Nghiên cứu phân bổ dòng sét và điện áp trên các SPD khi sét đánh vào tòa nhà

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ VÕ THANH ÂU XÂY DỰNG VÀ ĐÁNH GIÁ CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN – 60520202 S K C0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 10/2015 BỢ GIÁO DỤC VÀ ĐÀ O TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ VÕ THANH ÂU XÂY DỰNG VÀ ĐÁNH GIÁ CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP NGÀNH KỸ THUẬT ĐIỆN HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS.TS Quyền Huy Ánh Thành phố Hồ Chí Minh, Tháng 10 năm 2015 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LÝ LỊCH KHOA HỌC I SƠ LƢỢC Họ tên : Võ Thanh Âu Giới tính: Nam Ngày sinh : 15/09/1989 Nơi sinh: Long An Dân tộc Tôn giáo: Không : Kinh Địa liên lạc: Số 8, Đƣờng Tân Lập 2, Khu phố 3, P Hiệp Phú, Q 9, Tp.Hồ Chí Minh Điện thoại: 0979 378 252 Email:Thanhau1509@gmail.com Cơ quan : Trung Tâm Kỹ Thuật Tiêu Chuẩn Đo Lƣờng Chất Lƣợng Thành Phố Hồ Chí Minh Địa : 263, Điện Biên Phủ, P 7, Q 3, Tp Hồ Chí Minh II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO Đại học: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian: Từ 2007 đến 2012 Nơi học: Trƣờng Đại học Sƣ Phạm Kỹ Thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Điện Công Nghiệp Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính quy Thời gian: Từ 2013 đến 2015 Nơi học: Trƣờng Đại học Sƣ Phạm Kỹ Thuật Tp Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ Thuật Điện III QUÁ TRÌNH CƠNG TÁC CHUN MƠN Thời gian Nơi cơng tác Công việc Từ 06/2012đến Trung Tâm Kỹ Thuật Tiêu Chuẩn Đo Lƣờng Chất Lƣợng Thành Phố Hồ Chí Minh Thử Nghiệm Viên Tp.Hồ Chí Minh, ngày 24 tháng 09 năm 2015 Ngƣời khai Võ Thanh Âu HVTH: Võ Thanh Âu Trang i Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh LỜI CAM ĐOAN Tôi cam đoan cơng trình nghiên cứu tơi Các số liệu, kết nêu luận văn trung thực chƣa đƣợc cơng bố cơng trình khác Tp Hồ Chí Minh, ngày 24 tháng 09 năm 2015 Tác giả Luận Văn Võ Thanh Âu HVTH: Võ Thanh Âu Trang ii Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh MỤC LỤC LÝ LỊCH KHOA HỌC i LỜI CAM ĐOAN .ii CẢM TẠ iii TÓM TẮT iv DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU vi MỤC LỤC viii DANH SÁCH CÁC HÌNH xii DANH SÁCH CÁC BẢNG xviii CHƢƠNG MỞ ĐẦU I TÍNH CẦN THIẾT CỦA ĐỀ TÀI II NHIỆM VỤ CỦA ĐỀ TÀI III GIỚI HẠN CỦA ĐỀ TÀI IV CÁC BƢỚC TIẾN HÀNH V TÍNH MỚI CỦA ĐỀ TÀI .3 VI TÍNH THỰC TIỄN .4 VII NỘI DUNG CỦA ĐỀ TÀI VIII PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU CHƢƠNG 1: CÁC ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT CỦA CHỐNG SÉT VAN 1.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 1.2 CÁC LOẠI CÁCH ĐIỆN 1.3 KHÁI NIỆM VỀ SÉT 1.4 THIẾT BỊ CHỐNG SÉT VAN 10 1.5 ƢU NHƢỢC ĐIỂM CỦA CÁC LOẠI CHỐNG SÉT .12 1.5.1 Khe hở phóng điện 13 1.5.2 Chống sét ống .14 1.5.3 Chống sét SiC .14 1.5.3.1 Cấu trúc đĩa van SiC .15 1.5.3.2 Cấu trúc khe hở .15 HVTH: Võ Thanh Âu Trang viii Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 1.5.3.3 Thiết kế khe hở kèm theo điện trở 16 1.5.4 Chống sét van MOV không khe hở 16 1.5.4.1 Cấu tạo chống sét MOV (Metal Oxide Varistor) 16 1.5.4.2 Đặc tính MOV .16 1.5.5 So sánh làm việc chống sét SIC MOV 18 1.5.5.1 Chế độ xác lập .18 1.5.5.2 Chế độ hoạt động có áp tạm thời 18 1.5.5.3 Chế độ hoạt động dòng xung 19 1.5.5.4 Tính ổn định hoạt động phóng điện 19 CHƢƠNG 2: CẤU TẠO VÀ NGUYÊN LÝ LÀM VIỆC CỦA CHỐNG SÉT VAN MOV 21 2.1 CẤU TẠO CƠ BẢN MOV 21 2.2 TÍNH NĂNG HOẠT ĐỘNG CỦA BIẾN TRỞ ZNO 224 2.3 ĐẶC TÍNH V-I 27 2.4 THỜI GIAN ĐÁP ỨNG 28 CHƢƠNG 3: CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN 30 3.