(Luận văn thạc sĩ) điều khiển hệ truyền động động cơ không đồng bộ ba pha tiết kiệm năng lượng

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ MAI ĐẠI HOẠCH CHƯƠNG TRÌNH HĨA THIẾT KẾ HỆ THỐNG NỐI ĐẤT CHO TRẠM BIẾN ÁP CAO THẾ THEO TIÊU CHUẨNIEEEStd 80 - 2013 NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202 S K C0 Tp Hồ Chí Minh, tháng 04 - 2017 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƢỜNG ĐẠI HỌC SƢ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH LUẬN VĂN THẠC SĨ MAI ĐẠI HOẠCH CHƢƠNG TRÌNH HĨA THIẾT KẾ HỆ THỐNG NỐI ĐẤT CHO TRẠM BIẾN ÁP CAO THẾ THEO TIÊU CHUẨNIEEEStd 80 - 2013 NGÀNH: KỸ THUẬT ĐIỆN - 60520202 Hƣớng dẫn khoa học: PGS.TS.HỒ VĂN NHẬT CHƢƠNG Tp Hồ Chí Minh, tháng 04/2017 Tp Hồ Chí Minh, tháng 04/2017 i ii iii iv v vi LÝ LỊCH KHOA HỌC I LÝ LỊCH SƠ LƢỢC: Họ & tên: Mai Đại Hoạch Giới tính: Nam Ngày, tháng, năm sinh: 12/09/1992 Nơi sinh: Bình Thuận Quê quán: Tuy Phong, Bình Thuận Dân tộc: Chăm Chỗ riêng địa liên lạc: 484 Lê Văn Việt, P Tăng Nhơn Phú A, Q9, TP HCM Điện thoại: 0977 347 533 E-mail: hoachspkt@gmail.com II QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO: Trung học chuyên nghiệp: Hệ đào tạo: Thời gian đào tạo từ ……/…… đến ……/ …… Nơi học (trƣờng, thành phố): Đại học: Hệ đào tạo: Chính Quy Thời gian đào tạo từ 09/2010 đến 09/2014 Nơi học (trƣờng, thành phố): Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật TP Hồ Chí Minh Ngành học: Điện công nghiệp Tên đồ án tốt nghiệp: Thiết kế cung cấp điện cho cao ốc văn phòng SMC Ngày & nơi bảo vệ đồ án tốt nghiệp: 22/07/2014, Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật TP Hồ Chí Minh Ngƣời hƣớng dẫn: PGS.TS Quyền Huy Ánh Thạc sĩ: Hệ đào tạo: Chính Quy Thời gian đào tạo từ 04/2015 đến 04/2017 Nơi học (trƣờng, thành phố):Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật TP Hồ Chí Minh Ngành học: Kỹ thuật điện Tên luận văn: Chƣơng trình hóa thiết kế hệ thống nối đất cho trạm biến áp cao theo tiêu chuẩn IEEE Std 80 - 2013 Ngày & nơi bảo vệ luận văn: 16/04/2017, Trƣờng Đại học Sƣ phạm Kỹ thuật TP Hồ Chí Minh Ngƣời hƣớng dẫn:PGS.TS Hồ Văn Nhật Chƣơng vii Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng % A=((P+Q)*sqrt(2*((R^2*S^2)+(R^2*(P-Q)^2)+(S^2*(P-Q)^2))(R^4+S^4+(P-Q)^4))/(4*(P-Q)); Lp=P+Q+R+S; % The peripheral (chu vi) length of the grid in m Qcx=round(H/D)+1; % Tong so dan theo truc x Qcy=round(P/D)+1; % Tong so dan theo truc y LcX=0; for i=1:Qcx LcX=LcX+(sqrt(R^2-H^2)+sqrt(S^2-H^2))*(i*D/H); end LcY=0; for j=2:Qcy LcY=LcY+(j*D*H*(1/(sqrt(R^2-H^2))+1/(sqrt(S^2-H^2)))); end LC=((Qcx*Q)+(Qcy*H))+LcX+LcY; % Tong chieu dai dan cua luoi (m) if R>S Dm=sqrt(H^2+(Q+sqrt(R^2-H^2))^2); else Dm=sqrt(H^2+(Q+sqrt(S^2-H^2))^2); end