(Đồ án tốt nghiệp) NGHIÊN cứu NÂNG CAO HIỆU SUẤT PIN mặt TRỜI dị THỂ vô ĐỊNH HÌNH TINH THỂ SILIC có cấu TRÚC EMITTER PHÍA SAU BẰNG PHƯƠNG PHÁP mô PHỎNG

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP NGÀNH CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU NGHIÊN CỨU NÂNG CAO HIỆU SUẤT PIN MẶT TRỜI DỊ THỂ VÔ ĐỊNH HÌNH/TINH THỂ SILIC CĨ CẤU TRÚC EMITTER PHÍA SAU BẰNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG GVHD: ĐÀO VĨNH ÁI SVTH: HỒ CƠNG OANH KIỀU MSSV: 16130032 SKL007553 Tp Hồ Chí Minh, tháng 08/2020 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MƠN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU KHỐ LUẬN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU NÂNG CAO HIỆU SUẤT PIN MẶT TRỜI DỊ THỂ VƠ ĐỊNH HÌNH/TINH THỂ SILIC CĨ CẤU TRÚC EMITTER PHÍA SAU BẰNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG GVHD: TS ĐÀO VĨNH ÁI SVTH: HỒ CƠNG OANH KIỀU MSSV: 16130032 Khố: 2016 - 2020 Tp Hồ Chí Minh, tháng 08 năm 2020 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MƠN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU KHOÁ LUẬN TỐT NGHIỆP NGHIÊN CỨU NÂNG CAO HIỆU SUẤT PIN MẶT TRỜI DỊ THỂ VÔ ĐỊNH HÌNH/TINH THỂ SILIC CĨ CẤU TRÚC EMITTER PHÍA SAU BẰNG PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG GVHD: TS ĐÀO VĨNH ÁI SVTH: HỒ CƠNG OANH KIỀU MSSV: 16130032 Khố: 2016 - 2020 Tp Hồ Chí Minh, tháng 08 năm 2020 Tp Hồ Chí Minh, ngày 01 tháng 07 năm 2020 NHIỆM VỤ KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP Giảng viên hướng dẫn: TS Đào Vĩnh Ái Cơ quan công tác giảng viên hướng nghiên cứu Khoa học Cơ và Ứng dụng, Trường Đại học Duy Tân Sinh viên thực hiện: Hồ Công Oanh Kiều Tên đề tài: Nghiên cứu nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau phương pháp mơ Nội dung khóa luận: Khảo sát hiệu suất chuyển đổi lượng pin mặt trời dị thể có cấu trúc emitter phía sau thay đổi cơng điện tử lớp TCO; thay + đổi nồng độ pha tạp và độ dày lớp a-Si:H(n ); thay đổi mật độ oxy, điện trở suất và độ dày lớp hấp thụ c-Si(n) Phân tích đánh giá kết đạt từ rút điều kiện tối ưu để chế tạo pin mặt trời có hiệu suất cao Các sản phẩm dự kiến: Bài báo cáo Ngày giao đồ án: 01/07/2020 Ngày nộp đồ án: 31/08/2020 Ngôn ngữ trình bày: Bản báo cáo: Tiếng Anh  Tiếng Việt Trình bày bảo vệ: Tiếng Anh Tiếng Việt TRƯỞNG BỘ MÔN TS Nguyễn Thụy Ngọc Thủy   GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN TS Đào Vĩnh Ái i KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MƠN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU CỘNG HỒ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự - Hạnh phúc ******* NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN MSSV: 16130032 Họ tên Sinh viên: Hồ Công Oanh Ki ều Ngành: Công nghệ vật liệu Tên đề tài: Nghiên cứu nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau phương pháp mơ Họ tên Giáo viên hướng dẫn: Đào Vĩnh Ái Cơ quan cơng tác GV hướng dẫn: Phịng thí nghiệm FM&D, Viện nghiên cứu Khoa học Cơ và Ứng dụng, Trường Đại học Duy Tân Địa chỉ: Số 01A đường TL29, Phường Thạnh Lộc, Quận 12, Tp Hồ Chí Minh NHẬN XÉT Về nội dung đề tài và khối lượng thực hiện: - Về nội dung đề tài: Sinh viên Hồ Công Oanh Kiều thực đề tài: “Nghiên cứu nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau phương pháp mơ phỏng” Thực đầy đủ nội dung yêu cầu bao gồm: (1) khảo sát hiệu suất chuyển