Tài liệu Tổ chức bộ nhớ_chương 3 docx

9 330 0
Tài liệu Tổ chức bộ nhớ_chương 3 docx

Đang tải... (xem toàn văn)

Thông tin tài liệu

1 1. Giới thiệu 2. Sơ đồ khối và chân 3. Tổ chức bộ nhớ (Memory Organization) 4. Các thanh ghi chức năng đặc biệt (SFR) 5. Dao động và hoạt động reset 6. Tập lệnh 7. Các mode định địa chỉ 8. Lập trình IO 9. Tạo trễ 10.Lập trình Timer/Counter 11.Giao tiếp nối tiếp 12.Lập trình ngắt 13.Lập trình hợp ngữ 2 0000H 0FFFH 0000H 1FFFH 0000H 7FFFH 8751 AT89C51 8752 AT89C52 4k DS5000-32 8k 32k Atmel Corporation Dallas Semiconductor 3-1. Không gian bộ nhớ ROM nội 3 RAM đa mục đích 7FH 30H RAM định địa chỉ bit 2FH 20H Bank 3 1FH Bank 2 17H 10H Bank 1 (Stack) 0FH 07H Default Register Bank for R0-R7 08H 18H 00H R7 R6 R4 R3 R5 R2 R0 R1 7F 7E 7D7C7B7A79 78 … … 1F 1E 1D1C1B1A19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 0F 0E 0D0C0B0A09 08 07 06 05 04 03 02 01 00 2F 2E 20 Byte address Bit address 3-2. Không gian bộ nhớ RAM nội 4 3-2-1. Vùng RAM đa mục đích • Truy xuất tự do 80 bytes này theo kiểu định địa chỉ trực tiếp hay gián tiếp • MOV A,5FH Hay như: MOV R0,#5FH MOV A,@R0 5 3-2-2. Vùng RAM định địa chỉ bit • Truy xuất các bit riêng rẽ là 1 đặc trưng của VĐK. Các bit có thể được set, xóa, AND, OR … chỉ bằng 1 lệnh so với1chuỗi lệnh của VXL •Cácportcũng được định địa chỉ bit • Vd: để set bit 7FH bằng 1, ta viết: VĐK: SETB 7FH VXL: MOV A,2FH ; đọc cả byte ORL A,#10000000B ; set bit MOV 2FH,A ; ghi trở lại cả byte 6 3-2-3. Các dãy thanh ghi (register banks) •Các lệnh dùng thanh ghi là những lệnh ngắn&thực hiện nhanh hơn – MOV A,R5 ; 1 byte – MOV A,05H ; 2 bytes •Các dữ liệu thường dùng nên chứa ở các thanh ghi •Ý tưởng các dãy thanh ghi cho phép chuyển đổi ngữ cảnh nhanh và hiệu quảởcác module độc lập nhau của phần mềm 7 • Thanh ghi dùng truy cập ngăn xếp gọi là SP (stack pointer) • SP là thanh ghi 8 bit: giá trị từ 00 Æ FFH. • Khi được cấp nguồn hay sau khi reset, SP=07H 3-2-4. Ngăn xếp 7FH 30H 2FH 20H 1FH 17H 10H 0FH 07H 08H 18H 00H Register Bank 0 (Stack) Register Bank 1 Register Bank 2 Register Bank 3 Bit-Addressable RAM Scratch pad RAM 8 VD: MOV R6,#25H MOV R1,#12H MOV R4,#0F3H PUSH 6 PUSH 1 PUSH 4 0BH 0AH 09H 08H Start SP=07H 25 0BH 0AH 09H 08H SP=08H F3 12 25 0BH 0AH 09H 08H SP=0AH 12 25 0BH 0AH 09H 08H SP=09H 9 1. Các thanh ghi và các port I/O được định địachỉ theo kiểuánhxạ bộ nhớ (memory mapped) & do đó đượctruyxuấtnhư 1 vị trí nhớ trong bộ nhớ 2. Stack là trên RAM nội thay vì trên RAM ngoài như đốivới các bộ VXL Hai đặctínhcầnlưuý . 1 1. Giới thiệu 2. Sơ đồ khối và chân 3. Tổ chức bộ nhớ (Memory Organization) 4. Các thanh ghi chức năng đặc biệt (SFR) 5. Dao động và hoạt động. kiểuánhxạ bộ nhớ (memory mapped) & do đó đượctruyxuấtnhư 1 vị trí nhớ trong bộ nhớ 2. Stack là trên RAM nội thay vì trên RAM ngoài như đốivới các bộ VXL Hai

Ngày đăng: 22/01/2014, 11:20

Từ khóa liên quan

Mục lục

  • 3-1. Không gian bộ nhớ ROM nội

  • 3-2. Không gian bộ nhớ RAM nội

  • 3-2-1. Vùng RAM đa mục đích

  • 3-2-2. Vùng RAM định địa chỉ bit

  • 3-2-3. Các dãy thanh ghi (register banks)

  • 3-2-4. Ngăn xếp

  • Hai đặc tính cần lưu ý

Tài liệu cùng người dùng

Tài liệu liên quan