10(a) 10(b), phần hình bên trái kết thực nghiệm điện áp V PN VC mạch hoạt động bình thường, giá trị điện áp đo tương ứng 175 V 87 V, mạch hoạt động chịu lỗi tương ứng với phần hình bên phải điện áp VPN VC 302 V 150 V, tức tăng lên lúc bình thường Trong báo này, nghịch lưu ba pha ba bậc hình T trình bày có khả tăng điện áp nguồn DC thấp đầu vào để đạt điện áp AC ngõ với ba cấp điện áp định mức mạng trở kháng kết nối linh kiện bao gồm cuộn dây, hai tụ điện, bốn diode hai khóa hoạt động Nó sử dụng nửa số lượng tụ điện, phần tư số lượng cuộn dây mà trì lợi nghịch lưu ba pha ba bậc q-ZS giúp làm giảm kích thước hệ thống Bộ nghịch lưu có khả trì điện áp tải cân thời điểm khóa bán dẫn (S1a, S4a) nhánh nghịch lưu pha A bị lỗi hở mạch xảy cách thay đổi giải thuật điều khiển Bộ nghịch lưu phù hợp với ứng dụng pin nhiên liệu, hệ thống điện mặt trời Giải thuật điều khiển PWM sử dụng cho việc chuyển đổi trình bày Mơ thực phần mềm PSIM phân tích thực nghiệm thực việc xây dựng mơ hình thử nghiệm để kiểm tra cấu hình trình bày LỜI CẢM ƠN Nghiên cứu thực phịng thí nghiệm điện tử cơng suất nâng cao D405 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp.HCM, email: www.hcmute.edu.vn TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Jose Rodriguez, Steffen Bernet and Peter K Steimer, “A Survey on Neutral-Point-Clamped Invertes”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 57, no 7, pp 2219-2230, Jul 2010 [2] Javad Ebrahimi and Hamid Reza Karshenas, “A New Reduced-Component Hybrid Flying Capacitor Multicell Converter”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 64, no 2, pp 912-921, Feb 2017 [3] M Malinowski, K Gopakumar, J Rodriguez and M.A Perez, “A survey on cascaded multilevel inverters”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 57, no 7, pp 21972206, Jul 2010 [4] Javad Ebrahimi and Johann W Kolar, “Design and Implementation of a Highly Efficient Three-Level T-Type Converter for Low Voltage Applications”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 28, no 2, pp 899-907, Feb 2013 [5] Omar Ellabban and Haitham Abu-Rub, “Z-Source Inverter: Topology Improvements Review”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 10, no 1, pp 6-24, Mar 2016 [6]M Ruiz-Cortés, E Romero-Cadaval, C Roncero-Clemente and E GonzálezRomera, “Evaluation of losses in three-level neutral-point-clamped and T-type quasi-Z-source inverters with modified carrier based modulation