đổi lượng pin mặt trời dị thể có cấu trúc emitter phía sau thay đổi cơng điện tử lớp TCO; (2) thay đổi nồng độ pha tạp và độ dày lớp a-Si:H(n +); (3) thay đổi mật độ oxy, điện trở suất và độ dày lớp hấp thụ c-Si(n); (4) phân tích đánh giá kết đạt từ rút điều kiện tối ưu để chế tạo pin mặt trời có hiệu suất cao - Về khối lượng thực hiện: Sinh viên Hồ Công Oanh Kiều hoàn thành khối lượng tương đối lớn tính tốn mơ để tìm điều kiện tối ưu nhằm nâng cao hiệu suất chuyển đổi lượng pin mặt trời dị thể Về bản, kết mơ giải thích hoàn toàn phù hợp với lý thuyết Tinh thần học tập, nghiên cứu sinh viên: Sinh viên Hồ Công Oanh Kiều thể tinh thần chịu khó tìm tịi, chăm và hoàn thành tốt yêu cầu đề đề tài Ngoài làm thái độ làm việc nghiêm túc, sinh viên Kiều chấp hành tốt việc thực Nội quy và Quy định phịng thí nghiệm FM&D ii Ưu điểm: Sinh viên Kiều thành công việc mô nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau với hiệu suất lên đến 27,33 % và kết này cao so với cơng trình nghiên cứu trước Khuyết điểm: Mặc dù kết mô nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau đạt kết tốt việc xử lý và phân tích số liệu chưa đủ sâu Nhưng là khuyết điểm chấp nhận đề tài cấp sinh viên Đề nghị cho bảo vệ hay không? Đồng ý cho sinh viên Hồ Công Oanh Kiều bảo vệ trước Hội đồng chấm khóa luận tốt nghiệp Điểm: (Bằng chữ: ) Tp Hồ Chí Minh, ngày 30 tháng 08 năm 2020 Giáo viên hướng dẫn TS Đào Vĩnh Ái iii KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG BỘ MÔN CƠNG NGHỆ VẬT LIỆU CỘNG HỒ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự - Hạnh phúc ******* NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN PHẢN BIỆN Họ tên Sinh viên: Hồ Công Oanh Ki ều MSSV: 16130032 Ngành: Công nghệ Vật liệu Tên đề tài: Nghiên cứu nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vô định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau phương pháp mô Họ tên Giáo viên phản biện: …………………………………………………… Cơ quan công tác GV phản biện: ………………………………………… …… Địa chỉ: …………………………………………………………………………… NHẬN XÉT Về nội dung đề tài và khối lượng thực hiện: Ưu điểm: Khuyết điểm: Kiến nghị và câu hỏi: Đề nghị cho bảo vệ hay không? Điểm:……… (Bằng chữ: ………………………………………… ….) Tp Hồ Chí Minh, ngày tháng năm 2020 Giáo viên phản biện iv LỜI CẢM ƠN Lời đầu tiên, em xin gửi lời cảm ơn đến Ban Giám hiệu trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh tạo mơi trường học tập thuận lợi cho sinh viên Em xin cảm ơn đến Thầy, Cô Khoa Khoa học Ứng dụng, người tận tâm truyền đạt kiến thức, quan tâm động viên em suốt bốn năm học vừa qua, giúp em có đủ kiến thức để hoàn thành khóa luận này Đặc biệt, em xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến TS Đào Vĩnh Ái cơng tác Phịng thí nghiệm FM&D, Viện nghiên cứu Khoa học Cơ và Ứng dụng, Trường Đại học Duy Tân Thầy định hướng cho em biết hướng đề tài và suốt trình hoàn thành luận văn thầy theo sát bước, truyền đạt cho em kiến thức chuyên môn tác phong làm việc Cảm ơn Thầy giúp đỡ em nhiều để em hoàn thiện khóa luận tốt nghiệp này Em xin gửi lời cảm ơn đến Thầy, Cô, anh, chị làm việc Phịng thí nghiệm FM&D, Viện nghiên cứu Khoa học Cơ và Ứng dụng, Trường Đại học Duy Tân dạy, tạo điều kiện thuận lợi để em sử dụng sở vật chất, máy móc và thiết bị q trình làm khóa luận tốt nghiệp này Cảm ơn bạn Hà Minh Trí, Lê Văn Tài, Nguyễn Thị Thu Uyên, Nguyễ n Thị Kim Loan, Đặng Công Thuận, Cù Phạm Thành Hiếu, Trịnh Ngọc Lễ giúp đỡ, động viên em học tập và q trình thực khóa luận tốt nghiệp Đặc biệt là bạn Lê Thị Như Quỳnh và Dương Anh Tú - hai người bạn tốt đồng hành em bốn năm qua, người giúp em lấy lại động lực lúc khó khăn để hoàn thành khóa luận này Cuối xin gửi lời cảm ơn đến ba mẹ và anh trai tin tưởng, yêu thương, chăm sóc để yên tâm học tập Xin chúc tất người mạnh khỏe và đạt nhiều thành công! Xin chân thành cảm ơn Tp Hồ Chí Minh, ngày 26 thánh 08 năm 2020 Sinh viên Hồ Công Oanh Kiều v LỜI CAM ĐOAN Dưới sự hướng dẫn trực tiếp TS Đào Vĩnh Ái, Tơi xin cam đoan kết khóa luận này tơi thực và số liệu hoàn toàn trung thực, chưa công bố báo cáo trước đây, nội dung tham khảo khóa luận tốt nghiệp trích dẫn xác và đầy đủ theo qui định Nếu phát có sự gian lận nào tơi xin hoàn toàn chịu trách nhiệm nội dung khoá luận Luận văn này thực và sử dụng máy móc thiết bị có sẵn Phịng thí nghiệm FM&D Trường Đại học Duy Tân, Viện Khoa học Vật liệu Ứng dụng và đối tác Phịng thí nghiệm Đồng thời, TS Đào Vĩnh Ái hỗ trợ gần toàn kinh phí cho nghiên cứu này Kết sử dụng để hoàn thành luận văn tốt nghiệp Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh Chỉ TS Đào Vĩnh Ái quyền sử dụng kết nghiên cứu này để công bố khoa học Tp Hồ Chí Minh, ngày 26 thánh 08 năm 2020 Sinh viên Hồ Cơng Oanh Kiều vi MỤC LỤC Trang bìa Nhiệm vụ khóa luận tốt nghiệp i Nhận xét giáo viên hướng dẫn ii Nhận xét giáo viên phản biện iv Lời cảm ơn .v Lời cam đoan vi Mục lục vii Danh mục từ viết tắt ix Danh mục bảng biểu .xiv Danh mục biểu đồ và hình ảnh xv LỜI MỞ ĐẦU CHƯƠNG TỔNG QUAN 1.1 Tổng quan pin mặt trời 1.2 Các thông số đặc trưng pin mặt trời 1.2.1 Mật độ dòng ngắn mạch .7 1.2.2 Thế hở mạch .8 1.2.3 Công suất cực đại, hiệu suất, hệ số lấp đầy pin mặt trời 1.3 Giới thiệu sơ lược pin mặt trời Silic 10 1.4 Sơ lược pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic .11 1.5 Ưu điểm và q trình tối ưu hóa pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau 16 1.5.1 Ưu điểm 16 1.5.2 Q trình tối ưu hóa 18 CHƯƠNG PHẦM MỀM MÔ PHỎNG AFORS - HET .23 2.1 Giới thiệu phần mềm AFORS - HET 23 2.2 Mơ hình quang 23 2.3 Mơ hình điện 23 2.4 Ưu điểm phần mềm AFORS - HET 25 CHƯƠNG KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 26 3.1 Cấu trúc pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau phầm mềm mô AFORS - HET 26 3.2 Sự ảnh hưởng cơng điện tử lớp oxit dẫn điện suốt đến hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau 26 vii Như tăng độ dày lớp hấp thụ c-Si(n) Voc và FF giảm liên tục, Jsc tăng đến giá trị cực đại Top sau giảm Hiệu suất pin mặt trời dị thể chủ yếu phụ thuộc vào Jsc Khi Tc-Si(n) = 250 μm và ρ = 0,5 Ωcm, lúc này pin mặt trời dị thể có hiệu suất cao nhất: η = 27,33 % với Voc = 761,4 mV, Jsc = 42,36 mA/cm2 , FF = 84,72 % 3.5 Đánh giá lại kết Hình 3.25 Đường đặc trưng J - V và công suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau điều kiện tối ưu + Từ kết đánh giá phân tích sự ảnh hưởng lớp TCO, a-Si:H(n ) và c-Si(n) đến đặc trưng pin mặt trời dị thể, rút điều kiện tối ưu để chế tạo pin có hiệu suất cao Các điều kiện tối ưu bao gồm: lớp + TCO có ΦTCO = 3,7 eV; lớp a-Si:H(n ) có độ dày Ta-Si:H(n 15 + ) = nm (dựa điều kiện -3 10 -3 thực tế) và Nd = 5×10 cm ; lớp hấp thụ c-Si(n) có ρ = 0,5 Ωcm, Dod = 1×10 cm và Tc-Si(n) = 