(Luận văn thạc sĩ) xây dựng mô hình và mô phỏng cáp trong trạng thái quá độ

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ TRƯƠNG THỊ HỌA MY XÂY DỰNG MƠ HÌNH VÀ MÔ PHỎNG CÁP TRONG TRẠNG THÁI QUÁ ĐỘ S K C 0 9 NGÀNH: THIẾT BỊ MẠNG VÀ NHÀ MÁY ĐIỆN - 605250 S KC 0 9 Tp Hồ Chí Minh, 2012 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ TRƯƠNG THỊ HỌA MY XÂY DỰNG MÔ HÌNH VÀ MƠ PHỎNG CÁP TRONG TRẠNG THÁI Q ĐỘ NGÀNH: TB MẠNG & NHÀ MÁY ĐIỆN -605250 Hướng dẫn khoa học: PGS.TS QUYỀN HUY ÁNH Tp Hồ Chí Minh, tháng 12/2012 Luận Văn Thạc Sĩ Lý lịch khoa học LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: Trương Thị Họa My Giới tính: Nữ Ngày, tháng, năm sinh: 01/12/1984 Nơi sinh: Quảng Ngãi Quê quán: Đức Thạnh, Mộ Đức, Quảng Ngãi Dân tộc: Kinh Chức vụ, đơn vị công tác trước học tập, nghiên cứu: Nhân viên Phịng Kỹ Thuật, Cơng ty Cáp TAIHAN-SACOM, Đồng Nai Chỗ riêng địa liên lạc: Công ty Cáp TAIHAN-SACOM, Đường số 8, Khu Công nghiệp Long Thành, Đồng Nai Điện thoại quan: (+084) 016 3514 145 Fax: (+084) 016 3514 146 E-mail:hoamytruong2003@yahoo.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Cao đẳng: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian đào tạo từ 10/2003 đến 5/2006 Nơi học (trường, thành phố): Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Điện Khí Hóa Cung Cấp Điện Đại học: Hệ đào tạo: Chính qui Thời gian đào tạo từ 09/2006 đến 08/2008 Nơi học: Trường Đại học Sư Phạm kỹ Thuật, Tp.Hồ Chí Minh Ngành học: Điện công nghiệp Tên đồ án, luận án môn thi tốt nghiệp: Sử dụng phần mềm thiết kế tủ điện Ngày & nơi bảo vệ đồ án, luận án thi tốt nghiệp: Đại học Sư Phạm kỹ Thuật, Người hướng dẫn: PGS.TS Quyền Huy Ánh Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Tập trung qui Thời gian đào tạo từ 05/2009 đến 5/ 2011 Nơi học: Đại học sư phạm kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh, Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Thiết bị mạng nhà máy điện Tên luận văn:Xây dựng mô hình mơ cáp trạng thái q độ HVTH:Trƣơng Thị Họa My ii GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Lý lịch khoa học Ngày & nơi bảo vệ luận văn: Tháng 12 năm 2012 Đại học sư phạm kỹ thuật Tp Hồ Chí Minh Người hướng dẫn:PGS TS Quyền Huy Ánh Học vị, học hàm, chức vụ kỹ thuật đƣợc thức cấp; số bằng, ngày & nơi cấp: Bằng Kỹ Sƣ Điện Công Nghiệp Chứng Sƣ phạm bậc 2, cấp Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật Tp.Hồ Chí Minh III Q TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN KỂ TỪ KHI TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC: Thời gian 8/200812/2012 Nơi công tác Công việc đảm nhiệm Công ty Cáp TAIHAN-SACOM Kỹ sư phịng KT- cơng nghệ Ngày 27 tháng 12 năm 2012 Ngƣời khai ký tên Trương Thị Họa My HVTH:Trƣơng Thị Họa My iii GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Lời cam đoan LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chưa công bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày 27 tháng 12 năm 2012 Người viết cam đoan Trương Thị Họa My HVTH:Trương Thị Họa My iv GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Lời cảm ơn LỜI CẢM ƠN Qua thời gian hai năm học tập, nghiên cứu thực luận văn thạc sĩ trường Đại học sư phạm kỹ thuật thành phố Hồ Chí Minh Ở đây, tơi sống học tập điều kiện thuận lợi nhất, lịng tận tụy giảng dạy q thầy cơ, vịng tay giúp đỡ đùm bọc bạn bè học chung lớp Thông qua luận văn xin chân thành cám ơn: Thầy PGS.TS Quyền Huy Ánh, người thầy mẫu mực, tận tụy, định hướng, bảo, truyền đạt kiến thức chuyên môn kinh nghiệm nghiên cứu q trình tơi thực luận văn Q Thầy/Cô phản biện, đưa quan điểm, đánh giá bổ sung vào lĩnh vực nghiên cứu, giúp hiểu rộng hướng nghiên cứu đề tài, tự đánh giá lại công việc thực Q Thầy/Cơ Trường Đại học sư phạm kỹ thuật thành phố Hồ Chí Minh truyền đạt kiến thức chuyên môn, kinh nghiệm, giúp tự tin tìm hiểu kiến thức chuyên ngành Ban Giám hiệu, lãnh đạo Khoa Điện-Điện tử trường Đại học sư phạm kỹ thuật thành phố Hồ Chí Minh tạo điều kiện tốt cho tơi hồn thành khố học Xin chân thành cảm ơn người thân yêu Gia đình khích lệ tạo điều kiện để tơi hồn thành luận văn Lời sau cùng, xin gởi lời cám ơn đến đồng nghiệp, anh chị học viên cao học khóa 2009 – 2011 đóng góp nhiều ý kiến q báu ủng hộ mạnh mẽ mặt tinh thần giúp tơi hồn thành tốt đề tài Xin chân thành cám ơn! Tp Hồ Chí Minh, ngày 27 tháng 12 năm 2012 Học viên thực Trương Thị Họa My HVTH:Trương Thị Họa My v GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Mục lục MỤC LỤC NỘI DUNG TRANG TRANG TỰA QUYẾT ĐỊNH GIAO ĐỀ TÀI i LÝ LỊCH KHOA HỌC ii LỜI CAM ĐOAN iv LỜI CÁM ƠN v TÓM TẮT vi MỤC LỤC viii DANH SÁCH CHỮ VIẾT TẮT xii DANH SÁCH CÁC HÌNH xiii DANH SÁCH CÁC BẢNG xv CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN 1.1 Đặt vấn đề 1.2 Ý nghĩa khoa học thực tiễn đề tài 1.3 Đối tượng mục đích đề tài 1.4 Nhiệm vụ đề tài 1.5 Phương pháp nghiên cứu CHƢƠNG 2: MƠ HÌNH TOÁN HỌC CHO CÁP NGẦM 2.1 Cấu tạo cáp ngầm cao cách điện XLPE 2.1.1 Các kĩ thuật chôn cáp trực tiếp đất 2.1.2 Lợi ích việc sử dụng cáp ngầm cho hệ thống truyền tải cao áp 2.2 Mơ hình tốn học cho cáp ngầm cao 2.2.1 Cáp lõi 11 2.2.1.a Trở kháng 11 2.2.1.b Hệ số điện áp 15 2.2.2 Cáp ống 16 2.2.2.a Trở kháng 16 2.2.2.b Hệ số điện áp 19 HVTH:Trƣơng Thị Họa My viii GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Mục lục CHƢƠNG 3: CÁC PHƢƠNG PHÁP GIẢI BÀI TOÁN QUÁ ĐỘ 22 3.1 Lý thuyết độ 22 3.2 Quá độ điện từ 23 3.2.1 Sóng độ dạng sóng xung 23 3.2.2 Sóng độ dạng sóng dao động 19 3.3 Quá độ xảy thời gian ngắn 25 3.4 Một số tượng độ hệ thống điện 25 3.4.1 Quá độ đóng máy biến áp khơng tải 25 3.4.2 Quá độ đóng trạm tụ bù 27 3.5 Các phương pháp giải toán độ 28 3.5.1 Phương pháp Bergeron 28 3.5.1.1 Đặc tính sở 29 3.5.1.2 Nguyên tắc 31 3.5.2 Sơ đồ Domel 32 3.5.3 Quy tắc hình thang 32 3.6 Phương pháp giảm thiểu dao động số 32 3.6.1 Khởi tạo điều kiện ban đầu 33 3.6.2 Biến đổi toán học 33 3.6.2.a Biến đổi Laplace trạng thái đóng 33 3.6.2.b Phương pháp biến đổi Taylor 35 3.6.2.c Phép tính xấp xỉ số hữu tỉ 35 3.6.2.d Phương pháp biến đổi hình thang phép tích phân 36 3.7 Lý thuyết ổn định 37 3.7.1 Ổn định tĩnh 37 3.7.1.