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 30 3.2 CÁC MƠ HÌNH ĐƢỢC ĐỀ NGHỊ 31 3.2.1 Mơ hình truyền thống ATP 31 3.2.2 Mô hình đƣợc đề nghị IEEE 31 3.2.2.1 Mơ hình đề nghị 32 3.2.2.2 Xác định thông số 33 3.2.3 Mơ hình đƣợc đề nghị bởiPinceti 35 3.2.3.1 Mơ hình đƣợc đề nghị 35 3.2.3.2 Xác định thông số 35 3.2.4 Mơ hình P-K 36 3.2.4.1 Mơ hình đƣợc đề nghị 36 3.2.4.2 Xác định thông số 37 CHƢƠNG 4: XÂY DỰNG CÁC MÔ HÌNH MƠ PHỎNG BẰNG MATLAB 38 4.1 MỤC ĐÍCH MÔ PHỎNG .38 4.2 GIỚI THIỆU PHẦN MỀM MATLAB 39 HVTH: Võ Thanh Âu Trang ix Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh 4.2.1 Phần mềm MATLAB 39 4.2.2 Cơ sở SIMULINK 39 4.2.3 Đánh giá mơ hình MATLAB 40 4.2.3.1 Giới thiệu mơ hình 40 4.2.3.2 Nguyên lý làm việc mơ hình 42 4.2.3.3 Đánh giá mơ hình 42 4.2.3.4 Mạch mô Matlab .43 4.3 MƠ HÌNH NGUỒN PHÁT XUNG SÉT 43 4.3.1 Dạng xung sét .43 4.3.1.1 Dạng sóng 10/350µs 43 4.3.1.2 Dạng sóng 8/20µs 44 4.3.2 Các dạng xung không chu kỳ chuẩn .45 4.3.3 Xây dựng mơ hình nguồn phát xung 48 4.3.3.1 Xây dựng sơ đồ khối .48 4.3.4 Thực mô .50 4.3.5 Kết luận 53 4.4 XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN DẠNG MOV PHỤ THUỘC TẦN SỐ 53 4.5 XÂY DỰNG MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN DẠNG MOV PHỤ THUỘC TẦN SỐ TRONG MATLAB 55 4.5.1 Giới thiệu số khối (block) dùng mơ hình .55 4.5.2 Xây dựng mô hinh chống sét van trung áp 57 4.5.2.1 Xây dựng mô hình MOV theo IEEE: 57 4.5.2.2 Xây dựng mơ hình MOV theo Pinceti: 69 4.5.2.3 Xây dựng mô hình MOV theo P-K: 78 CHƢƠNG 5: MƠ PHỎNG SO SÁNH CÁC MƠ HÌNH CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP BẰNG MATLAB 88 5.1 ĐẶT VẤN ĐỀ 88 5.2 MÔ PHỎNG ĐÁP ỨNG CỦA CÁC CHỐNG SÉT VAN TRUNG ÁP EVP VÀ AZG2 .89 5.2.1 Chống sét van trung áp EVP ProtectiveCharacteristics 89 Thông số kỹ thuật: 89 HVTH: Võ Thanh Âu Trang x Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Thơng số mơ hình 90 Kết mô 90 Dạng sóng mơ hình 91 Biểu đồ đánh giá sai số 96 Nhận xét : 97 5.2.2 Chống sét van loại Type AZG2 Surge Arresters 98 Thông số kỹ thuật: .100 Thơng sơ mơ hình 100 Kết mô .100 Dạng sóng mơ hình 98 Biểu đồ đánh giá sai số 100 Nhận xét : 110 5.2.3 NHẬN XÉT CHUNG: 111 CHƢƠNG KẾT LUẬN 113 I KẾT LUẬN .113 II HƢỚNG PHÁT TRIỂN TƢƠNG LAI .113 TÀI LIỆU THAM KHẢO 114 PHỤ LỤC 114 HVTH: Võ Thanh Âu Trang xi Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh CHƢƠNG MỞ ĐẦU TÍNH CẦN THIẾT CỦA ĐỀ TÀI I Theo ƣớc tính nhà chun mơn, khắp mặt địa cầu, giây, có khoảng 100 lần sét đánh xuống mặt đất Sét gây thƣơng vong cho ngƣời mà cịn phá hủy tài sản ngƣời nhƣ cơng trình xây dựng, cơng trình cung cấp lƣợng, hoạt động hàng không, thiết bị dùng điện, Đài Truyền – Truyền hình, hệ thống thông tin liên lạc… Việt Nam nƣớc nằm khu vực nhiệt đới ẩm, khí hậu Việt Nam thuận lợi cho việc phát sinh, phát triển dơng sét Số ngày dơng có Việt Nam nhiều khu vực thuộc loại lớn Số ngày dông cực đại 113,7 (tại Đồng