250 μm Cuối cùng, hiệu suất chuyển đổi lượng pin mặt trời dị thể đạt giá trị cao nhất: η = 27,33 % với Voc = 761,4 mV, Jsc = 42,36 mA/cm và FF = 84,72 % Hình 3.25 thể đường đặc trưng J - V và công suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau điều kiện tối ưu 50 KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN A Kết luận Chúng nghiên cứu tập trung vào lớp TCO, a-Si:H(n +) và c-Si(n) nhằm mục đích nâng cao hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau phần mềm mơ AFORS - HET Qua q trình nghiên cứu, chúng tơi rút điều kiện tối ưu để chế tạo pin mặt trời dị thể có hiệu suất cao sau:  Đối với lớp TCO: càng tăng ΦTCO đặc trưng pin càng giảm Khi ΦTCO = 3,7 eV hiệu suất chuyển đổi lượng đạt cao  Đối với lớp a-Si:H(n+): - Độ dày lớp a-Si:H(n+) càng thấp hiệu suất pin thu càng cao, nhiên dựa vào điều kiện chế tạo thực tế lớp a-Si:H(n +) có độ dày tối thiểu là nm Nồng độ pha tạp càng cao hiệu suất pin càng giảm, nên nồng độ pha tạp cần phải thấp 5×1018 cm-3 Kết mô cho hiệu suất cao nồng độ pha tạp là 5×1015 cm-3 Đối với lớp hấp thụ c-Si(n): Với Mật độ oxy lớp hấp thụ càng cao hiệu suất thu càng giảm giá trị là 1×1010 cm-3 đặc trưng pin thu cao so với mật độ oxy tăng lên đến 1×1011 cm-3 Tăng điện trở suất lớp hấp thụ từ 0,5 Ωcm lên đến Ωcm, hiệu suất pin giảm 3,73 % từ 27,31% xuống 23,58 % Do giá trị điện trở suất 0,5 Ωcm cho hiệu suất cao - Hiệu suất pin mặt trời đạt giá trị cao độ dày lớp hấp thụ đạt giá trị tối ưu Ứng với giá trị điện trở suất độ dày tối ưu lớp hấp thụ có giá trị khác Đối với lớp c-Si(n) có điện trở suất là 0,5 Ωcm độ dày tối ưu lớp này là 250 μm + - Kết hợp tất điều kiện tối ưu lớp TCO, a-Si:H(n ), c-Si(n) bao + 15 -3 10 -3 gồm: ΦTCO = 3,7 eV, Ta-Si:H(n ) = nm, Nd = 5×10 cm , Dod = 1×10 cm , ρ = 0,5 Ωcm, Tc-Si(n) = 250 μm, hiệu suất pin mặt trời dị thể đạt cao là 27,33 % với Voc = 761,4 mV, Jsc = 42,36 mA/cm2 và FF = 84,72 % B Hướng phát tri ển Bên cạnh kết tính tốn mô trên, để hoàn thiện hơn, có đề xuất sau: 51 Thực thêm tính tốn mơ sai hỏng bề mặt lớp hấp thụ Thực thêm tính tốn mơ lớp emitter phía sau - Triển khai chế tạo pin mặt trời dị thể với cấu trúc emitter phía sau với thơng số vừa tối ưu 52 TÀI LIỆU THAM KHẢO Tiếng Việt [28] Ngô Thị Thanh Giang (2020) “Ứng dụng phép xấp xỉ thống kê việc tối ưu pin mặt trời dị thể vơ định hình/tinh thể Silic” Luận văn thạc sĩ khoa học, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Trang 8-27 Tiếng Anh [1] Acikgoz C (2011) “Renewable energy education in Turkey” Renewable Energy, 36, pp 608 - 611 [2] Chmielewsk A G (2005) “Environmental effects of fossil fuel combustion”, EOLSS, pp - [3] Fritts C E (1885) “On the Fritts selenium cells and batteries” J Franklin Inst 119 (3), pp 221 - 232 [4] Taguchi M., Yano A., Tohoda S., Matsuyama K., Nakamura Y., Nishiwaki T., Maruyama E (2013) “24.7 % record efficiency HIT solar cell on thin Silicon wafer” IEEE J Photovoltaics (1), pp 96 - 99 [5] Masuko K., Shigematsu M., Hashiguchi T., Fujishima D., Kai M., Yoshimura N., Yamanishi T (2014) “Achievement of more than 25 % conversion efficiency with crystalline Silicon heterojunction solar cell” IEEE J Photovoltaics (6), pp 1433 - 1435 [6] Dao V A., Lee Y., Kim S., Kim Y., Lakshminarayan N., Yi J (2011) “Interface characterization and electrical transport mechanisms in a-Si: H/cSi heterojunction