TCVN: THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 7: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO

TIÊU CHUẨN QUỐC GIA TCVN 11166-7:2015 ISO/IEC 7811-7:2014 THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 7: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO Identification cards - Recording technique - Part 7: Magnetic stripe - High coercivity, high density Lời nói đầu TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2014) hồn toàn tương đương với ISO/IEC 7811-7:2014 TCVN 11166-7:2015 (ISO/IEC 7811-7:2014) Ban kỹ thuật tiêu chuẩn quốc gia TCVN/JTC "Công nghệ thông tin" biên soạn, Tổng cục Tiêu chuẩn Đo lường Chất lượng đề nghị, Bộ Khoa học Công nghệ công bố Hiện nay, TCVN 11166 (ISO/IEC 7811) Thẻ định danh - Kỹ thuật ghi gồm tiêu chuẩn: - Phần 1: Rập nổi; - Phần 2: Sọc từ - Kháng từ thấp; - Phần 6: Sọc từ - Kháng từ cao; - Phần 7: Sọc từ - Kháng từ cao, mật độ cao; - Phần 8: Sọc từ - Kháng từ 51,7 kA/m (650 Oe); - Phần 9: Đánh dấu định danh xúc giác; THẺ ĐỊNH DANH - KỸ THUẬT GHI - PHẦN 7: SỌC TỪ - KHÁNG TỪ CAO, MẬT ĐỘ CAO Identification cards - Recording technique - Part 7: Magnetic stripe - High coercivity, high density Phạm vi áp dụng Tiêu chuẩn qui định đặc tính cho thẻ định danh định nghĩa Điều việc sử dụng thẻ trao đổi quốc tế Tiêu chuẩn qui định yêu cầu sọc từ kháng từ cao (bao gồm lớp phủ bảo vệ) thẻ định danh, kỹ thuật mã hóa ký tự mã hóa Tiêu chuẩn xem xét khía cạnh người máy móc nêu rõ yêu cầu tối thiểu Kháng từ ảnh hưởng đến nhiều đại lượng qui định tiêu chuẩn, tiêu chuẩn không qui định cho kháng từ Đặc tính sọc từ có kháng từ cao khả chống xóa cải thiện Điều đạt nhờ giảm thiểu khả xảy hư hại sọc từ khác tiếp xúc trì khả tương thích đọc với sọc từ qui định TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) Tiêu chuẩn qui định dung lượng thẻ xấp xỉ khoảng 10 lần số thẻ phù hợp với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) Số lượng rãnh tăng lên 6, rãnh xấp xỉ nửa chiều rộng rãnh phù hợp với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6), đặt để người dọc thiết kế việc đọc cho rãnh mật độ cao đọc thẻ phù hợp với TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) Dữ liệu mã hóa byte bit sử dụng Kỹ thuật mã hóa MFM Khung liệu sử dụng để hạn chế việc truyền lỗi kỹ thuật sửa lỗi có độ tin cậy cao việc đọc Tiêu chuẩn đưa tiêu chí để thẻ hoạt động, khơng xem xét lượng sử dụng, có cần xem xét lượng thẻ trước thử nghiệm Nếu không phù hợp với tiêu chí qui định, bên liên quan nên thương lượng với ISO/IEC 10373-2 qui định thủ tục thử nghiệm để kiểm tra thẻ so với thông số qui định tiêu chuẩn CHÚ THÍCH: Các giá trị số theo hệ đo lường SI và/hoặc hệ đo lường Anh tiêu chuẩn làm trịn, giá trị phù hợp khơng xác Có thể sử dụng hệ đo lường khác không nên dùng lẫn chuyển đổi lẫn Thiết kế ban đầu sử dụng hệ thống đo lường Anh Sự phù hợp Điều kiện tiên để phù hợp với tiêu chuẩn phù hợp với TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) Một thẻ định danh phù hợp với tiêu chuẩn đáp ứng tất yêu cầu bắt buộc qui định tiêu chuẩn Áp dụng giá trị mặc định không qui định giá trị khác 3 Tài liệu viện dẫn Các tài liệu tham khảo thiếu việc áp dụng tài liệu Đối với tham khảo ghi năm, áp dụng nêu Đối với tham khảo không ghi năm, áp dụng tài liệu tham khảo (bao gồm sửa đổi) TCVN 11165 (ISO/IEC 7810), Thẻ định danh - Đặc tính vật lý; ISO 4287, Geometrical Product Specifications (GPS) - Surface texture: Profile method - Terms, definitions and surface texture parameters (Đặc tả sản phẩm hình học (GPS) - Kết cấu bề mặt: Phương pháp mặt nghiêng - Thuật ngữ, định nghĩa thông số kết cấu bề mặt): ISO/IEC 10373-1, Identification cards - Test methods - Part 1: General characteristics tests (Thẻ định danh - Phương pháp thử nghiệm - Phần 1: Đặc tính chung); ISO/IEC 10373-2, Identification cards - Test methods - Part 2: Cards with magnetic stripes (Thẻ định danh - Phương pháp thử nghiệm - Phần 2: Thẻ có sọc từ) Thuật ngữ định nghĩa Tiêu chuẩn áp dụng thuật ngữ định nghĩa TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) 4.1 Tiêu chuẩn (primary standard) Tập thẻ tham chiếu thiết lập Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) trì ban thư kí PTB, Q-Card WG1 để thể giá trị UR IR rõ RM7811-x26 4.2 Tiêu chuẩn phụ (secondary standard) Thẻ tham chiếu rõ RM7811-6 liên quan đến tiêu chuẩn nêu giấy chứng nhận hiệu chuẩn cung cấp cho thẻ CHÚ THÍCH: Các tiêu chuẩn phụ đặt hàng từ Q-Card, 301 Reagan Street, Sunbury, PA 17801, USA