Phú), số dơng cực đại 433,18 Mộc Hóa Sét có cƣờng độ mạnh ghi nhận đƣợc dao động ký tự động có biên độ Imax = 90,67kA (Số liệu Viện Nghiên Cứu Sét Gia Sàng Thái Nguyên) Hàng năm, ngành điện Việt Nam có khoảng vài ngàn cố, 50% số sét gây Đặc biệt ngày 4/6/2001, sét đánh nổ máy cắt 220 KV Nhà máy Thủy điện Hịa Bình Sự cố khiến lƣới điện miền Bắc bị tan rã mạch, nhiều nhà máy điện bị tách khỏi hệ thống Mọi thiết bị điện lắp đặt vào lƣới điện đƣợc lựa chọn dựa vào điện áp định mức lƣới điện mà thiết bị đƣợc đấu vào Tuy nhiên, thực tế vận hành, đôi lúc xảy điện áp tạm thời nhiều nguyên nhân gây ra, cố chạm đất, thao tác đóng cắt, sét đánh trực tiếp hay lan truyền Trong điện áp sét nguy hiểm nhất, điện áp lớn dễ dàng gây phóng điện đánh thủng cách điện phá hủy thiết bị, ảnh hƣởng đến tồn hệ thống Do để bảo vệ cách điện thiết bị đƣợc đấu vào hệ thống điện khỏi tác hại điện áp sét, mô hình chống sét van đƣợc sử dụng, việc nghiên cứu phƣơng pháp, thiết bị chống sét đánh trực tiếp hay lan truyền lƣới điện luôn cần thiết quan trọng để lựa chọn thiết bị bảo vệ phù hợp HVTH: Võ Thanh Âu Trang Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Đặc biệt năm gần với gia tăng sử dụng trang thiết bị điện tử công suất lƣới phân phối nhƣ thiết bị bù trơn, thiết bị Scada, UPS, bù Thyristor, lọc sóng hài Các thiết bị nhạy cảm với thay đổi điện áp có độ dự trữ cách điện thấp Vì cần phải tính tốn lựa chọn kiểm tra thiết bị chống sét cách xác để tránh xảy hƣ hỏng cho thiết bị Nhưng việc mô hình hoá mô thiết bị chống sét lan truyền thiết bị dùng điện Việt Nam bỏ ngỏ, trường đại học lớn phần mềm mô tài liệu tham khảo ỏi hạn chế Một khó khăn tiến hành mô phần tử mô hình chưa có hay có giữ quyền hãng sản xuất thiết bị chống sét lan truyền nước ngoài, máy phát xung sét chuẩn Nghiên cứu chống sét đánh lan truyền từ đƣờng dây vào trạm biến áp hay cảm ứng đƣờng dây tải điện đóng vai trị quan trọng việc lựa chọn thiết bị bảo vệ cho phù hợp Để thực bảo vệ chống sóng truyền vào trạm biến áp, hệ thống điện dùng nhiều chống sét van, thiết bị chống sét thiết bị phi tuyến, việc đánh giá đáp ứng ngõ ứng với dạng xung sóng sét lan truyền từ đƣờng dây vào trạm theo phƣơng pháp truyền thống gặp nhiều khó khăn Phƣơng pháp hiệu để thực việc đánh giá cách trực quan mơ hình hóa tiến hành mơ đáp ứng chúng Hiện nay, có nhiều nhà nghiên cứu số nhà sản xuất thiết bị chống sét lan truyền đƣờng dây trung sâu nghiên cứu đề mơ hình thiết bị chống sét lan truyền với mức độ chi tiết quan điểm xây dựng mơ hình khác Tuy nhiên, tùy thuộc vào phạm vi ứng dụng mơ hình, u cầu mức độ tƣơng đồng mơ hình ngun mẫu mà phƣơng pháp xây dựng mơ hình mơ phần tử chống sét lan truyền tiếp tục nghiên cứu HVTH: Võ Thanh Âu Trang Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.16: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dịng xung 8/20s-3kA Nhận xét: Từ kết mơ chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-3kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 47,1kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 45,8kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 41,5kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 42,9kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 44,7kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình IEEE thấp (2,461%), sai số mơ hình Pinceti lớn (7,159%) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 106 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.17: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-5kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-5kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 48,6kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 50,4kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 44,9kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 47,2kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 46,9kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình P-K thấp (0,640%), sai số mơ hình IEEE lớn (7,467%) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 107 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.18: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dịng xung 8/20s-10kA Nhận xét: Từ kết mơ chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 49,7kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 57,4kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 51,5kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 53,3kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 50,7kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình Pinceti thấp (1,578%), sai số mơ hình IEEE lớn (13,215%) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 108 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.19: Điện áp dƣ chống sét van điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-20kA Nhận xét: Từ kết mô chống sét van hãng Cooper điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s-10kA ta thấy, điện áp dƣ mơ hình Matlab 51,2kV, điện áp dƣ mơ hình mơ hình IEEE 67,4kV, điện áp dƣ mơ hình Pinceti 60,5kV, điện áp dƣ mơ hình P-K 60,4kV Trong giá trị điện áp dƣ cho Datasheet nhà sản xuất 56,3kV, nhƣ ta thấy sai số mơ hình P-K thấp (7,282%), sai số mơ hình IEEE lớn (19,716%) Biểu đồ đánh giá sai số HVTH: Võ Thanh Âu Trang 109 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Hình 5.20: Biểu đồ sai số điện áp dƣ chống sét van hãng Cooper, điện áp 15kV, ứng với dịng xung 8/20s Hình 5.21: Biểu đồ sai số điện áp dƣ chống sét van hãng Cooper, điện áp 18kV, ứng với dòng xung 8/20s Nhận xét : Từ kết mô phỏng, điện áp dƣ chống sét van AZG2 hãng Cooper điện áp 15kV cho thấy điện áp dƣ mô hình đề nghị cho kết so với số liệu chống sét van thực tế đƣợc cung cấp catalogue xác Đối với mơ hình Matlab, sai số lớn khoảng 9,41%; mơ hình IEEE, sai số lớn khoảng 20,51%; mơ hình Pinceti, sai số lớn khoảng 8,33%; mô hình P-K, sai số lớn khoảng 8,55% Từ nhận thấy mơ hình P-K mơ hình xác HVTH: Võ Thanh Âu Trang 110 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Kết mô điện áp dƣ chống sét van AZG2 hãng Cooper điện áp 18kV cho thấy cho thấy điện áp dƣ mơ hình đề nghị cho kết so với số liệu chống sét van thực tế đƣợc cung cấp catalogue xác Đối với mơ hình Matlab, sai số lớn khoảng 9,06%; mơ hình IEEE, sai số lớn khoảng 19,71%; mơ hình Pinceti, sai số lớn khoảng 7,46%; mơ hình P-K, sai số lớn khoảng 7,28% Từ nhận thấy mơ hình P-K mơ hình xác 5.2.3 NHẬN XÉT CHUNG: Khi tiến hành mơ mơ hình đƣợc xem tốt đƣợc đánh giá dựa : mức độ chi tiết mơ hình, diễn tả đƣợc q trình vật lý nguyên mẫu; thông số