solar cells” J Electrochem Soc 158 (3), pp 312 [7] Tanaka M., Taguchi M., Matsuyama T., Sawada T., Tsuda S., Nakano S., Kuwano Y (1992) “Development of new a-Si/c-Si heterojunction solar cells: ACJ-HIT (artificially constructed junctionheterojunction with intrinsic thin-layer)” Jpn J Appl Phys 31, pp 3518 [8] Yoshikawa K., Kawasaki H., Yoshida W., Irie T., Konishi K., Nakano K., Yamamoto K (2017) “Silicon heterojunction solar cell with interdigitated back contacts for a photoconversion efficiency over 26 %” Nat Energy (5), pp 17032 [9] Lu M., Bowden S., Das U., Burrows M., Birkmire R (2007) “Interdigitated Back Contact Silicon Heterojunction (IBC - SHJ) Solar Cell” MRS Proc pp 989 53 [10] Lee S., Trinh T T., Pham D P., Kim S., Kim Y., Park J., Yi J (2019) “In Situ Process to Form Passivated Tunneling Oxides for Front-Surface Field in Rear- Emitter Silicon Heterojunction Solar Cells” ACS Sustainable Chem Eng (24), pp 19332 - 19337 [11] Li S., Tang Z., Xue J., Gao J., Shi Z., Li X (2018) “Comparative study on front emitter and rear emitter n-type Silicon heterojunction solar cells: The role of folded electrical fields” Vac 149, pp 313 - 318 [12] Khokhar M Q., Hussain S Q., Kim S., Lee S., Pham D P., Kim Y., Yi J (2020) “Review of Rear Emitter Silicon Heterojunction Solar Cells” Trans Electr Electron Mater 21, pp.138 - 143 [13] De S., Kondo M (2007) “Boron-doped a-Si:H/c-Si interface passivation: Degradation mechanism” Appl Phys Lett 91, pp 112109 [14] Yang L., Zhong S., Zhang W., Li X., Li Z., Zhuang Y., Shen W (2018) “Study and development of rear-emitter Si heterojunction solar cells and application of direct copper metallization” Prog Photovoltaics Res Appl 26 (6), pp 385 - 396 [15] Park H., Khokhar M Q., Cho E C., Ju M., Kim Y., Kim S., Yi J (2020) “Computer modeling of the front surface field layer on the performance of the rear-emitter Silicon heterojunction solar cell with 25 % efficiency” Opt 205, pp 164011 [16] Watahiki T., Furuhata T., Matsuura T., Shinagawa T., Shirayanagi Y., Morioka T., Tokioka H (2015) “Rear-emitter Si heterojunction solar cells with over 23 % efficiency” Appl Phys Express (2), pp 021402 [17] Bivour M., Schroeer S., Hermle M., Glunz S W (2014) “Silicon heterojunction rear emitter solar cells: Less restrictions on the optoelectrical properties of front side TCOs” Sol Energy Mater Sol Cells 122, pp 120 129 [18] Bivour M., Reichel C., Hermle M., Glunz S W (2012) “Improving the a-Si:H(p) rear emitter contact of n-type Silicon solar cells” Sol Energy Mater Sol Cells 106, pp 11 - 16 [19] Becquerel E (1935) “Mémoire sur les effets électriques produits sous l’influence des rayons solaires” C.R Acad Sci 9, pp 561 - 567 [20] Fraas L M (2014) “History of Solar Cell Development” Springer, Cham pp - 12 [21] Hovel H J., Woodall J M (1972) “High efficiency AlGaAs-GaAs solar cells” Appl Phys Lett 21, pp 379 - 381 54 [22] Mishima T., Taguchi M., Sakata H., Maruyama E (2011) “Development status of high - efficiency HIT solar cells” Sol Energy Mater Sol Cells 95, pp 18 - 21 [23] Green M A (2009) “The path to 25 % Silicon solar cell efficiency: History of Silicon cell evolution” Prog Photovoltaics Res Appl 17 (3), pp 183 - 189 [24] Rathore N., Panwar N L., Yettou F., Gama A (2019) “A comprehensive review of different types of solar photovoltaic cells