Ổn định động 38 3.7.1.Ổn định động 38 3.8 Các yếu tố ảnh hưởng đến trình độ cáp 39 3.8.1.Độ từ thẫm 39 3.8.1.Hằng số điện môi 41 HVTH:Trƣơng Thị Họa My ix GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Mục lục CHƢƠNG 4: TỔNG QUAN VỀ PHẦN MỀM EMTP 42 4.1 Giới thiệu chương trình mô ATP-EMTP 42 4.2 Nguyên tắc, khả modul ATP 42 4.2.1 Nguyên tắc chung 42 4.2.2 Khả ứng dụng chương trình 43 4.2.3 Những chương trình tương hỗ với ATP 44 4.2.4 Những môđun mô tổng hợp ATP 45 4.2.5 Cách tạo file liệu để mô mạch điện 47 4.3 Một số ứng dụng quan trọng ATP 47 4.4 Giới thiệu ATPDraw 48 4.4.1 Sơ lược ATPDraw 48 4.4.2 Các tập tin file hổ trợ ATPDraw 48 CHƢƠNG 5: KẾT QUẢ MÔ PHỎNG 50 5.1 Thiết lập mô hình đường dây ATP 53 5.2 Khảo sát độ dày lớp Lead sheath 54 5.2.1 Khảo sát độ dày lớp Lead sheath d=1mm 56 5.2.2 Khảo sát độ dày lớp Lead sheath d=2mm 56 5.2.3 Khảo sát độ dày lớp Lead sheath d=3mm 57 5.2.4 Khảo sát độ dày lớp Lead sheath đồ thị 57 5.3 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn 58 5.3.1 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn εr= 2.5 58 5.3.2 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn εr= 2.7 59 5.3.3 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn εr= 2.9 59 5.3.4 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn đồ thị 60 5.4 Khảo sát lớp giáp bảo vệ 61 5.4.1 Khảo sát lớp giáp bảo vệ với µ=1 61 5.5.2 Khảo sát lớp giáp bảo vệ với µ=10 61 5.4.3 Khảo sát lớp giáp bảo vệ với µ=100 62 5.4.4 Khảo sát độ dày lớp giáp bảo vệ đồ thị 62 HVTH:Trƣơng Thị Họa My x GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Mục lục CHƢƠNG 6: KẾT LUẬN 65 6.1 Đánh giá kết đạt 65 6.2 Những vấn đề tồn đề tài 65 6.3 Phương hướng phát triển đề tài 65 TÀI LIỆU THAM KHẢO 66 PHỤ LỤC 67 HVTH:Trƣơng Thị Họa My xi GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.2.1 Khảo sát độ dày lớp bọc chì = 1mm Hình 5.4a: Bảng thiết lập thông số kết mô của cáp độ dày lớp bọc chì=1mm 5.2.2 Khảo sát độ dày lớp bọc chì = 2mm Hình 5.4b: Bảng thiết lập thông số kết mô của cáp độ dày lớp bọc chì=2mm HVTH: Trƣơng Thị Họa My 56 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.2.3 Khảo sát độ dày lớp bọc chì = 3mm Hình 5.4c: Bảng thiết lập thông số kết mô của cáp độ dày lớp bọc chì=3mm 5.2.4 Kết khảo sát độ dày lớp bọc chì đồ thị Hình 5.4 Kết khảo sát theo độ dày lớp bọc chì Có thể nhận thấy giảm độ dày lớp bọc chì từ 2mm xuống 1mm nghĩa tăng độ mạnh suy hao, ngược lại giảm từ 3mm xuống 2mm ảnh hưởng thấp Điều hiểu cách xem xét tần số trạng thái độ khoảng 10kHz Vì vậy, tăng độ dày lớp bọc chì lớn điện trở lớp bảo vệ khơng có thay đổi đáng kể HVTH: Trƣơng Thị Họa My 57 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.3 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn - Độ dày lớp bán dẫn thay đổi là 1, 2, mm - Độ dày lớp vỏ 0,215 mm, vật liệu đồng - Khi đô ̣ dày của lớp semiconductor thay đổ i sẽ dẫn đế n viê ̣c thay đổ i hằ ng số điê ̣n môi tương đố i giữa môi trường, giá trị xác định sau:  rl   rins