ngõ vào ít, dễ tìm thấy đa số catalogue nhà sản xuất; kết mô điện áp dƣ, dạng sóng ngõ ra, tốc độ tăng đầu sóng sóng phù hợp với kết thử nghiệm Đối với mơ hình Matlab: Ƣu điểm mơ hình đơn giản, mơ tả điện trở phi tuyến với quan hệ dòng áp theo đặc tính V-I Nhƣợc điểm đầu ngƣời sử dụng phải nhập lại giá trị k,  tƣơng ứng với đặc tính V-I nó; nhƣng giá trị k,  khơng đƣợc tìm thấy đa số catalogue nhà sản xuất gây khó khăn cho việc sử dụng mơ hình làm tăng sai số tính tốn Đối với mơ hình IEEE: Ƣu điểm chi tiết mơ hình Matlab với hai điện trở phi tuyến A0, A1 đƣợc tách lọc R-L với thành phần R, L, C; thời gian đầu sóng cuối sóng đƣợc thể rõ giúp đƣa kết luận đầy đủ Khi sử dụng mơ hình cần nhập giá trị điện áp ngƣỡng, số cột, chiều cao cột Nhƣợc điểm thông số giá trị chiều cao cột, cách tính chiều cao cột khó xác định số hãng sản xuất khơng cung cấp; ngồi ra, giá trị điện trở phi tuyến A0, A1 đƣợc sử dụng chung cho MOV khác Chính thiếu thơng tin đầu vào xác nên kết mơ có sai số lớn Đối với mơ hình Pinceti mơ hình P-K: Đây hai mơ hình cải tiến mơ hình IEEE mặt sơ đồ cách xác định thông số; thông số đầu vào cần HVTH: Võ Thanh Âu Trang 111 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh nhập nhƣ giá trị điện áp định mức, điện áp dƣ dòng xung 8/20s, điện áp dƣ xung đầu dốc dễ tìm thấy hầu hết hãng sản xuất Kết mô hai loại chống sét van EVP AGZ2 cho thấy mơ hình xây dựng cho sai số thấp: - Khi sử dụng mơ hình Matlab, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (1,01÷9,85)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (1,61÷9,40)%, giá trị sai số nhƣ khơng xác định xác giá trị k,  tƣng loại MOV mà sử dụng giá trị k,  mặc định đƣợc đƣa phần mềm Matlab Muốn cho mơ hình xác cần xác định đƣợc giá trị k,  cho loại MOV - Khi sử dụng mơ hình IEEE, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (0,59÷19,31)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (2,46÷20,51)%, giá trị sai số nhƣ việc lấy thông số điện trở phi tuyến A0, A1 đƣợc dùng cho nhiều loại MOV khác chiều cao cột chống sét van đƣợc chọn gần đa số hãng sản xuất không cung cấp thông tin Muốn cho kết mơ đƣợc xác cần có đầy đủ thơng tin giá trị điện trở phi tuyến A0, A1, chiều cao cột loại MOV - Khi sử dụng mơ hình Pinceti P-K, sai số cho chống sét van EVP hãng Ohio Brass (0,82÷7,94)% sai số cho chống sét van AGZ2 hãng Cooper (0,640÷8,55)% Hai mơ hình có sai số thấp nhƣ thơng số ngõ đầu vào đƣợc cung cấp đầy đủ tất hãng sản xuất HVTH: Võ Thanh Âu Trang 112 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh CHƢƠNG KẾT LUẬN KẾT LUẬN I Đề tài“Xây dựng đánh giá mơ hình chống sét van trung áp”đã đƣợc hoàn thành đạt đƣợc yêu cầu đề ra: - Cấu tạo, nguyên lý hoạt động phƣơng pháp lựa chọn chống sét van lƣới trung đƣợc nghiên cứu, trình bày đầy đủ Ngồi ra, mơ hình tốn mơ tả đặc tính làm việc chống sét van nhà nghiên cứu giới đƣợc giới thiệu đánh giá tƣơng đối chi tiết Các kiến thức phục vụ tốt cho nhu cầu tìm hiểu, nghiên cứu kỹ sƣ, học viên cao học ngành kỹ thuật điện; - Xây dựng thƣ viện mô hình chống sét van trung dạng MOV: mơ hình IEEE, mơ hình Pinceti, mơ hình P-K phần mềm Matlab tiến hành mô điện áp dƣ ứng với xung sét tiêu chuẩn; - Trên sở phân tích kết mơ đánh giá đƣợc ƣu nhƣợc điểm loại mơ hình; - Các mơ hình