Nguồn tiêu chuẩn phụ trì đến năm 2018 4.3 Thẻ khơng mã chưa sử dụng (unused un-encoded card) Thẻ gồm tất cấu kiện cần thiết cho mục đích sử dụng, khơng bị lệ thuộc vào thao tác cá nhân hay thử nghiệm lưu giữ môi trường không 48 phơi ánh sáng ban ngày nhiệt độ từ 5°C đến 30°C độ ẩm từ 10% đến 90%, không qua sốc nhiệt 4.4 Thẻ mã chưa sử dụng (unused encoded card) Thẻ theo 4.3 mã hóa liệu yêu cầu cho mục đích sử dụng (ví dụ mã hóa từ, dập nổi, mã hóa điện tử) 4.5 Thẻ trả lại (returned card) Thẻ theo 4.4 sau cấp cho chủ thẻ trả lại để thử nghiệm 4.6 Chuyển tiếp dịng (flux transition) Vị trí mà tốc độ thay đổi lớn khoảng cách việc từ hóa 4.7 Dịng điện chuẩn (reference current) IR Biên độ dòng điện ghi nhỏ điều kiện thử nghiệm cho, thẻ tham chiếu, biên độ tín hiệu đọc ngược 80% biên độ tín hiệu chuẩn, UR, với mật độ chuyển tiếp dòng/mm (200 chuyển tiếp dòng/inch) Hình 4.8 Mức dịng chuẩn (reference flux level) FR Mức dòng đầu thử tương ứng với dòng điện chuẩn IR 4.9 Dòng điện ghi thử nghiệm (test recording currents) Có hai dịng điện ghi xác định bởi: - Imin = dòng điện ghi tương ứng với 2,8 FR - Imax = dòng điện ghi tương ứng với 3,5 FR 4.10 Biên độ tín hiệu riêng (individual signal amplitude) Ui Biên độ sở-đến-đỉnh tín hiệu điện áp đọc ngược đơn 4.11 Biên độ tín hiệu trung bình (average signal amplitude) UA Tổng giá trị tuyệt đối biên độ đỉnh tín hiệu (Ui) chia cho số đỉnh tín hiệu (n) rãnh cho trước chiều dài vùng sọc từ 4.12 Biên độ tín hiệu chuẩn (reference signal amplitude) UR Giá trị biên độ tín hiệu trung bình lớn thẻ tham chiếu hiệu chỉnh tiêu chuẩn 4.13 Mật độ ghi vật lý (physical recording density) Số chuyển tiếp dòng chiều dài đơn vị ghi rãnh 4.14 Mật độ bit (bit density) Số bit liệu lưu trữ đơn vị chiều dài (bits/mm bpi) 4.15 Ô bit (bit cell) Khoảng cách bit liệu danh định đối ứng với mật độ bit (xem Hình 8) 4.16 Ơ bit trung bình (average bit cell) Ba Tích chiều dài ô bit tổng khoảng cách thực tế tất khoảng thời gian chuyển tiếp dòng rãnh chia cho tổng khoảng cách danh định tất khoảng thời gian chuyển tiếp dịng rãnh 4.17 Ơ bit trung bình cục (local average bit cell) Ba6 Chuẩn so sánh cho khoảng thời gian chuyển tiếp dòng cho khoảng cách danh định L1 nhân với tổng khoảng cách thực tế khoảng thời gian chuyển tiếp dịng trước chia cho tổng khoảng cách danh định khoảng thời gian chuyển tiếp dòng trước đó: L1 x (∑ thực tế)/(∑ danh định) 4.18 Dòng điện khử từ (demagnetization current) Id Giá trị dòng điện chiều để giảm biên độ tín hiệu trung bình xuống 80 % biên độ tín hiệu tham chiếu (UR) thẻ tham chiếu phụ mã hóa với mật độ 40 ft/mm (1016 ftpi) dòng điện Imin 4.19 L1 Khoảng cách ngắn chuyển tiếp dòng liền kề danh định lần ô bit 4.20 L2 Khoảng cách trung bình chuyển tiếp dòng liền kề danh định 1,5 lần ô bit 4.21 L3 Khoảng cách dài chuyển tiếp dòng liền kề danh định lần ô bit 4.22 FSC Ký tự đồng khung 4.23 CRC Kiểm tra dư thừa vòng 4.24 CP Cột chẵn lẻ 4.25 UF Độ lớn phần tử riêng 20 chuyển tiếp dòng mm tần số trải phổ Fourier rãnh cho trước chiều dài vùng sọc từ Đặc tính vật lý thẻ định danh Thẻ định danh phải phù hợp với đặc tả TCVN 11165 (ISO/IEC 7810) CẢNH BÁO - Việc lưu tâm bên phát hành thẻ dẫn đến thực tế thơng tin chứa sọc từ bị vô hiệu thông qua nhiễm bẩn tiếp xúc với bụi bẩn hóa chất thường sử dụng gồm chất làm dẻo Nên ý việc in kiểm tra đỉnh sọc từ không làm hằn vết chức sọc từ 5.1 Độ vênh vùng sọc từ Đặt tải 2,2 N (0.5 lbf) phân bố mặt trước đối diện với sọc từ phải bao gồm toàn sọc từ 0,08 mm (0.003 in) cứng 5.2 Biến dạng bề mặt Khơng có biến dạng bề mặt, không cân hay vùng mặt trước sau thẻ vùng Hình làm cản trở tiếp xúc đầu từ sọc từ Kích thước theo mi-li-mét (in-sơ) Hình - Vùng biến dạng tùy ý thẻ có sọc từ Nếu vùng chữ ký đặt mặt trước mặt sau thẻ, vùng khơng gần với mép thẻ 19,05 mm (0.750 in) CHÚ THÍCH: Các vùng biến dạng vùng khác thẻ gây vấn đề truyền tải thẻ với thiết bị xử lý sọc từ gây lỗi ghi đọc Đặc tính vật lý sọc từ 6.1 Chiều cao đường dốc bề mặt vùng sọc từ Vùng sọc từ đặt sau thẻ giống Hình Hình - Vị trí vật liệu từ cho thẻ kiểu ID-1 6.1.1 Đường dốc bề mặt vùng sọc từ Độ lệch theo chiều dọc (a) lớn đường dốc bề mặt ngang vùng sọc từ Xem Hình 3, Độ dốc đường cong đường dốc bề mặt giới hạn: -4a/W < độ dốc (slope) < 4a/W Khi giá trị tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) thẻ 20 mm lớn giới hạn đường dốc bề mặt là: Chiều rộng sọc từ nhỏ Theo Hình 3A Theo Hình 3B W = 6,35 mm (0,25 in) a ≤ 9,5 µm (375 µin) a ≤ 5,8 µm (225 µin) W = 10,28 mm (0.405 in) a ≤ 15,4 µm (607 µin) a ≤ 9,3 µm (365 µin) Khi giá trị tính khó uốn (xem TCVN 11165 (ISO/IEC 7810)) thẻ nhỏ 20 mm giới hạn đường dốc bề mặt là: Chiều rộng sọc từ nhỏ Theo Hình 3A Theo Hình 3B W = 6,35 mm (0,25 in) a ≤ 7,3 µm (288 µin) a ≤ 4,5 µm (175 µin) W = 10,28 mm (0.405 in) a ≤ 11,7 µm (466 µin) a ≤ 7,3 µm (284 µin) Hình - Đường dốc bề mặt Hình - Ví dụ đường dốc bề mặt Các đường dốc khơng cân hình dẫn đến mã hóa chất lượng Hình - Ví dụ đường dốc bề mặt khơng cân 6.1.2 Chiều cao vùng sọc từ Độ lệch theo chiều dọc (h) vùng sọc từ liên quan đến bề mặt tiếp giáp thẻ là: -0,005 mm (- 200 µin) ≤ □ h ≤ □ 0,038 mm (1500 µin) Phần nhọn đường dốc vật liệu "phun ra" in dấu nóng lên khơng phải phần sọc từ Không mở rộng bên vùng sọc từ có chiều cao (h) qui định 6.2 Tính thơ ráp bề mặt Độ thơ ráp bề mặt trung bình (Ra) vùng sọc từ khơng vượt q 0,40 µm (15.9 µin) theo chiều dọc ngang đo theo ISO 4287 6.3 Tính bám dính sọc từ với thẻ Các sọc từ không tách rời khỏi thẻ sử dụng bình thường 6.4 Tính mài mịn sọc từ cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi Biên độ tín hiệu trung bình (UA) biên độ tín hiệu riêng (Ui) đo trước sau 2000 chu kỳ mài mòn kết quả: UA sau ≥ 0,60 UA trước Ui sau ≥ 0,80 UA sau 6.5 Tính kháng hóa chất Biên độ tín hiệu trung bình (UA) biên độ tín hiệu riêng (Ui) đo trước sau tiếp xúc với điều kiện môi trường thời gian ngắn qui định ISO/IEC 10373-1 kết quả: UA sau ≥ 0,90 UA trước Ui sau ≥ 0,90 UA sau Biên độ tín hiệu trung bình (UA) biên độ tín hiệu riêng (Ui) đo trước sau tiếp xúc với điều kiện môi trường thời gian dài (24 giờ) với mồ nhân tạo có a-xít kiềm, xác định ISO/IEC 10373-1 UA sau ≥ 0,90 UA trước Ui sau ≥ 0,90 UA sau Đặc tính hiệu vật liệu từ Mục đích Điều đảm bảo khả đổi lẫn từ thẻ hệ thống xử lý Không qui định kháng từ phương tiện truyền thơng Tiêu chí hiệu phương tiện truyền thông không phụ thuộc kháng từ qui định 7.3 7.1 Yêu cầu chung Phương pháp sử dụng thẻ tham chiếu mà vật liệu truy nguyên tiêu chuẩn (Xem Điều 4) Tất biên độ tín hiệu từ việc sử dụng thẻ tham chiếu phụ phải hiệu chỉnh yếu tố hỗ trợ thẻ tham chiếu phụ 7.2 Mơi trường hoạt động thử nghiệm Môi trường thử nghiệm để đo biên độ tín hiệu nhiệt độ 23°C ± 3°C (73°F ± 5°F) độ ẩm tương đối từ 40% đến 60% Mặt khác thử nghiệm điều kiện giống nhau, biên độ tín hiệu trung bình đo 8ft/mm (200 ftpi) không lệch 15% so với giá trị mơi trường thử nghiệm sau tiếp xúc với điều kiện môi trường môi trường hoạt động sau: Nhiệt độ -35°C đến 50°C (-31°F đến 122°F) Độ ẩm tương đối 5% đến 95% 7.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu cho phương tiện truyền thơng từ tính u cầu đặc tính ghi thẻ Bảng Hình Các yêu cầu hiệu phương tiện truyền thông qui định 7.3 phải phù hợp để đạt việc cản trở cải thiện để xóa bỏ cho phép trao đổi từ thẻ hệ thống xử lý Các thuộc tính Phụ lục C hướng dẫn cho vật liệu từ Phụ lục C tham khảo sử dụng tiêu chí hiệu cho thẻ Bảng - Yêu cầu biên độ tín hiệu cho thẻ khơng mã chưa sử dụng Mơ tả Mật độ ft/mm (ftpi) Dịng ghi thử nghiệm Kết biên độ tín hiệu Yêu cầu Biên độ tín hiệu 20 (508) Imin UA1 0,8 UR ≤ UA1 ≤ 1,2 UR Biên độ tín hiệu 20 (508) Imin Ui1 Ui1 ≤ 1,26 UR Biên độ tín hiệu 20 (508) Imax UA2 UA2 ≥ 0,8 UR Biên độ tín hiệu 40 (1016) Imax Ui2 Ui2 ≥ 0,65 UR Độ phân giải 40 (1016) Imax UA3 UA3 ≥ 0,8 UA2 Xóa bỏ Imin, DC UA4 UA4 ≤ 0,03 UR Xung bổ trợ Imin, DC Ui4 Ui4 ≤ 0,05 UR Khử từ Id, DC UA5 UA5 ≥ 0,64 UR Khử từ Id, DC Ui5 Ui5 ≥ 0,54 UR Ghi đè 20 (508) Imax UF6 UF7 ≤ 0,03 UF6 40 (1016) Imin UF7 Độ dốc đường cong bão hịa khơng dương Imin Imax Khơng phép kết hợp tốn học yêu cầu CHÚ THÍCH 1: Mật độ 20 ftpmm chuyển lên 508 ftpi tiêu chuẩn lên 500 ftpi TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) Hai tiêu chuẩn không khác nguyên tắc Để đảm bảo khả tương thích với mật độ ghi cao chuyển đổi xác sử dụng tiêu chuẩn CHÚ THÍCH 2: Quan sát cho thấy độ phân giải thấp đo Bảng tương ứng với biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cao đo Bảng Hình - Ví dụ đường cong bão hòa vùng dung sai ft/mm (200 ftpi) CHÚ THÍCH: Các đường cong xác định đáp ứng tiêu chuẩn (trên thẻ) Các thơng số cửa sổ xác định thẻ có chức mơi trường máy đọc Hình - Ví dụ dạng sóng Kỹ thuật mã hóa Kỹ thuật mã hóa rãnh phải phương pháp ghi Điều chế tần số sửa đổi (MFM) theo điều kiện: - Chuyển tiếp dòng phải ghi trung tâm bit chứa số - Chuyển tiếp dịng phải ghi ranh giới ô nằm ô bit liền kề chứa số Xem Hình Trong t ranh giới bit Hình - Các ví dụ mã hóa MFM Dữ liệu phải ghi chuỗi đồng ký tự khơng có khoảng trống xen vào CHÚ THÍCH 1: Việc ghi với dịng viết Imin cho Kết ghi với chất lượng CHÚ THÍCH 2: MFM giồng kỹ thuật FM mô tả TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) ngoại trừ chuyển tiếp dòng đồng bit bị gỡ bỏ Điều dẫn đến việc số tính tự đồng với việc mã hóa FM địi hỏi độ xác khoảng thời gian chuyển tiếp dòng Với Kỹ thuật khơng có chuyển tiếp dịng ranh giới bit Đặc tả mã hóa 9.1 Góc ghi Góc ghi thơng thường cạnh gần thẻ song song với sọc từ có dung sai ± 20 Góc ghi (α) xác định việc đo góc khe trống đầu ghi biên độ đọc lớn (xem Hình 9) Hình - Góc ghi 9.2 Mật độ bit danh định Mật độ bit danh định cho rãnh phải 40 bits/mm (1016 bpi) 9.3 Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Các biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cho tất rãnh đưa Bảng Bảng - Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng Số hạng Mơ tả u cầu Biến đổi Ba Ơ bit trung bình 23 µm (906 µin) ≤ Ba ≤ 25,3 µm (994 µin) -8 % đến +1 % Ba6 Ô bit trung bình cục 0,92 Ba ≤ Ba6 ≤ 1,08 Ba ±8 % Ba L1 Khoảng thời gian ngắn 0,80 Ba6 ≤ L1 ≤ 1,20 Ba6 ±20 % Ba6 L2 Khoảng thời gian trung bình 1,30 Ba6 ≤ L2 ≤ 1,70 Ba6 ±13,3% 1,5 Ba6 L3 Khoảng thời gian dài 1,80 Ba6 ≤ L3 ≤ 2,25 Ba6 ±10 % 2Ba6 CHÚ THÍCH: Quan sát cho thấy độ phân giải thấp đo Bảng tương ứng với biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng cao đo Bảng 9.4 Yêu cầu biên độ tín hiệu Yêu cầu cho biên độ tín hiệu tất rãnh sau: - Thẻ mã chưa sử dụng: 0,64 UR ≤ Ui ≤ 1,36 UR - Thẻ trả lại: 0,52 UR ≤ Ui ≤ 1,36 UR CHÚ THÍCH: Các yêu cầu qui định giới hạn biên độ tín hiệu trao đổi cho vị trí rãnh mã hố mật độ bit qui định Các yêu cầu biên độ tín hiệu qui định Bảng thể giới hạn phương tiện truyền thông từ trường tần số ghi qui định dòng điện thử nghiệm ghi qui định 9.5 Cấu hình bit Dữ liệu phải ghi với bit nghĩa (20) 9.6 Hướng ghi Việc mã hóa phải phía bên phải nhìn từ phía sọc từ 9.7 Các số đầu đuôi Đầu vào đến FSC phải ghi với số khoảng trống sau FSC cuối phải ghi với số Các số cách mép thẻ 3,30 mm (0.130 in) không cần đáp ứng đặc tả qui định 10 Cấu trúc liệu Dữ liệu người dùng viết thẻ phân chia rãnh sử dụng Mỗi rãnh sử dụng phải có chiều dài cố định tùy thuộc vào kiểu thẻ sử dụng, đòi hỏi liệu người dùng đệm byte nhị phân khơng điền đầy vào khoảng trống có sẵn (các) rãnh sử dụng Cấu trúc liệu rãnh độc lập với rãnh khác Quá trình chung để lập cấu trúc liệu Bảng 3, xem hình 11 Bảng - Các bước trình lập cấu trúc liệu Bước Quá trình Xác định số rãnh cần thiết dựa dung lượng liệu cho thẻ sử dụng Phân chia liệu thành liệu cho rãnh đệm cuối liệu thẻ với byte cần, vậy, tất khung rãnh sử dụng lấp đầy Việc đệm hoàn thành trước sau chia thành rãnh Đạt sửa lỗi nhiều liệu chia vào rãnh sử dụng sau rãnh đệm thêm Tạo CRC cho liệu rãnh nối thêm vào cuối liệu rãnh Phân chia liệu rãnh vào khung Tạo cột chẵn lẻ reed-solomon Thêm số ID khung Tạo CRC cho rãnh Sắp xếp để ghi lên thẻ: thêm chuyển tiếp đồng đầu tiên/cuối cùng, chuyển đổi ID khung từ chuỗi bit thành bit thêm vào FSC CHÚ THÍCH: Khơng có ký tự mã hóa qui định theo tiêu chuẩn Hầu hết, việc sử dụng cho định dạng mật độ cao ứng dụng không dành cho văn 10.1 Định dạng rãnh 10.1.1 Sắp đặt rãnh Mỗi rãnh phải chứa chuyển tiếp đồng đầu tiên, FSC, khung liệu phân FSC, FSC chuyển tiếp đồng cuối sau Các chuyển tiếp đồng FSC Định danh khung Dữ liệu Khung CRC FSC Định danh khung Dữ liệu Khung CRC FSC Định danh khung Dữ liệu Khung CRC FSC : : : FSC Định danh khung 18 Dữ liệu Khung CRC FSC Các chuyển tiếp đồng cuối 10.1.2 FSC FSC sử dụng để xác định hướng định danh mép khung liệu FSC phải xuất trước sau khung liệu FSC xuất khung liệu liền kề FSC thể Hình 10 Hình 10 - Biểu thị FSC CHÚ THÍCH: FSC chiếm 7,5 bit chuỗi khoảng thời gian chuyển tiếp dòng nơi mép bit (chuyển tiếp ranh giới bit) Không phải chuỗi bit mẫu khoảng thời gian chuyển tiếp dịng khơng xảy với qui tắc mã hóa MFM Do đó, FSC tìm thấy đồng hóa ký tự khung liệu bắt đầu đồng hóa với khung liệu 10.1.3 Khung liệu Các khung liệu phải chứa số hiệu khung, liệu ký tự CRC khung Số khung rãnh phải 18 10.1.3.1 Định danh khung Mỗi khung liệu phải định danh với bit ký tự thể số Các khung phải đánh số liên tiếp bắt đầu với cho khung gần điểm bắt đầu mã hóa kết thúc với 18 cho khung gần điểm kết thúc mã hóa Khi thực hoạt động liệu trước ghi thẻ xử lý mã hóa sau đọc, định danh khung phải thể chuỗi bit 10.1.3.2 Dữ liệu Dữ liệu phải biểu thị byte bit phải liệu người dùng, cột chẵn