1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013

71 8 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Research On Lightning Protection Solutions For Electronic Devices According To TCVN 9888:2013
Chuyên ngành Electrical Engineering
Thể loại Thesis
Định dạng
Số trang 71
Dung lượng 1,59 MB

Nội dung

Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013 Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013 Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013 Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013

Ngày đăng: 20/11/2021, 16:43

Nguồn tham khảo

Tài liệu tham khảo Loại Chi tiết
1. IEEE Recommended Practice on Surge Voltages in Low–Voltage AC Power Circuits, ANSI/IEEE Std. C62.41–1991 Khác
3. P. Pinceti, M. Giannettoni, A simplified model for zinc oxid surge arrester, IEEE – 1999 Khác
4. IEC 62305-4:2005, Electromagnetic compatibility (EMC) – Part 4: Electrical and electronic systems within structures Khác
5. Performance of Surge Arresters in a Low Voltage Distribution System, Chryssa Nasiopoulou, Eleftheria Pyrgioti, International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria 2012 Khác
6. Modelling of metal oxide surge arresters as elements of overvoltage protection Systems, Saad Dau, International Conference on Lightning Protection (ICLPj, Vienna, Austria 2012 Khác
7. Simulation of Impulse Voltage Generator and Impulse Testing of Insulator using MATLAB Simulink; Ramleth Sheeba, Madhavan Jayaraju, Thangal Kunju Nediyazhikam Shanavas; World Journal of Modelling and Simulation, Vol. 8 (2012) No. 4, pp. 302-309 Khác
8. Nonlinear Load and RLC Pulse Shaping Surge Generator Models in Simulation Environment, Mahesh Edirisinghe, International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy, SciPress Ltd., Switzerland, 2014 Khác
9. How to select the best value surge & transeint protection for your mains equiment, Warwich Beech – Erico Lighting Technologies Ltd, 2014 Khác
10. Metal Oxide Surge Arresters Modelling in Temporary Overvoltage Conditions, Wichet Thipprasert and Ekkachai Chaidee, International Journal of Electronics and Electrical Engineering Vol. 4, No. 2, April 2016 Khác
11. Evaluation of metal oxide surge arrester models based on laboratory experiments, G. A. Alonso-Cardenas-Alba, Proceedings of Academicsera International Conference, Toronto, Canada, 26th-27th November 2016 Khác
12. Bảo vệ chống sét lan truyền trên đường cấp nguồn và tín hiệu, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Phát triển Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh, 4+5/1999 Khác
13. Khe hở phóng điện tự kích TSG, Quyền Huy Ánh, Tạp chí Bưu Chính Viễn Thông, Tổng cục Bưu Điện, 11/2001 Khác
14. Mô hình thiết bị chống sét lan truyền trên đường nguồn hạ áp, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, trường ĐH Kỹ Thuật, 42+43/2003 Khác
15. Nghiên cứu mô hình chống sét van dạng oxít kim loại, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Khoa Học & Công nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 9/2005 Khác
16. Nghiên cứu hiệu quả bảo vệ máy biến áp của thiết bị chống sét van có xét đến các yếu tố ảnh hưởng, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Phát Triển Khoa Học & Công Nghệ, Đại Học Quốc Gia Tp Hồ Chí Minh 8/2009 Khác
17. Các mô hình máy phát xung sét cải tiến, Quyền Huy Ánh và các tác giả khác, Tạp chí Giáo dục Kỹ thuật, ISSN 1859-1272, ĐHSPKT Tp HCM, 14/2010 Khác