ln  r2 / r1  ln  b / a  Trong đó: - r1: đường kính ruột dẫn - r2: đường kiń h ngoài của lõi đã đươ ̣c bo ̣c cách điê ̣n - a: đường kính của lõi đươ ̣c bo ̣c lớp bán dẫn - b: đường kiń h của lõi dẫn đươ ̣c bo ̣c cách điê ̣n - εrins: hằ ng số điê ̣n môi tương đố i của lớp cách điê ̣n (εrins = 2,3) Bảng 5.1: Hằ ng số điê ̣n môi tương đố i tương ứng với đô ̣ dày lớp bán dẫn Độ dày lớp bán dẫn 1mm 2mm 3mm Hằ ng số điê ̣n môi tương đố i εr 2,5 2,7 2,9 5.3.1 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn d= 1mm, số điện mơi εr = 2.5mm Hình 5.5a: Bảng thiết lập thông số kết mô độ dày lớp bán dẫn d = 1mm,hằng số điện môi εr = 2.5mm HVTH: Trƣơng Thị Họa My 58 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.3.2 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn d= 2mm,hằng số điện mơi εr = 2.7mm Hình 5.5b: Bảng thiết lập thông số kết mô độ dày lớp bán dẫn d= 2mm,hằng số điện môi εr = 2.7mm 5.3.3 Khảo sát độ dày lớp bán dẫn d= 3mm, số điện môi εr = 2.9mm Hình 5.5c: Bảng thiết lập thơng số kết mô độ dày lớp bán dẫn = 3mm,hằng số điện môi εr = 2.9mm HVTH: Trƣơng Thị Họa My 59 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.3.4 Kết khảo sát độ dày lớp Semiconductor đồ thị Hình 5.5: Kết khảo sát độ dày lớp semiconductor Thông thường lớp bảo vệ ruột dẫn nối đất đầu, điện áp dọc theo ruột dẫn thấp so với ruột dẫn, trường hợp độ Quá độ tần số cao không ảnh hưởng đến ruột dẫn, đất, lớp vỏ HVTH: Trƣơng Thị Họa My 60 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.4 Khảo sát lớp giáp bảo vệ Trong trường hợp này, lớp áo giáp bao gồm nhiều sợi thép với đường kính sợi 5mm, đô ̣ dày l ớp giáp bảo vê ̣ 5mm Giả thiết lớp cách điện XLPE, đô ̣ dày lớp Lead sheath 2mm,màn chắn bán dẫn 1mm Chỉ khảo sát loại cáp Thông số khảo sát:  r thay đổi lầ n lươ ̣t 1, 10, 100 5.4.1 Khảo sát lớp giáp bảo vệ với µ=1 Hình 5.7a: Bảng thiết lập thông số kết mô lớp giáp bảo vệ với µ=1 5.4.2 Khảo sát lớp giáp bảo vệ với µ=10 Hình 5.7b: Bảng thiết lập thơng số kết mô lớp giáp bảo vệ với µ=10 HVTH: Trƣơng Thị Họa My 61 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô 5.4.3 Khảo sát lớp giáp bảo vệ với µ=100 Hình 5.7c: Bảng thiết lập thơng số kết mơ lớp giáp bảo vệ với µ=100 5.5.4 Kết khảo sát độ dày lớp giáp đồ thị Hình 5.7: Kế t quả khảo sát lớp giáp bảo vê ̣ Điện áp cuối đáp ứng bước nhảy tính tốn cho nhiều giá trị khác với độ dẫn từ áp giáp  r = 1, 10, 100 Điều cho thấy HVTH: Trƣơng Thị Họa My 62 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 5: Kết mô rằng,khi tăng độ dẫn từ độ suy giảm hữu hiệu điện áp tăng lên,nguyên nhân độ dẫn từ tăng lên độ xuyên sâu lớp giáp giảm,vì phải tăng điện trở thẩm thấu bề mặt lớp giáp Đối với cáp có chiều dài 5km, giá trị lớp áo giáp xác định nhỏ so với từ trường xuyên qua khơng đáng kể lớp giáp bảo vệ Vì vậy, phải tăng tần số độ HVTH: Trƣơng Thị Họa My 63 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận văn Thạc sĩ Chƣơng 6: Kết luận CHƢƠNG KẾT LUẬN 6.1 Đánh giá kết đạt đƣợc Trong tính tốn độ, điều quan trọng phải mô tả