method”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 24, no 10, pp 638-643, Apr 2017 [7] Pablo Lezana, Josep Pou and Thierry A Meynard, “Survey on Fault Operation on Multilevel Inverters”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 57, no 7, pp 2207-2218, Jul 2018 [8] Đỗ Đức Trí, Nguyễn Minh Khai, Quách Thanh Hải, Nguyễn Trung Hiếu, “Bộ nghịch lưu ba bậc hình T tăng áp dựa chuyển mạch LC”, Hội nghị triển lãm quốc tế điều khiển tự động hóa lần 4, 2017, tr 1-6 [9] Mohsen Aleenejad, Hamid Mahmoudi and Reza Ahmadi, “A Fault-Tolerant Strategy Based on Fundamental Phase-Shift Compensation for Three-Phase Multilevel Converters With QuasiZ-Source Networks With Discontinuous Input Current”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 31, no 11, pp 7480-7488, Nov 2016 [10] Shuai Xu, Jianzhong Zhang and Jun Hang, “Investigation of a Fault-Tolerant Three-Level TType Inverter System”, in IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol 53, no 5, pp 46134623, Sept.-Oct 2017 Tác giả chịu trách nhiệm viết: Họ tên: Phạm Gia Trí Đơn vị: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP.HCM Điện thoại: 0378437919 Email: giatrispkt@gmail.com PHIẾU NHẬN XÉT LUẬN VĂN THẠC SỸ Tên đề tài luận văn thạc sỹ: 1JKӏFKOѭXSKDEұFKuQK7FKӏXOӛL Tên tác Jiả: 3+Ҥ0*,$75Ë Ngành: WKXұWÿLӋQWӱ Định hướng: ӬQJGөQJ Họ tên nJười phản biện: 761JX\ӉQ9 Q7KiL Cơ quDn cônJ tác: KRD LӋQ LӋQWӱ Điện thoại liên hệ: 0902807576 I Ý KIẾN NHẬN XÉT Về hình thức & kết cấu luận văn: +uQKWKӭFYjNӃWFҩXOXұQY QÿҥW\rXFҫXFӫDPӝWFXӕQEiRFiROXұQY QWӕWQJKLӋSWKҥFV Về nội dunJ: 2.1 Nhận xét tính khoa học, rõ ràng, mạch lạc, khúc chiết luận văn 1ӝLGXQJFXӕQEiRFiROXұQY QWӕWQJKLӋSWKҥFV ÿѭӧFWiFJLҧWUuQKEj\U}UjQJNKRDKӑF 2.2 Nhận xét đánh giá việc sử dụng trích dẫn kết NC người khác có qui định hành pháp luật sở hữu trí tuệ 7iFJLҧFyWUtFKGүQKӧSOӋÿӕLYӟLFiFWjLOLӋXQJKLrQFӭXWUѭӟFÿyFӫDFiFWiFJLҧNKiFFyOLrQTXDQÿӃQ QӝL GXQJQJKLrQFӭXFӫDÿӅWjL 2.3 Nhận xét mục tiêu nghiên cứu, phương pháp nghiên cứu sử dụng LVTN 0өFWLrXQJKLrQFӭXFӫDÿӅWjLÿѭӧFWiFJLҧ[iFÿӏQKU}UjQJYjFөWKӇ &iFSKѭѫQJSKiSQJKLrQFӭXWiFJLҧVӱGөQJWURQJÿӅWjLOjKӧSOêNKRDK ӑF 2.4 Nhận xét Tổng quan đề tài 7URQJSKҫQWәQJTXDQFӫDÿӅWjLWiFJLҧÿmWyPWҳWÿѭӧFWѭѫQJÿӕLFiFQJKLrQFӭXNKiFFӫDFiFWiFJLҧN KiF ÿmWKӵFKLӋQWUѭӟFÿy7ӯÿyWiFJLҧ[iFÿӏQKÿѭӧFQӝLGXQJVӁWLӃQKjQKQJKLrQFӭXÿӇJLҧLTX\ӃWEjLWR iQ FөWKӇFӫDÿӅWjLÿӅUD 2.5 Nhận xét đánh giá nội dung & chất lượng LVTN 1ӝLGXQJYjFKҩWOѭӧQJFӫDOXұQY QWӕWQJKLӋSWKҥFV