lẻ, rãnh thông tin CRC Dung lượng số byte khung phụ thuộc vào cỡ thẻ phải Bảng Đối với cỡ thẻ tất số liệu cố định (khơng có chiều dài biến thiên) Bảng - Dung lượng rãnh Kiểu thẻ ID-1 ID-2 ID-3 17 22 28 156,5 196,5 244,5 306 396 504 2824,5 3544,5 4408,5 Cột chẵn lẻ (byte) 68 88 112 Rãnh CRC (byte) 4 Dung lượng khung liệu (byte khung) Cỡ khung (bit khung) Dung lượng rãnh liệu (byte rãnh) Cỡ rãnh (bit rãnh) Dung lượng người dùng liệu (byte) 234 304 388 CHÚ THÍCH: Dung lượng người dùng liệu Bảng số lượng sửa lỗi sử dụng Cỡ khung FSC + ID khung + (byte khung * 8) + CRC Cỡ rãnh (bit khung * 18) + FSC 10.1.3.3 Khung ký tự CRC Mỗi khung phải gồm ký tự CRC bit 10.2 Mã hóa việc phát sửa lỗi Rãnh liệu phải đặt khung Hình 11 N cộng với số byte rãnh qui định Bảng Khi đọc thẻ, byte khung gần với chỗ bắt đầu mã hóa byte N cung khung 18 gần với kết thúc mã hóa (trái sang phải, xuống dưới) Byte ID khung N-5 N-4 N-3 N-2 N-1 Vùng liệu N CRC CP CP CP CP CP CP CP CP CRC1 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC2 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC3 CP CP CP CP CP CP CP CP CRC4 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC5 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC6 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC7 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC8 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC9 10 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC10 11 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC11 12 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC12 13 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC13 14 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC14 15 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC15 16 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC16 17 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC17 18 Data Data Data Data Data Data Data Data CRC18 Hình 11 - Cấu trúc rãnh liệu CHÚ THÍCH: Khung ký lự CRC dung để phát lỗi cột chẵn lẻ dung để sửa lỗi 10.2.1 Rãnh CRC Rãnh phải chứa CRC gồm byte bit tạo sau thêm vào cuối rãnh liệu Giới hạn thứ tự cao cho rãnh CRC phải (N-4) byte khung 18 CRC = [x4M(x)] mod g(x) over GF(28) Trong đó: M(x) = tất liệu người dùng cho rãnh dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng) Giới hạn thứ tự cao byte khung giới hạn thứ tự thấp N-5 byte khung 18 Xem Hình 11 g(x) = (x-α)(x-α2)(x-α3)(x-α4) = tạo đa thức cho rãnh CRC GF(28) = trường Galois hữu hạn 256 ký tự bit nhị phân tạo đa thức nguyên thủy p(x) = + x2 + x3 + x4 + x8 xi = bit vị trí i CHÚ THÍCH 1: Rãnh CRC cho phép phát lên tới lỗi với xác xuất Trên lỗi xác xuất phát 1-1/(256)4 CHÚ THÍCH 2: Rãnh CRC phần lại x4M(x) chia cho g(x) cách sử dụng hoạt động modulo Đối với liệu có 251 byte, CRC Kỹ thuật kiểm định chu kì, kiểm định dự phịng đơn giản tạo theo cách tương tự CHÚ THÍCH 3: Các bảng công bố việc biểu thị bit cho số mũ tương ứng α cho số mũ GF alpha tương ứng với số alpha lên đến giới hạn để số mũ mẫu bit (chuỗi bit nhị phân) Mỗi byte liệu người dùng cần chuyển từ bit nhị phân thành số mũ tương ứng α trước thực hoạt động modulo Giới hạn x sử dụng để giải mã vị trí bit chuỗi ví dụ như, x2 rãnh liệu phải byte thứ tự thấp thứ 10.2.2 Cột chẵn lẻ Cột chẵn lẻ phải tạo cho cột byte thông tin tất khung liệu người dung rãnh sử dụng mã Reed-Solomon ngắn RS(255-237,251-237), gọi RS(18,14) Giới hạn thứ tự cao cho rãnh CP phải khung giới hạn thứ tự thấp phải khung CP = [x4M(x)] mod g(x) GF(28) Trong đó: M(x) = liệu người dùng cho cột từ khung đến khung 18 dạng đa thức (chiều dài cố định 14) Giới hạn thứ tự cao khung 18 giới hạn thứ tự thấp khung Xem Hình 11 g(x) = (x-α)(x-α2)(x-α3)(x-α4) = tạo đa thức cho Reed-Solomon CP GF(28) = trường Galois hữu hạn 256 ký tự bit nhị phân tạo đa thức nguyên thủy p(x) = + x2 + x3 + x4 + x8 xi = bit vị trí i CHÚ THÍCH 1: CP cho phép sửa lên đến “xóa bỏ” với xác xuất Hơn “xóa bỏ” rãnh không thẻ chỉnh sửa Thuật ngữ “xóa bỏ” dùng mã RS vùng khơng thể đọc được, q trình giải mã sau xử lý thành tố “đã xóa” khơng có CHÚ THÍCH 2: CP phần lại x4M(x) chia cho g(x) cách sử dụng hoạt động modulo Thuật ngữ "co ngắn" trước Reed-Solomon có nghĩa có giới hạn thứ tự cao với giá trị (237 trường hợp này) mà không cần quan tâm đến hoạt động modulo CHÚ THÍCH 3: Mã cho kết 100 % * 4/18 = 22.2 % sửa lỗi 10.2.3 Khung CRC Khung chứa CRC gồm byte bit tạo sau thêm vào cuối khung liệu CRC = [xM(x)] mod g(x) over GF(28) Trong đó: M(x) = tất liệu người