cách - xác ruột dẫn, lớp cách điện, lớp bán dẫn lớp giáp bảo vệ Thông thường lớp bảo vệ ruột dẫn nối đất đầu - Độ dày lớp bọc chì lớn độ suy giảm điện áp không đáng kể - Hầu hết lớp cách điện làm từ vật liệu XLPE PE, không tổn hao tần số 1Mhz lớp cách điện giấy tẩm dầu tổn hao đáng kể tần số thấp - Quá độ điện áp ảnh hưởng lớn đến tính từ thẩm lớp giáp thép có cường độ từ trường xuyên qua lớp bảo vệ Trường hợp lớp giáp làm sợi thép độ dẫn từ phụ thuộc vào đường kính sợi, bước xoắn vá mật độ vịng từ tính 6.2 Những vấn đề tồn đề tài - Chưa tiến hành thực nghiệm nên chưa thể tương đồng kết khảo sát thực kết mô 6.3 Phƣơng hƣớng phát triển đề tài Phải tìm điềm đề tài tiến hành thực nghiêm để đưa thủ thuật thật xác để từ khắc phục điềm cịn tồn đề tài HVTH: Trƣơng Thị Họa My 64 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Tài liệu tham khảo TÀI LIỆU THAM KHẢO TIẾNG VIỆT Vũ Đình Thành, Lý thuyết sở kĩ thuật siêu cao tần, Nhà xuất ĐHQG, 2008, 175 trang TIẾNG NƯỚC NGOÀI [1] L Marti, “Simulation of transients in underground cables with frequencydependent modal transformation matrices,” IEEE Trans Power Del., vol 11, no 3, pp 1099–1110, Jul 1988 2] T Noda, N Nagaoka, and A Ametani, “Phase domain modeling of frequencydependent transmission line models by means of an ARMA model,” IEEE Trans Power Del., vol 11, no 1, pp 401–411, Jan 1996 [3]A Morched, B Gustavsen, and M Tartibi, “A universal model for accurate calculation of electromagnetic transients on overhead lines and underground cables,” IEEE Trans Power Del., vol 14, no 3, pp 1032–1038, Jul 1999 [4] H W Dommel, Electromagnetic Transients Program Manual (EMTP Theory Book) Portand, OR: Bonneville Power Administration, Aug 1986 [5] L M Wedepohl and D J Wilcox, “Transient analysis of underground powertransmission systems System-model and wave-propagation characteristics,” Proc Inst Elect Eng., vol 120, no 2, pp 253–260, Feb 1973 [6] A Ametani, “A general formulation of impedance and admittance of cables,” IEEE Trans Power App Syst., vol PAS-99, no 3, pp 902–909, May/Jun 1980 [7] Y Yin and H W Dommel, “Calculation of frequency-dependent impedances of underground power cables with finite element method,” IEEE Trans Magn., vol 25, no 4, pp 3025–3027, Jul 1989 [8] G Bianchi and G Luoni, “Induced currents and losses in single-core submarine cables,” IEEE Trans Power App Syst., vol PAS-95, no 1, pp 49–58, Jan./Feb 1976 HVTH: Trương Thị Họa My 65 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Tài liệu tham khảo [9] O Breien and I Johansen, “Attenuation of traveling waves in single phase highvoltage cables,” in Proc Inst Elect Eng., vol 118, Jun 1971, pp 787–793 [10] B Gustavsen, “Panel session on data for modeling system transients: Insulated cables,” in Proc IEEE Power Engineering Soc Winter Meeting, 2001 [11] K Steinbrich, “Influence of semiconducting layers on the attenuation behaviour of single-core power cables,” Proc Inst Elect Eng., Gen., Transm Distrib., vol 152, no 2, pp 271–276, Mar 2005 12] A Ametani, Y