end %Step 2: Conductor size % - 115 kV side Z0_115=10.0+40.0i; % Zero sequence equivalent system impedance R0_115=real(Z0_115); HVTH: Mai Đại Hoạch 60 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng X0_115=imag(Z0_115); Z1_115=4.0+10.0i; % Positive sequence equivalent system impedance R1_115=real(Z1_115); R2_115=R1_115; X1_115=imag(Z1_115); X2_115=X1_115; Rf=0; %the estimated resistance of the fault (ohm)- nomally it is assumed Rf=0 Vll_115=115000; %Line-to-line voltage at worst-fault location (V) E_115=Vll_115/sqrt(3); R_115=R1_115+R2_115+R0_115; X_115=X1_115+X2_115+X0_115; I0_115=abs(E_115/((3*Rf)+R_115+(X_115*1i))); %I0 (kA), E (kV) % - 13 kV side Z0_13=0.034+1.014i; %Transformer impedance, (Z1 and Z0), (ohm), 13 kV, Z=9% at 15 MVA, 115/13 kV R0_13=real(Z0_13); X0_13=imag(Z0_13); Z1_13=(((13/115)^2)*Z1_115)+Z0_13; R1_13=real(Z1_13); R2_13=R1_13; X1_13=imag(Z1_13); X2_13=X1_13; Rf=0; %the estimated resistance of the fault (ohm)- nomally it is assumed Rf=0 Vll_13=13000; %Line-to-line voltage at worst-fault location (V) E_13=Vll_13/sqrt(3); HVTH: Mai Đại Hoạch 61 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng R_13=R1_13+R2_13+R0_13; X_13=X1_13+X2_13+X0_13; I0_13=abs(E_13/((3*Rf)+R_13+(X_13*1i))); %I0 (kA), E (kV) tf=0.5; %Fault duration (s) tc=tf; ar=0.00378; pr=5.862; K0=245; Tm=1084; Ta=40; TCAP=3.85; A_kcmil=(abs(3*I0_13)*(1e3)*197.4)/sqrt((TCAP/(tc*ar*pr))*log((K0+Tm)/(K0+Ta))); d_min=sqrt((4*A_kcmil*33.4)/(pi*65.9)); % in mm % Step % input('Nhap day cua lop soi be mat hs= '); % hs=0.1; % Thickness of crushed rock surfaceing (m) % ps=2500; % Crushed rock resistivity (wet) (ohm.m) ts=0.5; Cs=1-((0.09*(1-(p/ps)))/((2*hs)+0.09)); E_step=(1000+(6*Cs*ps))*0.157/(sqrt(ts)); E_touch=(1000+(1.5*Cs*ps))*0.157/(sqrt(ts)); % Step LR=nR*Lr; % Tong chieu dai coc noi dat LT=LC+LR; % The total length of buried conductor (m) % Step HVTH: Mai Đại Hoạch 62 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng Rg=p*((1/LT)+((1/sqrt(20*A))*(1+(1/(1+(h*sqrt(20/A))))))); % Step Sf=0.6; %Current division factor Df=1; IG=Df*Sf*3*I0_115; %Maximum grid current (A) %Step GPR=IG*Rg; if GPR < E_touch disp('Thiet ke ban dau thoa yeu cau!') else % disp('Thiet ke ban dau khong thoa yeu cau!') %Step na=(2*LC)/Lp; nb=sqrt(Lp/(4*sqrt(A))); nc=(Lx*Ly/A)^(0.7*A/(Lx*Ly)); Dm=sqrt(Lx^2+Ly^2); nd=Dm/sqrt(Lx^2+Ly^2); n=na*nb*nc*nd; h0=1; Kh=sqrt(1+(h/h0)); Ki=0.644+0.148*n; if nR==0 Kii=1/((2*n)^(2/n)); % for a grid with no ground rods else Kii=1; % for a grid with ground rods HVTH: Mai Đại Hoạch 63 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng end Km=(1/(2*pi))*((log((D^2/(16*h*dC))+((D+(2*h))^2/(8*D*dC))(h/(4*dC))))+((Kii/Kh)*(log(8/(pi*((2*n)-1)))))); Em=(p*Km*Ki*IG)/(LC+((1.55+(1.22*(Lr/(sqrt(Lx^2+Ly^2)))))*LR)); Ks=(1/pi)*((1/(2*h))+(1/(D+h))+((1/D)*(1-(0.5^(n-2))))); Es=(p*IG*Ks*Ki)/((0.75*LC)+(0.85*LR)); %Step while Em > E_touch %Step nR=nR+1; % So luong coc noi dat tang don vi LR=nR*Lr; % Tong chieu dai coc noi dat LT=LC+LR; % The total length of buried conductor (m) %Step Rg=p*((1/LT)+((1/sqrt(20*A))*(1+(1/(1+(h*sqrt(20/A))))))); %Step GPR=IG*Rg; if GPR < E_touch disp('break Em!') break else %Step Em=(p*Km*Ki*IG)/(LC+((1.55+(1.22*(Lr/(sqrt(Lx^2+Ly^2)))))*LR)); HVTH: Mai Đại Hoạch 64 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng end end %Step 10 while Es > E_step %Step nR=nR+1; % So luong coc noi dat tang don vi LR=nR*Lr; % Tong chieu dai coc noi dat LT=LC+LR; % The total length of buried conductor (m) %Step Rg=p*((1/LT)+((1/sqrt(20*A))*(1+(1/(1+(h*sqrt(20/A))))))); %Step GPR=IG*Rg; if GPR < E_touch disp('break Es!') break else %Step Es=(p*IG*Ks*Ki)/((0.75*LC)+(0.85*LR)); end end %Xuat ket qua thiet ke disp('Dien tro luoi noi dat Rg (Ohm) =') disp(Rg) HVTH: Mai Đại Hoạch 65 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng disp('Dien ap tiep xuc gioi han E_touch (V) =') disp(E_touch) disp('Dien ap buoc gioi han E_step (V) =') disp(E_step) disp('Dien ap tiep xuc tinh toan Em (V) =') disp(Em) disp('Dien ap buoc tinh toan Es (V) =') disp(Es) disp('Tiet dien dan d_min (mm) =') disp(d_min) disp('So coc noi dat nR =') disp(nR) end CHƢƠNG TRÌNH THIẾT KẾ HỆ THỐNG NỐI ĐẤT CHO TRẠM BIẾN ÁP ĐỐI VỚI LƢỚI NỐI ĐẤT KHÔNG ĐỀU % % % Luoi noi dat khong deu formatshort; p=input('Nhap dien tro suat p = '); % Soil resistivity (ohm.m) ps=input('Nhap dien tro suat cua lop soi be mat ps = '); h=input('Nhap sau chon luoi h (m) = ');% Depth of grid burial (m) hs=input('Nhap day cua lop soi be mat hs = '); L1=input('Nhap chieu dai luoi noi dat L1 (m) = '); L2=input('Nhap chieu rong luoi noi dat L2 (m) = '); HVTH: Mai Đại Hoạch 66 Luận văn tốt nghiệp GVHD: PGS.TS.Hồ Văn Nhật Chƣơng % Step ts=0.5; Cs=1-((0.09*(1-(p/ps)))/((2*hs)+0.09)); E_touch=(1000+(1.5*Cs*ps))*0.157/(sqrt(ts)); % Step Is=input('Nhap dong dien su co Is = '); disp('') disp('2000 nr = 1.6 - 1.8') disp('5000 nr = 1.9 - 2.7') disp('7000 nr = 2.8 - 3.2') nr=input('Chon he so ti le theo dong su co Is tuong ung, nr = '); L=(nr*p*Is)/E_touch; % Tong chieu dai noi dat su dung % Step x=L1/L2; if x>=1 && x=1.07 && x=1.10 && x=1.17 && x=1.2 && x=1.23 && x=1.26 && x=1.29 && x=1.38 && x=1.41 && x=1.47 && x=1.54 && x=1.62 && x=1.68 && x=120 && p=200 && p=2000 && Is5000 && Is11000 && Is=300 && p=2000 && Is5000 && Is11000 && Is=400 && p=2000 && Is5000 && Is11000 && Is=500 && p=2000 && Is5000 && Is11000 && Is