Xác định các tính chất của đầu dò bằng chương trình penelope lưu thị thúy hòa

ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP HCM TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA LƢU THỊ THÚY HỊA XÁC ĐỊNH CÁC TÍNH CHẤT CỦA ĐẦU DỊ BẰNG CHƢƠNG TRÌNH PENELOPE Chun ngành: Vật lý Kỹ thuật Mã số: 604417 LUẬN VĂN THẠC SĨ TP HỒ CHÍ MINH, tháng năm 2013 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM CÔNG TRÌNH ĐƢỢC HỒN THÀNH TẠI TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA –ĐHQG –HCM Cán hƣớng dẫn khoa học: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị chữ ký) Cán chấm nhận xét 1: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị chữ ký) Cán chấm nhận xét 2: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị chữ ký) Luận văn thạc sĩ đƣợc bảo vệ Trƣờng Đại học Bách Khoa, ĐHQG Tp HCM ngày tháng năm Thành phần Hội đồng đánh giá luận văn thạc sĩ gồm: (Ghi rõ họ, tên, học hàm, học vị Hội đồng chấm bảo vệ luận văn thạc sĩ) Xác nhận Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV Trƣởng Khoa quản lý chuyên ngành sau luận văn đƣợc sửa chữa (nếu có) CHỦ TỊCH HỘI ĐỒNG TRƢỞNG KHOA………… LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM ĐẠI HỌC QUỐC GIA TP.HCM TRƢỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM Độc lập - Tự - Hạnh phúc NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ Họ tên học viên: LƢU THỊ THÚY HÒA Ngày, tháng, năm sinh: 18/01/1989 Chuyên ngành: Vật lý Kỹ thuật MSHV: 11124633 Nơi sinh: Đăk Lăk Mã số : 604417 I TÊN ĐỀ TÀI: XÁC ĐỊNH CÁC TÍNH CHẤT CỦA ĐẦU DỊ BẰNG CHƢƠNG TRÌNH PENELOPE II NHIỆM VỤ VÀ NỘI DUNG:  Tìm hiểu tổng quan đầu dị bán dẫn  Tìm hiểu vật liệu kim cƣơng CVD đầu dị kim cƣơng CVD  Tìm hiểu phƣơng pháp Monte Carlo chƣơng trình PENELOPE  Mơ tín hiệu xác định hiệu suất chƣơng trình PENELOPE III NGÀY GIAO NHIỆM VỤ : 21-01-2013 IV NGÀY HOÀN THÀNH NHIỆM VỤ : 21-06-2013 V CÁN BỘ HƢỚNG DẪN : TS Lý Anh Tú Tp HCM, ngày 21 tháng năm 2013 CÁN BỘ HƢỚNG DẪN (Họ tên chữ ký) CHỦ NHIỆM BỘ MÔN ĐÀO TẠO (Họ tên chữ ký) TRƢỞNG KHOA….……… (Họ tên chữ ký) LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM LỜI CẢM ƠN Trong trình học tập khoa Khoa học Ứng dụng chuyên ngành Vật lý Kỹ thuật, trƣờng Đại học Bách khoa Thành phố Hồ Chí Minh, tơi đƣợc giảng dạy tận tình thầy Tơi muốn gửi lời cảm ơn đến tất thầy cô giảng dạy suốt thời gian học tập trƣờng Tôi muốn gửi lời cảm ơn sâu sắc đến thầy Lý Anh Tú, ngƣời định hình cho tơi hƣớng để lựa chọn đề tài tận tình hƣớng dẫn tơi suốt q trình thực luận văn Xin gửi lời cảm ơn đến tất thầy cô hội đồng đọc, nhận xét, góp ý giúp tơi hồn chỉnh luận văn Tôi gửi lời cảm ơn đến bạn Nguyễn Anh Duy có ý kiến đóng góp quý báu nhiệt tình trình thực luận văn Lời cuối xin gửi lời cảm ơn đến gia đình bạn bè tơi, ngƣời ủng hộ, động viên suốt thời gian qua LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM TÓM TẮT LUẬN VĂN THẠC SĨ Kim cƣơng lắng đọng hóa học (CVD) vật liệu thú vị để chế tạo đầu dò xạ Kim cƣơng CVD có khả chịu đƣợc xạ vơ lớn, chịu đƣợc nhiệt độ cao mơi trƣờng ăn mịn cao, đặc biệt “tƣơng đƣơng với mơ” Luận văn mơ tả chế tạo đặc tính đầu dị bán dẫn kim cƣơng CVD, trình bày kết áp dụng phƣơng pháp Monte Carlo mã Penelope mô vận chuyển photon electron qua đầu dò kim cƣơng Các nghiên cứu bao gồm mơ tín hiệu hiệu suất đầu dò kim cƣơng CVD phụ thuộc vào lƣợng xạ, bề dày lớp tinh thể kim cƣơng, vị trí đặt nguồn xạ vật liệu điện cực ABSTRACT Chemical vapour