Qj\ÿҥW\rXFҫXÿӫKjPOѭӧQJÿӇEҧRYӋWӕWQJKLӋS WKҥFV 2.6 Nhận xét đánh giá khả ứng dụng, giá trị thực tiễn đề tài &ҫQSKҧLWLӃQKjQKWKӵFQJKLӋPWKrPÿӇWKҩ\ÿѭӧFWtQKNKҧWKLWKӵFWLӉQFӫDVҧQSKҭPFӫDÿ ӅWjL 2.7 Luận văn cần chỉnh sửa, bổ sung nội dung (thiết sót tồn tại): &ҫQWUuQKEj\U}KѫQQӝLGXQJWiFJLҧWLӃQKjQKFiFWKtQJKLӋPWUuQKEj\ÿҫ\ÿӫFҧQKӳQJWUѭӡQJKӧS WӕWYj [ҩXWURQJNӃWTXҧWKӵFQJKLӋP1ӃXOjNӃWTXҧ[ҩXWKuFҫQSKҧLWUuQKEj\QJX\rQQKkIQYuVDRKѭӟQJ NKҳF SKөFWKӃQjRFKRQKӳQJWUѭӡQJKӧSFKҥ\WKӵFQJKLӋPPjFKRUDNӃWTXҧNK{QJWӕW 7URQJSKҫQSKөOөFQrQWUuQKEj\FiFÿRҥQFRGHFKtQKFӫDÿӅWjL II CÁC VẤ0Ề CẦN LÀM RÕ (Các câu hỏi giảng viên phản biện) 13KkQWtFKU}KѫQFiFNӃWTXҧWKӵFQJKLӋP 27UuQKEj\VѫÿӗPҥFKQJKӏFKOѭXPjWiFJLҧWKLӃWNӃVӱGөQJÿӇFKҥ\WKӵFQJKLӋP TT Mục đánh Jiá 7tQKNKRDKӑFU}UjQJPҥFKOҥFNK~FFKLӃWWURQJOXұQY Q iQKJLiYLӋFVӱGөQJKRһFWUtFKGүQNӃWTXҧ1&FӫDQJѭӡLNKiFFy ÿӏQKKLӋQKjQKFӫDSKiSOXұWVӣKӳXWUtWXӋ 0өFWLrXQJKLrQFӭXSKѭѫQJSKiSQJKLrQFӭXVӱGөQJWURQJ/9 7әQJTXDQFӫDÿӅWjL iQKJLiYӅQӝLGXQJ FKҩWOѭӧQJFӫD/971 iQKJLiYӅNKҧQ QJӭQJGөQJJLiWUӏWKӵFWLӉQFӫDÿӅWjL 0žžžžНžžž±ž ž žžžØžžгž0žžžžžž (Giảng viên phản biện ghi rõ ý kiến “Tán thành luận văn” hay “Không tán thành luận văn”) 7iQWKjQKOXұQY Q 73+&0QJj\WKiQJQ P NJười nhận xét ê JKLU}KӑWrQ 761JX\ӉQ9 Q7KiL PHIẾU NHẬN XÉT LUẬN VĂN THẠC SỸ Tên đề tài luận văn thạc sỹ: 1JKӏFKOѭXSKDEұFKuQK7FKӏXOӛL Tên tác Jiả: 3+Ҥ0*,$75Ë Ngành: WKXұWÿLӋQWӱ Định hướng: ӬQJGөQJ Họ tên nJười phản biện: 761JX\ӉQ7KDQK' QJ Cơ quDn cônJ tác: Điện thoại liên hệ: I Ý KIẾN NHẬN XÉT Về hình thức & kết cấu luận văn: /XұQY QJӗPWUDQJYӟLFKѭѫQJWKӇKLӋQÿҫ\ÿӫFiFWKjQKSKҫQNӃWFҩXOXұQY QFDRKӑF Về nội dunJ: 2.1 Nhận xét tính khoa học, rõ ràng, mạch lạc, khúc chiết luận văn ĈӅWjLQJKLrQFӭX[ӱOêOӛLKӣPҥFKFiFNKyDF{QJVXҩWWUrQFҩXKuQKQJKӏFKOѭXEDSKDEDEұFKuQK 7EҵQJ JLҧLWKXұWÿLӅXFKӃNӃWKӧSPҥFK 4XDVL6ZLWFK%RRVWJL~SW QJiSQJ}UDOjQӝLGXQJFKtQKWKӇKLӋQWURQJOXұQY Q*LӟLWKLӋXWәQJTXDQÿѭӧF WiFJLҧWUuQKEj\ӣFKѭѫQJ1FѫVӣOêWKX\ӃWÿѭӧFWUuQKEj\ӣFKѭѫQJ21ӝLGXQJOêWKX\ӃWÿѭӧF WiFJLҧ WKӵFKLӋQNKҧRViWOҥLӣFKѭѫQJ3YjÿӅ[XҩWP{KuQKP{SKӓQJWҥLFKѭѫQJ4TXiWUuQKWKӵFQJKLӋ PF QJ GѭӧFWKӵFKLӋQӣFKѭѫQJ4.ӃWTXҧÿҥWÿѭӧFYjNӃWOXұQWURQJFKѭѫQJ5&iFGDQKPөFEҧQJELӇX F QJ GѭӧFWiFJLҧWUuQKEj\U}UjQJWURQJOXұQY Q 2.2 Nhận xét đánh giá việc sử dụng trích dẫn kết NC người khác có qui định hành pháp luật sở hữu trí tuệ 9LӋFWUtFKGүQNӃWTXҧQJKLrQFӭXÿ~QJTXLÿӏQKKLӋQKjQKWX\QKLrQFҫQWuPKLӇXWKrPOjÿmFyWjLO LӋX WKDPNKҧREҵQJWLӃQJYLӋWQjRYӅQӝLGXQJQj\KD\FKѭD" 2.3 Nhận xét mục tiêu nghiên cứu, phương pháp nghiên cứu sử dụng LVTN 0өFWLrXFӫDÿӅWjLOjU}UjQJWiFJLҧÿmWKӵFKLӋQQJKLrQFӭX[ӱOêOӛLKӣPҥFKFiFNKyDF{QJVXҩWWUrQF ҩX KuQKQJKӏFKOѭXEDSKDEDEұFKuQK7EҵQJJLҧLWKXұWÿLӅXFKӃNӃWKӧSPҥFK4XDVLVZLWFKERRVWJL ~SW QJ áp ngõ 9ӅSKѭѫQJSKiSWiFJLҧWKӵFKLӋQFiFSKѭѫQJSKiSWӯQJKLrQFӭXOêWKX\ӃWNLӇPWUDOêWKX\ӃWWUѭӟFNK LP{ SKӓQJYӟLSKҫQPӅP36,0YjOҳSUiSPҥFKWKӵFQJKLӋPÿӇVRViQK.