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

 Tại đường biên của LPZ 2 (ví dụ ở bảng phân phối phụ SB); - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
i đường biên của LPZ 2 (ví dụ ở bảng phân phối phụ SB); (Trang 17)
Chú thích: Hình 2.3c thể hiện hai LPZ 2 được nối với nhau bằng các đường dây điện hoặc dây tín hiệu - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
h ú thích: Hình 2.3c thể hiện hai LPZ 2 được nối với nhau bằng các đường dây điện hoặc dây tín hiệu (Trang 21)
Bảng 2.1 Suy giảm trường từ của các màn chắn không gian dạng lưới đối với sóng phẳng - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Bảng 2.1 Suy giảm trường từ của các màn chắn không gian dạng lưới đối với sóng phẳng (Trang 25)
Hình 2.8 Hệ thống đầu tiếp đất dạng lưới của nhà máy - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 2.8 Hệ thống đầu tiếp đất dạng lưới của nhà máy (Trang 28)
Các phần dẫn điện (ví dụ như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) và dây dẫn nối đất bảo vệ (PE) của các hệ thống bên trong phải được nối với mạng liên kết theo các cấu hình dưới đây (xem hình 2.11) - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
c phần dẫn điện (ví dụ như tủ bảng điện, vỏ máy, giá đỡ) và dây dẫn nối đất bảo vệ (PE) của các hệ thống bên trong phải được nối với mạng liên kết theo các cấu hình dưới đây (xem hình 2.11) (Trang 31)
Bảng 2.2 Tiết diện nhỏ nhất của các bộ phận liên kết - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Bảng 2.2 Tiết diện nhỏ nhất của các bộ phận liên kết (Trang 34)
Hình 2.13 Hệ thống không được bảo vệ - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 2.13 Hệ thống không được bảo vệ (Trang 35)
XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN VÀ SPD TRONG MẠNG HẠ ÁP - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
XÂY DỰNG MÔ HÌNH MÁY PHÁT XUNG TIÊU CHUẨN VÀ SPD TRONG MẠNG HẠ ÁP (Trang 37)
3.2 Mô hình máy phát xung tiêu chuẩn - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
3.2 Mô hình máy phát xung tiêu chuẩn (Trang 38)
Hình 3.4 Đường cong quan hệ giữa b/a và t2/t1 - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.4 Đường cong quan hệ giữa b/a và t2/t1 (Trang 39)
Hình 3.6 Đường cong quan hệ giữa b/a và I1/I. 1.Xây dựng sơ đồ khối - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.6 Đường cong quan hệ giữa b/a và I1/I. 1.Xây dựng sơ đồ khối (Trang 40)
Kết quả thực hiện mô hình máy phát xung tiêu chuẩn dạng sóng 8/20µs trong Matlab trình bày ở Hình 3.7: - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả thực hiện mô hình máy phát xung tiêu chuẩn dạng sóng 8/20µs trong Matlab trình bày ở Hình 3.7: (Trang 41)
Hình 3.10 Sơ đồ mô phỏng máy phát xung dòng. Nhập các thông số cho nguồn xung dòng như Hình 3.11: - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.10 Sơ đồ mô phỏng máy phát xung dòng. Nhập các thông số cho nguồn xung dòng như Hình 3.11: (Trang 42)
Hình 3.9 Khai báo các thông số dòng xung tiêu chuẩn 2.Mạch mô phỏng máy phát xung dòng - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.9 Khai báo các thông số dòng xung tiêu chuẩn 2.Mạch mô phỏng máy phát xung dòng (Trang 42)
Hình 3.12 Dạng xung dòng 3kA 8/20µs và 20kA 8/20µs. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.12 Dạng xung dòng 3kA 8/20µs và 20kA 8/20µs (Trang 43)
4. Kiểm tra độ chính xác mô hình - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
4. Kiểm tra độ chính xác mô hình (Trang 48)
Kết quả đáp ứng điện áp dư của Spark Gap là 4326V (Hình 3.21) - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả đáp ứng điện áp dư của Spark Gap là 4326V (Hình 3.21) (Trang 49)
cả các phần tử này được nối tiếp với một điện cảm Ls và điện trở Rs (Hình 3.22). Điện trở Rs của mô hình có giá trị cực nhỏ khoảng 100nΩ được thêm vào để ngăn ngừa việc nối tiếp mô hình nguồn dòng lý tưởng với điện cảm hay nguồn dòng khác - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
c ả các phần tử này được nối tiếp với một điện cảm Ls và điện trở Rs (Hình 3.22). Điện trở Rs của mô hình có giá trị cực nhỏ khoảng 100nΩ được thêm vào để ngăn ngừa việc nối tiếp mô hình nguồn dòng lý tưởng với điện cảm hay nguồn dòng khác (Trang 50)
Hộp thoại giá trị thông số đầu vào Initialization được trình bày như Hình 3.27 - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
p thoại giá trị thông số đầu vào Initialization được trình bày như Hình 3.27 (Trang 54)
Đáp ứng điện áp dư của mô hình MOV V275LA40A được trình bày trong Hình 3.30. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
p ứng điện áp dư của mô hình MOV V275LA40A được trình bày trong Hình 3.30. (Trang 56)
Hình 3.31 Điện áp dư của MOV B32K275 ứng với xung dòng 3kA và 20kA 8/20µs. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 3.31 Điện áp dư của MOV B32K275 ứng với xung dòng 3kA và 20kA 8/20µs (Trang 57)
Bảng 3.4 Kết quả so sánh giá trị điện áp dư của MOV của Hãng Siemens thông qua mô phỏng và qua catalogue - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Bảng 3.4 Kết quả so sánh giá trị điện áp dư của MOV của Hãng Siemens thông qua mô phỏng và qua catalogue (Trang 58)
Hình 4.1 trình bày mô hình cơ bản phối hợp năng lượng giữa các SPD. Mô hình này chỉ phù hợp khi trở kháng của mạng liên kết và điện cảm tác động lẫn nhau giữa các liên kết mạng kết nối giữa SPD1 và SPD2, là không đáng kể - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.1 trình bày mô hình cơ bản phối hợp năng lượng giữa các SPD. Mô hình này chỉ phù hợp khi trở kháng của mạng liên kết và điện cảm tác động lẫn nhau giữa các liên kết mạng kết nối giữa SPD1 và SPD2, là không đáng kể (Trang 60)
Hình 4.6 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổ iI 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.6 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổ iI 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs (Trang 63)
Hình 4.8 Sơ đồ mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi II. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.8 Sơ đồ mô phỏng phối hợp SPD theo phương pháp biến đổi II (Trang 64)
Hình 4.10 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 20kA 8/20µs - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.10 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 20kA 8/20µs (Trang 65)
Hình 4.9 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.9 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi II 1MOV, 2MOV, 3MOV với xung dòng 3kA 8/20µs (Trang 65)
Kết quả điện áp dư ngang qua SPD với xung dòng 3kA 8/20µs trình bày ở Hình 4.12 và với xung dòng 20kA 8/20µs trình bày ở Hỉnh 4.13 - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả điện áp dư ngang qua SPD với xung dòng 3kA 8/20µs trình bày ở Hình 4.12 và với xung dòng 20kA 8/20µs trình bày ở Hỉnh 4.13 (Trang 66)
Hình 4.13 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi III SG, MOV2, MOV3 với xung dòng 20kA 8/20µs - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
Hình 4.13 Điện áp dư ứng với phối hợp kiểu biến đổi III SG, MOV2, MOV3 với xung dòng 20kA 8/20µs (Trang 67)
Kết quả tổng kết giá trị điện áp dư trong 2 trường hợp nêu trên trình bày ở Bảng 4.3. - Nghiên cứu giải pháp chống sét cho thiết bị điện tử theo tiêu chuẩn TCVN 9888 2013
t quả tổng kết giá trị điện áp dư trong 2 trường hợp nêu trên trình bày ở Bảng 4.3 (Trang 67)

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

w