deposition (CVD) diamond is a very interesting material for the fabrication of radiation detectors CVD diamond can withstand extremely hard radiation, high temperatures and highly corrosive environments, and especiallyit is also close "tissue-equivalent" In this thesis, we report on the fabrication and characterisation of CVD diamond radiation detectors, presents the results of application of Monte Carlo method code Penelope for simulation of photon and electron transport through diamond detector The studies coversimulation of signal and efficiency of diamond detector, the efficiency depends on radiant energy, diamond thicknesses, source position and electrode materials LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN TÓM TẮT LUẬN VĂN THẠC SĨ MỤC LỤC DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ DANH MỤC CÁC BẢNG 10 MỞ ĐẦU 11 CHƢƠNG 15 LÍ THUYẾT TỔNG QUAN VỀ ĐẦU DÒ BÁN DẪN 15 1.1 Lịch sử phát triển đầu dò xạ 15 1.2 Tƣơng tác xạ với vật chất 18 1.2.1 Tương tác photon với vật chất 18 1.2.1.1 Tán xạ Rayleigh 19 1.2.1.2 Hiệu ứng quang điện 21 1.2.1.3 Hiệu ứng Compton 22 1.2.1.4 Tạo cặp electron-positron 23 1.2.1.5 Hệ số hấp thụ 24 1.2.2 Tương tác hạt nhẹ tích điện với vật chất 25 1.2.2.1 Hiệu ứng ion hóa: 26 1.2.2.2 Sự phát xạ hãm: 27 1.2.2.3 Hiệu ứng Cherenkov 28 1.2.2.4 Quãng đường tự electron: 28 1.3 Đầu dò bán dẫn 29 1.3.1 Đặc điểm chung đầu dò photon 29 1.3.2 Quá trình vật lý đầu dị bán dẫn 31 1.3.3 Các kiểu đầu dò 35 1.3.4 Độ phân giải 36 1.4 Hiệu suất đầu dò 39 1.4.1 Khái niệm hiệu suất 39 1.4.2 Hiệu suất đỉnh lượng toàn phần: 41 1.4.3 Tổng hiệu suất: 45 CHƢƠNG 46 ĐẦU DÒ KIM CƢƠNG CVD 46 2.1 Vật liệu kim cƣơng CVD 46 2.1 Các thuộc tính kim cương 46 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM 2.1.2 Quá trình tổng hợp kim cương phương pháp CVD 49 2.1.2.1 Kim cương CVD: 49 2.1.2.2 Quá trình CVD: 52 2.2 Detector bán dẫn kim cƣơng CVD 58 2.2.1 Các detector kim cương ban đầu: 58 2.2.2 Cơ chế phát phóng xạ kim cương 61 2.2.2.1 Khoảng cách thu nhận điện tích: 63 2.2.2.2 Độ linh động, vận tốc trôi dạt điện trường 64 2.2.3 Xem xét tiếp xúc ohmic kim cương 67 2.2.4 Tiếp xúc cấy ion 67 2.2.5 Tiếp xúc không cấy ghép 69 CHƢƠNG 73 PHƢƠNG PHÁP MONTE CARLO VÀ CHƢƠNG TRÌNH PENELOPE 73 3.1 Phƣơng pháp Monte Carlo 73 3.2 Tổng quan chƣơng trình PENELOPE 75 3.2.1 Giới thiệu chương trình 75 3.2.2 Cấu trúc chương trình PENELOPE 76 3.2.2.1 Cơ sở liệu file vật chất nhập vào: 76 3.2.2.2 Cấu trúc chương trình (MAIN program) 81 CHƢƠNG 90 MƠ PHỎNG TÍN HIỆU VÀ XÁC ĐỊNH HIỆU SUẤT BẰNG CHƢƠNG TRÌNH PENELOPE 90 4.1 Đặt vấn đề 90 4.2 Mô tả hệ đo 90 4.3 Các bƣớc thực 90 4.3.1 Xây dựng mơ hình: 90 4.3.1.1 Xây dựng không gian mô 90 4.3.1.2 Xây dựng chương trình mơ 92 4.3.2 Mơ tín hiệu: 93 4.3.3 Tính hiệu suất đầu dò kim cương CVD 96 4.3.3.1 Khảo sát phụ thuộc hiệu suất đầu dò kim cương CVD vào lượng photon: 96 4.3.3.2 Khảo sát phụ thuộc hiệu suất đầu dò kim cương CVD vào độ dày lớp kim cương CVD 97 4.3.3.3 Khảo sát phụ thuộc hiệu suất đầu dò kim cương CVD vào vị trí nguồn xạ 99 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM 4.3.3.4 Khảo sát phụ thuộc hiệu suất đầu dò kim cương CVD vào vật liệu tiếp xúc 100 4.3.3.5 Khảo sát phụ thuộc hiệu suất đầu dò kim cương CVD vào lượng electron 102 KẾT LUẬN 106 HƢỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI 107 TÀI LIỆU THAM KHẢO 108 PHỤ LỤC A 111 PHỤ LỤC B 116 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ VÀ ĐỒ THỊ Hình 1.1: Tƣơng tác photon với vật chất 18 Hình 1.2: Các hệ số hình dạng nguyên tử carbon chì 20 Hình 1.3: Mối liên hệ lƣợng góc tán xạ 22 Hình 1.4: Phân bố cƣờng độ chùm tán xạ Compton theo góc tán xạ θ 23 Hình 1.5: Tƣơng tác tia gamma mỏng 25 Hình 1.6: Minh họa đầu dò phẳng 34 Hình 1.7: Các cấu hình khác đầu dò Ge Ge (Li) 35 Hình 1.8: Phổ lƣợng Cesi 137 kết chiều cao phổ xung từ đầu dị 40 Hình 1.9: Hiệu suất hình học, mối quan hệ nguồn đầu dò 40 Hình 2.1: Cấu trúc hình tứ diện kim cƣơng 46 Hình 2.2: Cấu trúc khối kim cƣơng 46 Hình 2.3: Cấu trúc hình lục giác phẳng than chì 47 Hình 2.4: Sự phụ thuộc mật độ hạt mang điện theo nhiệt độ 48 Hình 2.5: Sơ đồ pha Carbon 50 Hình 2.6: Nhìn từ phim đa tinh thể kim cƣơng CVD 51 Hình 2.7: Mặt cắt dọc phim kim cƣơng CVD dày 100µm 52 Hình 2.8: Sơ đồ phƣơng pháp phổ biến trình CVD 53 Hình 2.9: Sơ đồ pha lắng đọng kim cƣơng nguyên tử C-H-O 54 Hình 2.10: Sơ đồ chế tăng trƣởng kim cƣơng 55 Hình 2.11: Cơ chế trình chèn CH3 vào liên kết bề mặt 56 Hình 2.12: Phổ phát 214Am ghi nhận lớp kim cƣơng tự nhiên kim cƣơng CVD 60 Hình 2.13: Sơ đồ trơi dạt điện tích điển hình đầu dị phẳng 61 Hình 2.14: Máy dị kim cƣơng cấu hình đồng phẳng 61 Hình 2.15: Máy dị kim cƣơng cấu hình “sandwich” 62 Hình 2.16: Đồ thị biểu thị mối quan hệ vận tốc trôi dạt ⃗ điện trƣờng ⃗ 65 Hình 2.17: Cấu hình chiều sâu cấy ghép Boron trƣớc sau loại bỏ lớp graphit 68 Hình 2.18: Đặc trƣng I-V đầu dò kim cƣơng 72 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM Hình 3.1: So sánh phƣơng pháp Monte Carlo phƣơng pháp giải tích thời gian giải tốn độ phức tạp cấu hình 74 Hình 3.2: Sơ đồ chƣơng trình mơ chùm điện tử photon với Penelope 89 Hình 4.1: Đầu dị sau đƣợc định nghĩa hiển thị GVIEW 2D 91 Hình 4.2: Đồ thị ứng với mức lƣợng keV 93 Hình 4.3: Đồ thị ứng với mức lƣợng 10 keV 94 Hình 4.4: Đồ thị ứng với mức lƣợng 50 keV 94 Hình 4.5: Đồ thị ứng với mức lƣợng 80 keV 95 Hình 4.6: Đồ thị ứng với mức lƣợng 100 keV 95 Hình 4.7: Sự phụ thuộc hiệu suất theo lƣợng photon từ keV đến 100 keV 97 Hình 4.8: Đồ thị ứng với bề dày 10µm, 100µm, 1000µm, 2000µm, 4000µm 98 Hình 4.9: Sự phụ thuộc hiệu suất theo bề dày lớp kim cƣơng CVD từ µm đến 5000 µm 98 Hình 4.10: Đồ thị ứng với khoảng cách 0.05cm, 0.1cm, 0.5cm, 1cm, 3cm 99 Hình 4.11: Sự phụ thuộc hiệu suất vào vị trí nguồn xạ 100 Hình 4.12: Sự phụ thuộc hiệu suất vào vật liệu diode Cu, Ag, Ti, Au 101 Hình 4.13: Sự phụ thuộc hiệu suất vào vật liệu diode Au, Ti-Au, Cr-Au, Al-Au 101 Hình 4.14: Đồ thị ứng với mức lƣợng 0.1 MeV 102 Hình 4.15: Đồ thị ứng với mức lƣợng 0.6 MeV 103 Hình 4.16: Đồ thị ứng với mức lƣợng MeV 103 Hình 4.17: Đồ thị ứng với mức lƣợng MeV 104 Hình 4.18: Đồ thị ứng với mức lƣợng 16 MeV 104 Hình 4.19: Sự phụ thuộc hiệu suất theo lƣợng electron từ 0.1 MeV đến 18 MeV 105 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM KẾT LUẬN Về bản, luận văn cho ta thấy đƣợc cách tổng quát đặc điểm chung đầu dị trọng tâm đầu dò bán dẫn kim cƣơng CVD, loại đầu dò sử dụng vật liệu bán dẫn kim cƣơng CVD có nhiều ƣu điểm khắc phục đƣợc nhƣợc điểm vật liệu bán dẫn làm đầu dị trƣớc Luận văn với mục đích tìm hiểu đầu dị kim cƣơng CVD, mơ tín hiệu hiệu suất đầu dị chƣơng trình Penelope đạt đƣợc kết sau:  Trình bày lý thuyết về: đặc điểm đầu dò bán dẫn, tƣơng tác xạ vật chất, đặc tính chế tạo vật liệu kim cƣơng CVD, đặc điểm tính chất đầu dị xạ kim cƣơng CVD  Mơ tả chƣơng trình Penelope  Sử dụng Penelope để mơ tín hiệu