dùng cho khung số ID khung từ byte đến N-1 byte dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng) Giới hạn thứ tự cao byte giới hạn thứ tự thấp N-1 byte Xem Hình 11 Tất liệu người dùng cho rãnh dạng đa thức (chiều dài phụ thuộc vào kiểu thẻ sử dụng) Giới hạn thứ tự cao byte khung giới hạn thứ tự thấp N-5 byte khung 18 Xem Hình 11 g(x) = (x-α) = tạo đa thức cho khung CRC GF(28) = trường Galois hữu hạn 256 ký tự bit nhị phân tạo đa thức nguyên thủy p(x) = + x2 + x3 + x4 + x8 xi = bit vị trí i CHÚ THÍCH 1: Khung CRC cho phép phát lên đến lỗi với xác xuất Hơn lỗi xác xuất phát lỗi 1-1/256 CHÚ THÍCH 2: CRC phần lại xM(x) chia cho g(x) cách sử dụng hoạt động modulo CHÚ THÍCH 3: Số khung ID byte bit cho tất tính tốn viết thẻ dãy liên tục bit 11 Giải mã Các bước chung cho phép giải mã liệu cho rãnh sau đọc Bảng Việc thực cụ thể dành cho người dùng Bảng - Q trình giải mã hóa Bước Q trình Đọc liệu rãnh từ thẻ Mở rộng ID khung cỡ bit Tạo cấu trúc liệu Hình 11 Kiểm định rãnh CRC [kết [x4M(x) + CRC) mod g(x) over GF(28)], (kết = không lỗi) Nếu rãnh CRC có lỗi xuất hiện, bắt đầu sửa lỗi Kiểm định CRC khung Các lỗi khung vị trí lỗi cho tất cột vị trí byte Nếu số lượng lỗi khung vượt khả giải mã, gửi lỗi truyền thơng (Media Error) khỏi Nếu khơng, tiếp tục bước Điền vào khung vị trí định lỗi khung CRC với hệ thập lục phân số (00) byte (xóa bỏ liệu giả định) Cột chẵn lẻ sau sử dụng với vị trí lỗi khung CRC để tái tạo lại giá trị byte liệu [Reed-Solomon mã RS (18,14) sử dụng] Các giá trị byte chèn vị trí cột định lỗi khung tương ứng Kiểm định rãnh CRC [kết (x4M(x) + CRC) mod g(x) over GF(28) phải tất byte cho không lỗi] 10 Xử lý liệu sửa chữa cho đầu 11 Xử lý tất rãnh theo cách thức tương tự CHÚ THÍCH: Q trình giải mã đơn giản giả định “xóa bỏ liệu”, nhiên q trình mở rộng khác có khả xảy Nhiều tham chiếu có sẵn mơ tả việc thực giải mã cụ thể Xem Phụ lục D 12 Vị trí rãnh mã hóa Mỗi rãnh mã hóa phải nằm hai dịng Hình 12 Sự bắt đầu mã hóa đặt đường chuyển tiếp FSC Sự kết thúc mã hóa đặt đường chuyển tiếp cuối FSC cuối Rãnh Rãnh H1 Rãnh H2 Rãnh H3 Rãnh H4 Rãnh H5 Rãnh H6 Kích thước a 5,75 (0,226) lớn b 6,75 (0,266) nhỏ a 7,45 (0,293) lớn b 8,45 (0,333) nhỏ a 9,15 (0,360) lớn b 10,15 (0,400) nhỏ a 10,85 (0,427) lớn b 11,85 (0,467) nhỏ a 12,55 (0,494) lớn b 13,55 (0,534) nhỏ a 14,25 (0,561) lớn b 15,25 (0,601) nhỏ Hình 12 - Vị trí rãnh mã hóa Phụ lục A (tham khảo) Khả tương tích đọc sọc từ ((TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) tiêu chuẩn này) Mục đích phụ lục giải thích cho người sử dụng hạn chế thuật ngữ “khả tương tích đọc" đề cập phạm vi áp dụng tiêu chuẩn áp dụng cho cho TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) tiêu chuẩn Các rãnh mật độ cao qui định tiêu chuẩn xếp đầu đọc thiết kế để đọc rãnh đọc rãnh thơng thường qui định TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) Điều cho phép kết hợp rãnh thông thường rãnh mật độ cao sọc từ, ví dụ rãnh thơng thường với rãnh mật độ cao H5 H6 Không thể đổi lẫn đầu ghi theo cách đầu đọc Mật độ tăng cường qui định tiêu chuẩn phải dẫn đến biên độ tín hiệu thấp so với TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6): xấp xỉ 40 % $ phụ thuộc vào thử nghiệm PTB Tỉ lệ xác hai giá trị biên độ tín hiệu phụ thuộc vào kiểu sọc từ sử dụng Dưới tổng quan khác biệt tiêu chuẩn TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) a) Mật độ bit tăng từ 8,27 bits/mm (Rãnh 1,3) 2,95 bits/mm (Rãnh 2) lên 40 bits/mm cho tất rãnh cho kết 234 byte liệu người dùng rãnh thẻ kích cỡ ID-1 b) Kỹ thuật mã hóa MFM sử dụng thay cho kỹ thuật F2F Điều tăng gấp đôi mật độ lưu giữ liệu cách khoảng chuyển tiếp nhỏ với việc giảm chút khả tự đồng c) rãnh thay rãnh với xấp xỉ nửa chiều rộng chiếm dụng khoảng trống thẻ Các rãnh đặt cho đầu đọc thiết kế để đọc rãnh mật độ cao đọc thẻ phù hợp với TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) TCVN 11166-6 (ISO/IEC 7811-6) d) Dữ liệu phân phối khung với ký tự đồng hóa để hỗ trợ khơi phục lỗi có CRC cho khung rãnh CRC Dữ liệu ghi rãnh phụ thuộc vào rãnh khác (phát lỗi chỉnh sửa rãnh rãnh), chí phần thông điệp thẻ e) Phát lỗi chỉnh sửa lỗi gồm việc sử dụng mã Reed-Solomon rút gọn Lượng chỉnh sửa lỗi cố định cho tất kích cỡ thẻ f) Vùng sọc từ mở rộng hoàn toàn sang mép trái phải thẻ g) Trong Bảng 1, giá trị mật độ thử nghiệm thay đổi, yêu cầu độ phân giải thay đổi từ 0,7 đến 0,8, thử nghiệm dạng sóng xóa bỏ việc ghi đè thêm vào yêu cầu h) Kháng từ lớn Bảng D.1 Phụ lục tham