and their applications” Int J Ambient Energy pp - 18 [25] Zhao L., Li H L., Zhou C L., Diao H W., Wang W J (2009) “Optimized resistivity of p-type Si substrate for HIT solar cell with Al back surface field by computer simulation” Energy Eng 83 (6), pp 812 - 816 [26] Chopra K L., Paulson P D., Dutta V (2004) “Thin‐film solar cells: an overview” Prog Photovoltaics Res Appl 12, pp 69 - 92 [27] NREL Transforming Energy “NREL Best Research - Cell Efficiency Chart.” [Online].Available:https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html (10/05/2020) [29] Tao Y., Rohatgi A (2017) “High ‐ Efficiency Front Junction n‐Type Crystalline Silicon Solar Cells” Nanostruct Sol Cells, pp 93 [30] Das A K., Karmalkar S (2011) “Analytical Derivation of the Closed-Form Power Law J - V Model of an Illuminated Solar Cell From the Physics Based Implicit Model” IEEE Trans Electron Devices 58 (4), pp 1176 - 1181 [31] Stuckelberger M., Biron R., Wyrsch N., Haug F J., Ballif C (2017) “Progress in solar cells from hydrogenated amorphous Silicon” Renewable Sustainable Energy Rev 76, pp 1497 - 1523 [32] Van W., Korte L., Roca F (2012) “Physics and technology of amorphous - crystalline heterostructure Silicon solar cells” Berlin: Springer, pp - 43 [33] De S., Descoeudres A., Holman Z C., Ballif C (2012) “High efficiency Silicon heterojunction solar cells: A review” Green, (1), pp - 24 [34] Phadke M S (1995) “Quality engineering using robust design” Prentice Hall PTR pp 112 - 198 [35] Panasonic Electric Works Europe AG “Panasonic HIT Heterojunction technology", [Online] Available: https://eu- solar.panasonic.net/en/hit (07/05/2020) - heterojunction-sanyo-panasonic.htm [36] Bivour M., Schroer S., Hermle M., Glunz S W (2014) “Silicon heterojunction rear emitter solar cells: Less restrictions on the optoelectrical 55 properties of front side TCOs” Sol Energy Mater Sol Cells 122, pp 120 - 129 [37] Mazzarella L., Morales-Vilches A B., Korte L., Schlatmann R., Stannowski B (2018) “Ultra - thin nanocrystalline n-type silicon oxide front contact layers for rear - emitter Silicon heterojunction solar cells” Sol Energy Mater Sol Cells 179, pp 386 - 391 [38] Varache R., Valla A., Nguyen N., Muñoz D (2014) “Front Side Recombination Losses Analysis in Rear Emitter Silicon Heterojunction Solar Cells” Energy Procedia, 55, pp 302 - 309 [39] Kim S., Park J., Phong P D., Shin C., Iftiquar S M., Yi J (2018) “Improving the efficiency of rear emitter Silicon solar cell using an optimized n - type Silicon oxide front surface field layer” Sci Rep (1), pp - 10 [40] Pham D P., Kim S., Lee S., Le A H T., Park J., Yi J (2019) “Ultra - thin stack of n-type hydrogenated microcrystalline Silicon and Silicon oxide front contact layer for rear - emitter Silicon heterojunction solar cells” Mater Sci Semicond Process 96, pp - [41] Niemela J P., Macco B., Barraud L., Descoeudres A., Badel N., Despeisse M., Creatore M (2019) “Rear - emitter Silicon heterojunction solar cells with atomic layer deposited ZnO:Al serving as an alternative transparent conducting oxide to In2O3:Sn” Sol Energy Mater Sol Cells 200, pp 109953 [42] Van W., Korte L., Roca F (2012) “Physics and technology of amorphous - crystalline heterostructure Silicon solar cells” Berlin: Springer, pp 1-43 [43] Radder C., Satyanarayana B S (2018) “Simulation