tính hiệu suất hấp thụ lớp kim cƣơngCVD  Sử dụng Origin để xử lý tín hiệu đầu chƣơng trình Penelope  Vẽ đồ thị nhận xét kết đầu Trong mơ tín hiệu, tính tốn hiệu suất đầu dị kim cƣơngCVD theo bề dày lớp bán dẫn kim cƣơng CVD, lƣợng photon, vị trí đặt nguồn xạ, vật liệu điện cực… toán phức tạp tƣơng tác photon vật chất Bằng cách sử dụng chƣơng trình mơ PENELOPE theo phƣơng pháp Monte Carlo giải đƣợc vấn đề Theo kết thu đƣợc từ mô cho thấy đáp ứng đầu dò kim cƣơngCVD với nguồn xạ photon electron 106 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM HƢỚNG PHÁT TRIỂN ĐỀ TÀI Qua việc mơ xác định tính chất đầu dị kim cƣơng CVD chƣơng trình PENELOPE cho thấy chƣơng trình mơ giúp mở xu hƣớng nghiên cứu sử dụng PENELOPE mô nhiều lĩnh ngành vật lý, kĩ thuật y sinh Các kết tính tốn mơ có tính chất tham khảo định cần so sánh nhiều với kết phƣơng pháp khác kết thực tiễn Bởi phƣơng pháp mơ thực tiễn có nhiều điều kiện khác biệt sai lệch (nhƣ khác biệt vị trí hệ thống xạ thu nhận, góc chiếu kích thƣớc hệ thống, nhiệt độ…) Trong tƣơng lai cần xây dựng chƣơng trình mơ chun dụng để tính tốn hiệu suất đầu dị xác 107 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] E Pace et al., “Influence of metal-diamond interfaces on the response of UV photoconductors,” Elsevier Science Vol 10, pp.698-705, 2001 [2] Arnaldo Galbiati, Development of CVD Diamond Radiation Detectors, University of Surrey, UK, September 2003 [3] Bartosz Górka, Development of tissue-equivalent CVD-diamond radiation detectors with small interface effects,Stockholm University, Sweden, 2008 [4]S.J Stankovic et al., “Characterization of X-Ray Diamond Detector by Monte Carlo Method,” Acta physica polonica a Vol.115, pp.816-819, 2009 [5] Travis Tune, Computer Simulation of Radiation Detection in Diamond Detectors,The University of Tennessee, Knoxville, May 2012 [6] Nguyễn Xuân Hải, Đầu dò bán dẫn ứng dụng, Hà Nội, 2010 [7] Trần Phong Dũng, Châu Văn Tạo, Nguyễn Hải Dƣơng, Phương pháp ghi xạ ion hóa, TP Hồ Chí Minh: Nhà xuất Đại học Quốc Gia TP Hồ Chí Minh, 4/2005 [8] Glenn F knoll, Radiation Detection and Measurement,New York: John Wiley & Són, 1989 [9]Francesc Salvat, José M Fernández-Varea, Josep Sempau, PENELOPE, a code system for Monte Carlo simulation of electron and photon transport, Facultat de Fisica, Universitat de Barcelona, 2003 [10]Hubbell J.H et al., “Atomic form factors, incoherent scattering functions, and photon scattering cross sections”, J Phys Chem Ref Vol.4, pp.471-538, 1975 [11]Jerrold T Bushberg et al, The Essential Physics of Medical Imaging2nd edition, USA: Lippincott Williams & Wilkins, 2002 [12] Sze, S M., Simon Min,Semiconductor devices: physics and technology, 2nd ed., S Sze, Ed New York; Chichester: Wiley, 2001 [13]Markus Gabrysch, Electronic Properties of Diamond, Sweden: Uppsala universitet, pp.9-17, 2008 108 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM [14]Karl E Spear, John P Dismukes, Synthetic Diamond:Emerging CVD Science and Technology, New Jersey: The Electrochemical Society, March 1994 [15]F.P Bundy, “The P,T Phase and Reaction diagram for elemental Carbon”,Journal of Geophysical Research Vol.85, pp 6930-6936, 1980 [16] Angus, Proc First Intemat Sympos On Diamond and Diamond-like Films, Dismukes.Ed, New Jersey: The Electrochemical Society, June 1989, pp 1-13 [17] Werner and Locher, “Growth and application of doped and undoped diamond films”, Reports on Progress