Miyamoto, and N Nagaoka, “Semiconducting layer impedance and its effect on cable wave-propagation and transient characteristics,” IEEE Trans Power Del., vol 19, no 4, pp 1523–1531, Oct 2004 [13] J P Noualy and G L Roy, “Wave-propagation modes on high-voltage cables,” IEEE Trans Power App Syst., vol PAS-96, no 1, pp 158–165, Jan./Feb 1977 [14] A Ametani, “Wave propagation characteristics of cables,” IEEE Trans Power App Syst., vol PAS-99, no 2, pp 499–505, Mar./Apr 1980 HVTH: Trương Thị Họa My 66 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Phụ lục PHỤ LỤC MÃ NGUỒN KẾT QUẢ MÔ PHỎNG KHẢO SÁT ĐỘ DÀY CỦA LỚP SEMICONDUCTOR f1=load('hinh1.mat'); f2=load('hinh2.mat'); f3=load('hinh3.mat'); close all; figure(1); xlabel('Time'); ylabel('Voltage'); plot(f1.t,f1.vXx0001,'b'); hold on; plot(f2.t,f2.vXx0001,' r'); plot(f3.t,f3.vXx0001,':m'); xlabel('t'); ylabel('Dien ap'); title('Khao sat cua day lop Semiconductor'); legend('d=1 ','d=2','d=3'); ====================================================== KHẢO SÁT ĐỘ DÀY CỦA LỚP GIÁP f1=load('hinh1.mat'); f2=load('hinh2.mat'); f3=load('hinh3.mat'); close all; figure(1); xlabel('Time'); HVTH: Trương Thị Họa My 67 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Phụ lục ylabel('Voltage'); plot(f1.t,f1.vXx0001,'b'); hold on; plot(f2.t,f2.vXx0001,' r'); plot(f3.t,f3.vXx0001,':m'); xlabel('t'); ylabel('Dien ap'); title('Khao sat cua day lop giap'); legend('mu=1 ','mu=10','mu=100'); ====================================================== KHẢO SÁT ĐỘ DÀY CỦA LỚP LEAD SHEATH f1=load('hinh1.mat'); f2=load('hinh2.mat'); f3=load('hinh3.mat'); close all; figure(1); xlabel('Time'); ylabel('Voltage'); plot(f1.t,f1.vXx0001,'b'); hold on; plot(f2.t,f2.vXx0001,' r'); plot(f3.t,f3.vXx0001,':m'); xlabel('t'); ylabel('Dien ap'); title('Khao sat cua day lop Sheath'); HVTH: Trương Thị Họa My 68 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Phụ lục legend('d=1 ','d=2','d=3'); ====================================================== KHẢO SÁT SỰ SUY HAO CỦA LỚP CÁCH ĐIỆN f1=load('hinh1.mat'); f2=load('hinh2.mat'); close all; figure(1); xlabel('Time'); ylabel('Voltage'); plot(f1.t,f1.vXx0001,' r'); hold on; plot(f2.t,f2.vXx0001,'b'); xlabel('t'); ylabel('Dien ap'); title('Khao sat suy hao cua lop cach dien'); legend('T=10 us','T=2us'); ====================================================== HVTH: Trương Thị Họa My 69 GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh ...BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ TRƯƠNG THỊ HỌA MY XÂY DỰNG MƠ HÌNH VÀ MÔ PHỎNG CÁP TRONG TRẠNG THÁI QUÁ ĐỘ NGÀNH: TB MẠNG &... nhà máy điện Tên luận văn: Xây dựng mơ hình mô cáp trạng thái độ HVTH:Trƣơng Thị Họa My ii GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Luận Văn Thạc Sĩ Lý lịch khoa học Ngày & nơi bảo vệ luận văn: Tháng 12 năm 2012... thiếu xác liệu hình học nhà sản xuất cung cấp họ định nghĩa số đo không thiết số đo đo lường thực tế Chính vậy, cần phải “XÂY DỰNG MƠ HÌNH VÀ MƠ PHỎNG CÁP TRONG TRẠNG THÁI QUÁ ĐỘ” để đáp ứng