khảo C thay đổi từ 335 k A/m (4200 Oe) đến 250 k A/m (3125 Oe) Phụ lục B (tham khảo) Mài mòn sọc từ Mục đích phụ lục để giải thích ngun nhân thuộc tính mài mịn sọc từ liên quan đến tuổi thọ đầu đọc khơng nằm số đặc tính vật lý qui định tiêu chuẩn Việc khơng có đặc tả thuộc tính mài mịn phản ánh khó khăn việc xác định thơng số mài mòn vật liệu việc đưa thử nghiệm lặp lại, xác để đo đặc tính mài mịn Mặc dù khơng có phương pháp thử nghiệm lặp lại, có cơng nghệ biết kéo đài tuổi thọ đầu đọc vật liệu đầu đọc tăng cường, chất bổ sung hình thành sọc từ, lớp phủ sọc từ Tính mài mịn sọc từ định lượng điều kiện tiên cho cố gắng để dự đoán tuổi thọ đầu từ Tuy nhiên, có biến đổi đáng kể chất mài mịn sọc từ tính khác nhau, có môi trường đọc/ghi sọc từ Sự đa dạng việc kết hợp ảnh hưởng tính phức tạp dạng thức ảnh hưởng đến tính mài mịn gây khó khăn việc dự đoán tuổi thọ đầu từ điều kiện mơi trường, máy móc sọc từ qui định Việc thử nghiệm tính mài mòn thiết bị cụ thể thời thực sở so sánh túy Đó thời gian tiêu thụ chi phí số lượng thẻ sử dụng Các kết thử nghiệm đơn giản xếp hạng phân cấp để sọc từ bị mài mòn mức độ nhiều hay sọc từ khác tùy theo điều kiện cụ thể thử nghiệm Không có giá trị tuyệt đối xác xếp hạng phân cấp thay đổi từ tập hợp điều kiện khác Thực thành công thao tác đọc ghi sọc từ đòi hỏi sọc từ đầu từ phải tiếp xúc với toàn thao tác Chuyển động tương đối đầu từ sọc từ tạo chịu mòn hai Tính mài mịn ban đầu sọc từ giảm nhanh với số đầu rãnh cán, vậy, tính mài mịn sọc từ chưa sử dụng lớn nhiều so với sọc từ ghi lần, trừ số đầu rãnh cần tăng tốc độ thay đổi việc giảm tính mài mịn Những ảnh hưởng tác động đến tính mài mịn sọc từ gồm nhiệt độ, độ ẩm, vật liệu đầu từ (và trạng thái chịu mòn kết thúc), áp lực đầu đọc, tốc độ thẻ, đặc tính vật lý cụ thể bề mặt sọc từ tiếp xúc với đầu đọc, tính thơ ráp nhiễm bẩn sọc từ Dưới điều kiện bụi bẩn dầu mỡ từ môi trường, đọng lại giao diện đầu đọc/ sọc từ thường tạo khác biệt lớn khả chịu mòn đo điều kiện phịng thí nghiệm thực tế đạt Do đó, thấy rõ khơng có khó khăn I việc đạt mức khơng đảm bảo đo chấp nhận thử nghiệm tính mài mịn mà cịn có nghi ngờ đáng kể khả ứng dụng kết thử nghiệm tính mài mịn thẻ điều kiện phịng thí nghiệm để dự đốn hiệu thực tế Khơng thể có đặc tả kỹ thuật tiêu chuẩn thử nghiệm trừ vấn đề giải Phụ lục C (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh C.1 Giới thiệu Phụ lục đưa định nghĩa giá trị đặc tính từ tĩnh sọc từ kháng từ cao Các thơng số hữu ích sản xuất vật liệu từ không trực tiếp liên quan đến đặc tính hiệu từ Bảng thẻ Khơng đảm bảo sọc từ có giá trị đưa Phụ lục phù hợp với yêu cầu bắt buộc đưa Bảng Tuy nhiên, sọc từ không tuân thủ giá trị từ tĩnh đề xuất có khả khơng phù hợp với đặc tính Bảng C.2 Thuật ngữ định nghĩa C.2.1 Trường lớn (maximum field) Hmax Cường độ từ trường tuyệt đối lớn áp dụng miêu tả phương pháp thử nghiệm C.2.2 Vòng lặp tĩnh M(H) (static M(H) loop) Vịng lặp trễ thơng thường mà cường độ từ trường có chu kỳ -Hmax đến +Hmax tốc độ thay đổi thấp để vịng lặp khơng bị ảnh hưởng tốc độ thay đổi C.2.3 Kháng từ (Coercivity) H’cM = H'cJ Từ trường áp dụng liên tục giảm từ tính xuống từ trạng thái từ tính lớn trước theo hướng ngược lại, đại lượng đo song song với trục dài sọc từ C.2.4 Cảm ứng từ dư (remanence) Mr Giá trị từ tính (M) theo hướng cho từ trường (H=0) sau đặt gỡ bỏ trường lớn (Hmax) theo hướng tương tự C.2.5 Kháng từ cảm ứng từ dư (remanence coercivity) Hr từ trường áp dụng mà gỡ bỏ quay vật liệu trở lại có trạng thái từ tính từ trạng thái từ tính lớn trước theo hướng ngược lại, đại lượng đo song song với trục dài sọc từ C.2.6 Oxtet (Oersted) Oe Đơn vị Gao-xơ cgs cường độ từ trường sử dụng phổ biến công nghiệp ghi từ xấp xỉ 79,578 A/m C.2.7 Khử từ tĩnh (static demagnetisation) S160 Giảm từ tính cảm ứng dư từ ảnh hưởng từ trường đối ngược; đặc trưng [Mr - M+(160)]/Mr C.2.8 Vng góc dọc (longitudinal squareness) SQ = Mr/M at (Hmax) Tỉ lệ giá trị cảm ứng dư từ (Mr) sau áp dụng từ bỏ trường mạnh (Hmax) từ tính (M) trường lớn áp dụng (Hmax) đo dọc theo trục dọc sọc từ C.2.9 Tỉ lệ cảm ứng dư từ (remanence ratio) RM = (MrP / MrL) Tỉ lệ cảm ứng dư từ vng góc đo vng góc với bề mặt sọc từ (MrP) cảm ứng dư từ dọc đo theo hướng dọc sọc từ (MrL) C.2.10 Trường chuyển đổi độ dốc (switching fìeld by slope) SFS (/H2/-/H1/)/ H’cM M(-/H1/) = 0,5Mr and M(-/H2/) = -0,5 Mr; khác giá trị trường phân đoạn vòng lặp từ tính tĩnh M(H) với M(H) = 0,5 Mr and M(H) = -0,5 Mr, chia kháng từ C.2.11 Trường