in Physics Vol.61,pp.1665-1710, December 1998 [18] Kawato and Kondo, “Effects of Oxygen on CVD Diamond Synthesis”, Japanese Journal of Applied Physics Vol.26, pp 1429-1432, June 1987 [19] M N R Ashfold et al., “Thin Film Diamond by Chemical Vapour Deposition Methods”, Chemical Society Reviews Vol.23, pp 21-30, 1994 [20] Hiumin Liu, Diamond Chemical Vapor Deposition: Nucleation and growth stages, USA: Noyes publications, 1995 [21] Markus Friedl, Diamond Detector for Ionizing Radiation, Vienna: University ofTechnology Vienna, January 1999 [22] Moreno, PhD Thesis, University of Bristol, 2002 [23] J.E Jutler et al., “Recent Progress in the Understanding of CVD Growth of Diamond”, in CVD Diamond for Electronic Devices and Sensors,Ricardo S SussmannEd., UK: John Wiley & Sons Ltd, 2009 [24]Robert Robertson, J J Fox, A E Martin, “Two Types of Diamond”, Phil Trans R Soc A232, pp.463-535, January 1934 [25] M B Breese et al., “Imaging of charge transport properties in polycrystalline CVD diamond using IBIC and IBIL microscopy”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Vol.181, pp 219-224,July 2001 [26] P.J Sellin and M.B.H Breese, “Spectroscopic response of coplanar diamond alpha particle detectors”, IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.48, pp.23072312, Dec 2001 109 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM [27] Mott N F and Gurney R W., Electronic Processes in Ionic Crystals, Oxford: Clarendon Press, 1940 [28] J Prins,“Bipolar transistor action in ion implanted diamond”,Appl Phys Lett.Vol.41, pp.950-952, 1982 [29] Braunstein and Kalish, “Effective p‐type doping of diamond by boron ion implantation”,J Appl Phys Vol 54, p.2106- 2108, (1983) [30] K.L Moazed, R Nguyen, J.R Zeidler;Ohmic contacts to semiconducting diamond, IEEE Electron Device Lett.Vol 9, pp.350-351, 1988 [31] J Prins; “Improved activation of boron-dopant atoms implanted into diamond”, Nucl Instrum Methods B Vol.35, p.484-487, December 1988 [32] Venkatesan,et al., “Evaluation of ohmic contacts formed by B+ implantation and Ti‐Au metallization on diamond”,Journal of Applied Physics Vol.74, pp 1179-1187, 1993 110 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM PHỤ LỤC A BẢNG KẾT QUẢ TÍNH TỐN HIỆU SUẤT TINH THỂ KIM CƢƠNG CVD TRONG CÁC TRƢỜNG HỢP MÔ PHỎNG Trƣờng hợp thay đổi lƣợng photon Năng lƣợng photon (keV) Hiệu suất lớp tinh thể (%) 83.48436 78.12374 10 44.55436 20 7.287318 30 2.070575 40 0.8291278 50 0.4030616 60 0.2243711 70 0.1361419 80 0.08828268 90 0.06072509 100 0.04382042 111 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM Trƣờng hợp thay đổi độ dày lớp tinh thể Độ dày lớp tinh thể (µm) Hiệu suất lớp tinh thể (%) 10 11.03518 40 14.19741 60 16.18148 100 19.91219 200 27.92861 300 34.51561 500 44.55511 700 51.78535 900 57.18987 1000 59.36662 1500 66.87971 2000 70.95600 3000 74.57339 4000 75.82890 5000 76.27920 6000 76.45171 8000 76.53528 10000 76.54973 Trƣờng hợp thay đổi vị trí nguồn 112 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM Vị trí nguồn (cm) Hiệu suất lớp tinh thể (%) 0.05 52.99221 0.06 51.17677 0.07 49.43136 0.08 47.74676 0.09 46.12916 0.1 44.55436 0.2 31.94848 0.3 23.48079 0.4 17.66529 0.5 13.61467 4.892211 1.5 2.396273 1.405931 2.5 0.9150886 0.6430953 3.5 0.4780681 Trƣờng hợp thay đổi vật liệu dẫn điện Loại vật liệu Hiệu suất lớp tinh thể (%) Cu 44.55436 113 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM Ag 43.02912 