ӃWTXҧWKӵFQJKLӋPF QJÿmÿѭӧFÿR NLӇPEӣLFiFWKLӃWEӏÿROѭӡQJFӫD7HNWURQL[ÿLӅXQj\ÿҧPEҧRWtQKNKiFKTXDQFӫDNӃWTXҧQJKLrQFӭX ÿѭӧFÿiQKJLiFDR 2.4 Nhận xét Tổng quan đề tài 7әQJTXDQÿӅWjLÿmJLҧLTX\ӃWYҩQÿӅÿmÿһWUDFiFFKѭѫQJYӟLQӝLGXQJFөWKӇÿmQrXUDYjWLӃQKjQKJ LҧL TX\ӃWYҩQÿӅ7X\Yұ\YLӋFNK{QJWKDPNKҧRFiFWjLOLӋX9LӋWQJӳOjÿLӅXFҫQ[HP[pWWKrPÿӕLYӟLOXұQY Q 2.5 Nhận xét đánh giá nội dung & chất lượng LVTN 1ӝLGXQJYjFKҩWOѭӧQJFӫDOXұQY QÿѭӧFWUuQKEj\WKӓD\rXFҫXFӫDPӝWOXұQY QWӕWQJKLӋS 2.6 Nhận xét đánh giá khả ứng dụng, giá trị thực tiễn đề tài k\OjPӝWÿӅWjLFyWtQKӭQJGөQJFDRYLӋFQJKLrQFӭXFӫDWiFJLҧOjÿLÿ~QJYӟL[XKѭӟQJSKiWWULӇQ KLӋQ QD\7X\QKLrQÿӅWjLFҫQÿѭӧFQJKLrQFӭXYӟLQKLӅXWKӱQJKLӋPVkXKѫQ 2.7 Luận văn cần chỉnh sửa, bổ sung nội dung (thiết sót tồn tại): &ҫQFѭӧFVRViQKYӟLQKLӅXKѫQ2SKѭѫQJSKiSNKiF II CÁC VẤ0Ề CẦN LÀM RÕ (Các câu hỏi giảng viên phản biện) 17iFJLҧÿmWKӱQJKLӋPYӟLQKӳQJORҥLWҧLNKiFQKDXQjR"9LӋFGQJFiFORҥLWҧLNKiFQKDXWKHRWiFJ LҧKӋ WKӕQJVӁÿiSӭQJQKѭWKӃQjR" 29ҩQÿӅ[ӱOêOӛLKӣPҥFKFiFNKyDF{QJVXҩWWiFJLҧÿm[ӱOêFKtQK[iFӣQӝLGXQJQjR"7iFJLҧW UuQK Ej\U}KѫQÿyQJJySFӫDWiFJLҧYӅQӝLGXQJQj\" TT Mục đánh Jiá 7tQKNKRDKӑFU}UjQJPҥFKOҥFNK~FFKLӃWWURQJOXұQY Q iQKJLiYLӋFVӱGөQJKRһFWUtFKGүQNӃWTXҧ1&FӫDQJѭӡLNKiFFy ÿӏQKKLӋQKjQKFӫDSKiSOXұWVӣKӳXWUtWXӋ 0өFWLrXQJKLrQFӭXSKѭѫQJSKiSQJKLrQFӭXVӱGөQJWURQJ/9 7әQJTXDQFӫDÿӅWjL iQKJLiYӅQӝLGXQJ FKҩWOѭӧQJFӫD/971 iQKJLiYӅNKҧQ QJӭQJGөQJJLiWUӏWKӵFWLӉQFӫDÿӅWjL 0žžžžНžžž±ž ž žžžØžžгž0žžžžžž (Giảng viên phản biện ghi rõ ý kiến “Tán thành luận văn” hay “Không tán thành luận văn”) 7iQWKjQKOXұQY Q 73+&0QJj\WKiQJQ P NJười nhận xét ê JKLU}KӑWrQ 761JX\ӉQ7KDQK' QJ ... PHA BA BẬC HÌNH T TĂNG ÁP QUASI SWITCH BOOST CHỊU LỖI 3.1 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T tăng áp Quasi switch boost (qSBT I) chịu lỗi Đề xu? ?t nghịch lưu ba pha ba bậc hình T tăng áp... Hình 2.1 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc NPC Hình 2.2 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc dạng t? ?? kẹp Hình 2.3 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc dạng cascade Hình 2.4 Cấu hình. .. Chương KHẢO S? ?T BỘ NGHỊCH LƯU BA PHA BA BẬC HÌNH T TĂNG ÁP QUASI SWITCH BOOST CHỊU LỖI 17 3.1 Cấu hình nghịch lưu ba pha ba bậc hình T tăng áp Quasi switch boost (qSBT I) chịu lỗi