Slide thuyết trình cấu tạo và cơ chế hoạt động của pin silicon

Lê Hải Đoàn Nguyễn Minh Nhật Thảo cu u du o ng th an co ng c om CẤU TRÚC VÀ CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG CỦA PIN SILICON LOẠI MULTI-JUNCTION SILICON CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt cu u du o ng th an co ng c om CẤU TRÚC CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om CẤU TRÚC ng • Gồm hay nhiều lớp p-i-n xếp chồng lên với mục đích giam ánh sáng, bẫy điện tử, tăng thêm nhiều điện tử tự pin  tăng dịng JSC co • Lớp AZO hoạt động nhƣ lớp phản xạ phần ánh sáng khơng bị hấp thụ du o • Ƣu điểm nc-Si:H ng th an • Lớp TRJs (tunneling and recombination junctions) đóng vai trị nhƣ mối liên kết lớp n-type tế bào đến lớp p-type đáy (hoặc nối p-n) [2] cu u + hấp thụ quang phổ rộng, + đáp ứng bƣớc sóng dài, + giảm độ rộng vùng cấm a-Si giúp tăng hiệu suất pin [4] CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt • Lớp ITO đƣợc sử dụng làm lớp phủ chống phản xạ co ng • Màng nc-SiGe:H có hệ số hấp thụ cao màng nc-Si:H Việc pha tạp Ge giúp giảm độ rộng vùng cấm Silic vơ định hình [4] c om • Ag/ZnO: tạo điều kiện bẫy ánh sáng tốt [1] th du o - Hấp thụ quang phổ rộng ng - Điện áp mạch hở (VOC) cao an  Lợi thế: cu u • Khi tăng độ dày lớp i từ 1-2µm  JSC tăng, VOC giảm, FF giảm [3] CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ng c om • Lớp i đặc biệt quan trọng việc tối ƣu hóa tế bào lƣợng mặt trời Khi tăng độ dày lớp i làm tăng Jsc nhƣng giảm Voc FF Độ dày tối ƣu μc-Si: H nên khoảng μm Tuy nhiên, tăng độ dày màng lại làm giảm JSC [3] co • Do chế: ng th an - Sự va chạm vi tinh thể kết cấu chất Vi tinh thể va chạm mật độ khuyết tật cao ranh giới hạt dẫn đến hiệu suất tế bào thấp cu u du o - Sự gia tăng tỷ lệ thể tích tinh thể fc kích thƣớc hạt với độ dày màng Giá trị fc cao gây thụ động biên giới hạt, mật độ lỗ trống cao, giảm hiệu suất tế bào [1] CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ng c om CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG an co • Ánh sáng mặt trời cung cấp lƣợng điện tử vùng hóa trị nhảy lên vùng dẫn trở thành điện tử tự lỗ trống tự du o ng th • Các điện tử tự lỗ trống tự di chuyển ngƣợc chiều dƣới tác dụng điện trƣờng nội vùng chuyển tiếp tạo thành dịng điện cu u • Pin Silicon multi-junction với chế tạo bậc lƣợng ngăn tái tổ hợp điện tử lỗ trống, tạo nhiều lớp p-n để tăng thêm nhiều điện tử tự  tăng dòng JSC CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om TÀI LIỆU THAM KHẢO co ng [1] Hydrogenated microcrystalline silicon single-junction and multi-junction solar cells, Baojie Yan, Guozhen Yuee, Jeffrey Yang, Arindam Banerjee, 2011 du o ng th an [2] Single- and multiple-junction p-i-n type amorphous silicon solar cells with p-a-Si1-xCx:H and nc-Si:H films, S M Iftiquar, Jeong Chul Lee, Jieun Lee, Juyeon Jang, Yeun-jung Lee and Junsin Yi cu u [3] Amorphous and nanocrystalline silicon-based multi-junction solar cells, Jeffrey Yangt, Baojie Yan, Subhendu Guha, 2005 [4] Thin-film solar cells: review of materials, technologies and commercial status, Martin A Green, 2007 CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om ng co cu u du o ng th an CẢM ƠN CÔ VÀ CÁC BẠN ĐÃ LẮNG NGHE! ^^ CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ... tác dụng điện trƣờng nội vùng chuyển tiếp tạo thành dịng điện cu u • Pin Silicon multi-junction với chế tạo bậc lƣợng ngăn tái tổ hợp điện tử lỗ trống, tạo nhiều lớp p-n để tăng thêm nhiều điện... màng Giá trị fc cao gây thụ động biên giới hạt, mật độ lỗ trống cao, giảm hiệu suất tế bào [1] CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt ng c om CƠ CHẾ HOẠT ĐỘNG an co • Ánh sáng mặt... om CẤU TRÚC CuuDuongThanCong.com https://fb.com/tailieudientucntt .c om CẤU TRÚC ng • Gồm hay nhiều lớp p-i-n xếp chồng lên với mục đích giam ánh sáng, bẫy điện tử, tăng thêm nhiều điện tử tự pin