chuyển đổi đạo hàm (switching field by derivative) SFD Chiều rộng nửa chiều cao đường cong từ tính tĩnh khác biệt M(H) chia giá trị kháng từ đường cong tương tự CHÚ THÍCH: Các định nghĩa đặc tính từ tính tĩnh có nguồn gốc từ IEC 50-221 (được thay IEC 600050-221) ISO 31-5:1992 (được thay IEC 80000-6) C.3 Đặc tính khuyến nghị Các đặc tính tĩnh khuyến nghị sọc từ kháng từ cao bảng C.1 Bảng C.1 - Đặc tính tĩnh vật liệu từ kháng từ cao TT Thông số Ký hiệu Giá trị Kháng từ H'cM 335 kA/m (420 Oe) lớn 200 kA/m (250 Oe) nhỏ Khử từ tĩnh S160 0,20 lớn Vng góc dọc SQ 0,80 nhỏ Tỉ lệ cảm ứng dư từ RM 0,35 lớn Chuyển đổi trường độ dốc SFS 0,30 lớn Chuyển đổi trường đạo hàm SFD 0,50 lớn CHÚ THÍCH: Bảng C.1 trùng với bảng đưa TCVN 11166-2 (ISO/IEC 7811-2) TCVN 111666 (ISO/IEC 7811-6) kháng từ đề nghị lớn Phụ lục D (tham khảo) Tham khảo mã Reed-Solomon Berlekamp, E R., “Nonbinary BCH decoding", International Symposium on lnformation Theory San Remo, Italy, 1967 Berlekamp, E R., Algebraic Coding Theory, McGraw-Hill: New York, 1968 Blahut, R E Theory and Practice of Error Control Code., Reading, Massachusetts, Addison Wesely, 1984 Chien, R T., “Cyclic decoding procedure for Bose-Chaudhuri-Hocquenghem codes”, IEEE Transactions on Information Theory Vol IT-10, October 1964 Consultive Committee for Space Data Systems, “Telemetry Channel Coding", CCSD 101.0-B-4 Blue Book Washington D C., May 1999 Forney, G D., “On decoding BCH codes”, IEEE Transactions on Information Theory Vol IT-11, October 1965 Gorenstein and Zierler, “A class of error correcting codes in 7811-1_ed1fig12.EPSsymbols”, Journal of the Society of Industrial and Applied Mathematics Vol 9, June 1961 Lin and Costello, Error Control Coding: Fundamentals and Applications Engalwood Cliffs New Jersey, Prentice-Hall, 1983 Perman and Lee, “Reed-Solomon encoders - conventional vs Berlekamp's architecture”, NASA JPL Publication No 82-71, November 1982 Peterson and Weldon, Error-Correcting Codes Cambridge Massachusetts, MIT Press, 1996 Peterson, W W., “Encoding and error-correction procedures for Bose-Chaudhuri Codes”, IEEE Transactions on Information Theory Vol IT-6, September, 1960 Reed, Deutsch, Hsu, Truong, Wang, and Yeh, “The VLSI implementation of a Reed-Solomon encoder using Berlekamp’s bit-serial multiplier algorithm”, IEEE Transactions on Computers Vol C-33, No 10, October 1984 Reed, I S and Solomon, G, “A decoding procedure for polynomial codes", MIT Lincoln Laboratory Group Report No.47.24, March 1959 Reed, I S and Solomon, G., “Polynomial codes over certain finite fields", MIT Lincoln Laboratory Group Report No.47.23, 31 December 1958 Reed, I S and Solomon, G., “Polynomial codes over certain finite fields”, SIAM Journal of Applied Mathematics Vol Truong, Eastman, Reed, and Hsu, “Simplified procedure for correcting both errors and erasures ReedSolomon code using Euclidean algorithm”, IEEE Proceedings Vol 135, Pt E, No 6, November 1988 Welch and Berlekamp, "Error Correction for Algebraic Block Codes”, U S Patent No 4,633,470, issued December 30,1986 Weldon, E J., Error-Correcting Codes with Application to Data Storage and Communication Systems Department of Electrical Engineering University of Hawaii, 2001 Wicker and Bhargava, Reed-Solomon Codes And Their Applications New York, IEEE Press, 1994 Wicker, Stephen B., Error Control Systems for Digital Communication and Storage Upper Saddle River New Jersey, Prentice-Hall, 1995 MỤC LỤC Lời nói đầu Phạm vi áp dụng Sự phù hợp Tài liệu viện dẫn Thuật ngữ định nghĩa Đặc tính vật lý thẻ định danh 5.1 Độ vênh vùng sọc từ 5.2 Biến dạng bề mặt Đặc tính vật lý sọc từ 6.1 Chiều cao đường dốc bề mặt vùng sọc từ 6.2 Tính thơ ráp bề mặt 6.3 Tính bám dính sọc từ với thẻ 6.4 Tính mài mịn sọc từ cắm/rút khỏi đầu đọc/ghi 6.5 Tính kháng hóa chất Đặc tính hiệu vật liệu từ 7.1 Yêu cầu chung 7.2 Môi trường hoạt động thử nghiệm 7.3 Yêu cầu biên độ tín hiệu cho phương tiện truyền thơng từ tính Kỹ thuật mã hóa Đặc tả mã hóa 9.1 Góc ghi 9.2 Mật độ bit danh định 9.3 Biến đổi cách khoảng chuyển tiếp dòng 9.4 u cầu biên độ tín hiệu 9.5 Cấu hình bit 9.6 Hướng ghi 9.7 Các số đầu đuôi 10 Cấu trúc liệu 10.1 Định dạng rãnh 10.2 Mã hóa việc phát sửa lỗi 11 Giải mã 12 Vị trí rãnh mã hóa Phụ lục A (tham khảo) Khả tương tích đọc sọc từ Phụ lục B (tham khảo) Mài mịn sọc từ Phụ lục C (tham khảo) Đặc tính từ tĩnh C.1 Giới thiệu C.2 Thuật ngữ định nghĩa C.3 Đặc tính khuyến nghị Phụ lục D (tham khảo) Tham khảo mã Reed-Solomon