đƣợc xây dựng đƣợc sử dụng tốn phân tích q độ điện áp hệ thống điện Tuy nhiên đề tài xác định đƣợc biên độ đỉnh điện áp dƣ tƣơng đối xác; cịn dạng sóng ngõ mơ hình mơ gần giống nhƣ kết số báo, tốc độ tăng đầu sóng sóng so với thực tế chƣa đánh giá đƣợc I HƢỚNG PHÁT TRIỂN TƢƠNG LAI - Tiếp tục nghiên cứu hồn thiện mơ hình IEEE, mơ hình Matlab Đặc biệt khâu xác định thông số mơ hình - Thử nghiệm mơ với xung sét tiêu chuẩn 30/60s - HVTH: Võ Thanh Âu Trang 113 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] Quyền Huy Ánh, “Giáo trình anh toàn điện” NXB Đại học Quốc gia TP.HCM, 2011 [2] Quyền Huy Ánh, “Thiết bị chống sét lan truyền đƣờng cấp nguồn” – Tạp Chí Bƣu Viễn Thông [3] Nguyễn Phùng Quang Matlab & Simulink NXB Khoa học Kỹ thuật, 2008 [4] IEEE Working group 3.4.11, “Modeling of metal oxide surge arresters”, IEEE Transactions on Power Delivery Vol.7, No.1, Jan 1992, pp 302- 309 [5] Kaveri Bhuyan, Saibal Chatterjee, “Simulations of lightning impulse residual voltage test of surge arresters in matlab-simulink”,ICPDEN 2015 [6] Jonathan J Woodworth, “Arrester Reference Voltage”, ArresterFacts 027, June 2011 [7] Reinhard Göhler, Volker Hinrichsen, “Metal-Oxide Surge Arresters in HighVoltage Power Systems”, Berlin and Darmstadt, September 2011 [8] Georgios D Peppas, Ioannis A Naxakis, Christos T Vitsas, Eleytheria C Pyrgioti, “Surge Arresters Models For Fast Transients”, 2012 International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria [9] André Meister, Rafael Amaral Shayani, Marco Aurélio Gonỗalves de Oliveira, Comparison of metal oxide surge arrester models in overvoltage studies” ,International Journal of Engineering, Science and TechnologyVol 3, No 11, 2011, pp 35-45 [10] Dino Lovrić, Slavko Vujević, Tonći Modrić, “Comparison of Different Metal Oxide Surge Arrester Models”, Ruđera Boškovića 32, HR-21000, Croatia, Int J Emerg Sci., 1(4), 545-554, December 2011, ISSN: 2222-4254 [11] Mehdi Nafar, Ghahraman Solookinejad and Masoud Jabbari, “Comparison of IEEE and Pinceti Models of Surge Arresters”, Department of Electrical Engineering, College of Engineering, Marvdasht Branch, Islamic Azad University, Marvdasht, IRAN, Research Journal of Engineering SciencesVol 3(5), May (2014), pp 32-34 [12] Miloš GLASA, “The MOV computer models for thermal – electric analysis”, Journal of Electrical Engineering, Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology Ilkovičova 3, Bratislava 812 19, Slovakia [13] K P Mardira and T K Saha, “A simplified lightning model for metal oxide surge arrester”, School of Information Technology and Electrical HVTH: Võ Thanh Âu Trang 114 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Engineering The University of Queensland, St Lucia Campus QLD 4072 – Australia [14] Christos A Christodoulou, Fani A Assimakopoulou, Ioannis F Gonos, Ioannis A Stathopulos, “Simulation of Metal Oxide Surge Arresters Behavior”, National Technical University of Athens School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory Iroon Polytechniou 9, GR 15773, Zografou Campus, Athens, Greece [15] F Fernández, R Díaz, “Metal-oxide surge arrester model for fast transient simulation” International conference on power system transients, IPST’01, 20-24 June 2001, pp 144 [16] Daniel W Durbak, “Surge Arrester Modeling”, Power Technologies, Schenectady, New York [17] Pramuk Unahalekhaka; “Simplified Modeling of Metal Oxide Surge Arresters”,Dept of Electrical Engineering, Faculty of Engineering and Architecture Rajamangala University of Technology Suvarnabhumi, 7/1 Nonthaburi Rd, Nonthaburi, 11000, Thailand, 11th Eco-Energy and Materials Science and Engineering (11th EMSES), pp 92 – 101 [18] K P Mardira, T K Saha, “A Simplified lightning Model For Metal Oxide Surge Arrester”, The University of Queensland, Australia [19] V Vita1 A.D Mitropoulou, L Ekonomou, S Panetsos, I.A Stathopulos, “Comparison of metal-oxide surge arresters circuit models and implementation on high-voltage transmission lines of the Hellenic network”, School of Electrical and Computer Engineering, High Voltage Laboratory, National Technical University of Athens,9 Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 157 80, Greece, IET Gener Transm.Distrib., 2010, Vol 4, Iss 7, pp 846–853 [20] S Ehsan Razavi, A Babaei, “Modification of IEEE Model for Metal Oxide Arresters Against Transient Impulses Using Genetic Algorithms”, Department of Electrical, East Tehran Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran, Australian Journal of Basic and Applied Sciences, 5(10):, 2011 , ISSN 1991-8178, pp 577-583 [21] P.F Evangelides, C.A Christodoulou, I.F Gonos, I.A Stathopulos, “Parameters’ selection for metal oxide surge arresters models using genetic algorithm”, High Voltage Laboratory, School of Electrical and Computer Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Politechniou Street, Zografou Campus, Athens 15780, Greece, 30th International Conference on Lightning Protection - ICLP 2010(Cagliari, Italy - September 13th -17th, 2010) HVTH: Võ Thanh Âu Trang 115 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh [22] C.A Christodoulou, L Ekonomou , A.D Mitropoulou , V Vita, I.A Stathopulos, “Surge arresters’ circuit models review and their application to a Hellenic 150 kV transmission line”, A.S.PE.T.E.–School of Pedagogical and Technological Education, Department of Electrical Engineering Educators, N Yeraklion, 141 21 Athens, Greece, Simulation Modelling Practice and Theory 18 (2010), pp.836–849 HVTH: Võ Thanh Âu Trang 116 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh PHỤ LỤC PL 5.1: Thông số kỹ thuật Chống sét van EVP Ohio Brass: HVTH: Võ Thanh Âu Trang 117 Luận Văn Thạc sĩ HVTH: Võ Thanh Âu GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh Trang 118 Luận Văn Thạc sĩ GVHD: PGS.TS Quyền Huy Ánh PL 5.2.Thông số kỹ thuật Chống sét van AZG2 Cooper HVTH: Võ Thanh Âu Trang 119 S K L 0 ... bị phá hỏng có điện áp xảy Dòng điện chạy qua chống sét van dịng phóng điện điện áp hai cực đƣợc gọi điện áp dƣ Nhƣ vậy, tổng điện áp dƣ chống sét van với điện áp rơi dây nối điện áp đặt lên thiết... đến lớn gấp lần điện áp pha đất bình thƣờng cấp cách điện hệ thống cho phép Khi sét đánh vào đƣờng dây, vùng rộng lớn bị ảnh hƣởng xung quanh vị trí sét đánh, điện áp vƣợt mức cách điện định mức... điện áp đặt hai cực chống sét điện áp pha – đất Trong chế độ này, điện áp đặt vào chống sét phân bố tỷ lệ dọc theo phần khe hở phần đĩa Sự phân bố điện áp phụ thuộc vào tổng trở thành phần, khác