and analysis on device parameter variations of single junction hydrogenated amorphous Silicon solar cell” Mater Today: Proc (4), pp 10867 10874 [44] Stangl R., Leendertz C., Haschke J (2010) “Numerical simulation of solar cells and solar cell characterization methods: the open-source on demand program AFORS - HET” Sol Energy 14, pp 319 352 [45] Jehad A K., Hamammu I (2013) “Computer simulation on solving Poisson’s equation for the Silicon solar cell” ICECE-Benghazi (Libya) pp - [46] Nath M., Chatterjee P., Damon-Lacoste J., Roca P (2008) “Criteria for improved open-circuit voltage in a‐Si: H (N)/c‐Si (P) front heterojunction with intrinsic thin layer solar cells” J Appl Phys 103 (3), pp 034506 [47] Jiang X., Wong F L., Fung M K., Lee S T (2003) “Aluminum - doped zinc oxide films as transparent conductive electrode for organic light - emitting devices” Appl Phys Lett 83 (9), pp 1875 - 1877 56 [48] Singh P., Ravindra N M (2012) “Temperature dependence of solar cell performance-an analysis” Sol Energy Mater Sol Cells 101, pp 36 45 [49] PVeducation, “Quantum efficiency” [Online] Available: https://www.pveducation.org/pvcdrom/solar-celloperation/quantum-efficiency (20/07/2020) [50] Miao J., Chen H., Liu F., Zhao B., Hu L., He Z.,Wu H (2015) “Efficiency enhancement in solution-processed organic small molecule: Fullerene solar cells via solvent vapor annealing” Appl Phys Lett 106 (18), pp 183302 [51] Kadri E., Krichen M., Arab A B (2015) “Effect of the front surface field (a-Si:H) on the spectral response of thin films heterojunctions solar cells” J Comput Electron 14 (2), pp 557 - 565 [52] Xingcai L., Kun N (2018) “Effectively predict the solar radiation transmittance of dusty photovoltaic panels through Lambert - Beer law” Renewable energy, 123, pp 634 - 638 [53] Augusto A F R., Karas J., Balaji P., Bowden S., King R R (2020) “Exploring the practical efficiency limit of Silicon solar cells using thin solargrade substrates” J Mater Chem A [54] Zhao L., Zhou C L., Li H L., Diao H W., Wang W J (2008) “Role of the work function of transparent conductive oxide on the performance of amorphous/crystalline Silicon heterojunction solar cells studied by computer simulation” Phys Status Solidi A 205 (5), pp 1215 - 1221 [55] Corby S., Francás L., Kafizas A., Durrant J (2020) “Determining the role of oxygen vacancies in the photocatalytic performance of WO for water oxidation” Chem Sci [56] Tonio B (2011) “Fundamentals Of Solar Cells: Photovoltaic Solar Energy Conversion”, Academic Press, pp 48 - 68 [57] Park J., Dao V A., Kim S., Pham D P., Kim S., Le A H T., Yi J (2018) “High Efficiency Inorganic/Inorganic Amorphous Silicon/Heterojunction Silicon Tandem Solar Cells” Sci Rep (1), pp - 11 57 ... trời dị thể vơ định hình/ tinh thể Silic emitter phía trước và pin mặt trời dị thể vơ định hình/ tinh thể Silic emitter phía sau [11] Đối với pin mặt trời dị thể vơ định hình/ tinh thể Silic emitter. .. pin mặt trời dị thể vô định hình/ tinh thể Silic có cấu trúc emitter phía sau 26 vii + 3.3 Sự ảnh hưởng lớp a-Si:H(n ) đến hiệu suất pin mặt trời dị thể vơ định hình/ tinh thể có cấu trúc emitter. .. nhóm nghiên cứu thực nghiên cứu so sánh sự khác biệt cấu trúc emitter phía trước và cấu trúc emitter phía sau pin mặt trời dị thể Kết nghiên cứu pin mặt trời có cấu trúc emitter phía sau hở