Ti 41.36627 Au 45.12278 Ti_Au 45.38552 Cr_Au 45.63110 Al_Au 45.16246 Trƣờng hợp thay đổi lƣợng electron Năng lƣợng photon (MeV) Hiệu suất lớp tinh thể (%) 0.1 80.40635 0.2 66.48837 0.3 65.14748 0.4 64.85050 0.6 64.79336 0.8 64.48160 55.91288 13.20953 2.875228 0.4725290 0.1368149 0.04321019 0.03329637 10 0.02877220 114 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM 14 0.01963248 16 0.01397091 18 0.01287207 115 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM PHỤ LỤC B Kết phổ lƣợng tƣơng ứng pddepen.dat sau chạy chƣơng trình PENDOSE, với mức lƣợng 10keV # Results from PENDOSES # Deposited energy distribution in body # 1st column: deposited energy (eV) # 2nd and 3rd columns: probability density and STE (1/(eV*particle)) 5.000000E+01 8.859334E-08 2.849448E-08 1.500000E+02 2.077361E-07 4.363286E-08 2.500000E+02 2.219925E-07 4.510519E-08 3.500000E+02 1.761684E-07 4.018115E-08 4.500000E+02 1.130329E-07 3.218564E-08 5.500000E+02 5.702560E-08 2.286103E-08 6.500000E+02 2.138460E-08 1.399949E-08 7.500000E+02 1.018314E-08 9.660573E-09 8.500000E+02 4.073257E-09 6.109884E-09 9.500000E+02 8.146514E-09 8.640680E-09 1.050000E+03 1.429998E-04 1.136586E-06 1.150000E+03 5.295234E-08 2.202945E-08 1.250000E+03 4.887909E-08 2.116521E-08 1.350000E+03 3.564100E-08 1.807325E-08 1.450000E+03 2.036629E-08 1.366211E-08 1.550000E+03 1.425640E-08 1.143054E-08 1.650000E+03 1.323809E-08 1.101475E-08 1.750000E+03 7.128200E-09 8.082616E-09 1.850000E+03 4.073257E-09 6.109884E-09 1.950000E+03 1.105644E-03 3.002113E-06 2.050000E+03 2.169009E-07 4.458494E-08 116 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM 2.150000E+03 2.006079E-07 4.287774E-08 2.250000E+03 1.293259E-07 3.442723E-08 2.350000E+03 5.193403E-08 2.181660E-08 2.450000E+03 2.138460E-08 1.399949E-08 2.550000E+03 9.164829E-09 9.164824E-09 2.650000E+03 1.018314E-09 3.054943E-09 2.750000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 2.850000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 2.950000E+03 7.128200E-09 8.082616E-09 3.050000E+03 6.109886E-09 7.483049E-09 3.150000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 3.250000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 3.350000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 3.450000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 3.550000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 3.650000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 3.750000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 3.850000E+03 1.018314E-09 3.054943E-09 3.950000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.050000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.150000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.250000E+03 1.018314E-09 3.054943E-09 4.350000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.450000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.550000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.650000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.750000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.850000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 4.950000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.050000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 117 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM 5.150000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.250000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.350000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.450000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.550000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.650000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.750000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.850000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 5.950000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.050000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.150000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.250000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.350000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.450000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.550000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.650000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.750000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.850000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 6.950000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.050000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.150000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.250000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.350000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.450000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.550000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.650000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.750000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.850000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 7.950000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.050000E+03 1.018314E-09 3.054943E-09 118 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM 8.150000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.250000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.350000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.450000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.550000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.650000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.750000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.850000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 8.950000E+03 5.906223E-08 2.326568E-08 9.050000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 9.150000E+03 1.000000E-35 1.000000E-35 9.250000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 9.350000E+03 2.036629E-09 4.320341E-09 9.450000E+03 4.073257E-09 6.109884E-09 9.550000E+03 1.120146E-08 1.013209E-08 9.650000E+03 2.138460E-08 1.399949E-08 9.750000E+03 9.164829E-09 9.164824E-09 9.850000E+03 1.018314E-08 9.660573E-09 9.950000E+03 7.622402E-03 4.075466E-06 119 LUẬN VĂN TỐT NGHIỆP ĐH Bách Khoa - ĐHQG Tp.HCM LÝ LỊCH TRÍCH NGANG Họ tên: LƢU THỊ THÚY HÒA Ngày tháng năm sinh: 18-01-1989 Nơi sinh: Đăk Lăk Địa liên lạc: 22/7, đƣờng số 8, phƣờng Linh Trung, quận Thủ Đức E-mail: luuthuyhoa0910@gmail.com QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO 2007 – 20011: Sinh viên Khoa Vật Lý, Trƣờng Đại Học Sƣ Phạm Tp Hồ Chí Minh 20011 – 20013: Học viên cao học ngành Vật lý Kỹ thuật, Trƣờng Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh Q TRÌNH CƠNG TÁC Hiện Giáo Viên Trƣờng THPT Sao Việt, Quận 7, Tp Hồ Chí Minh 120 ... loại đầu dị khác có đặc điểm vận hành khác Các đầu dị đƣợc trình bày gồm đầu dị khí, đầu dị nhấp nháy NaI(Tl), đầu dò Ge(Li), đầu dò Ge siêu tinh khiết đầu dò bán dẫn Si(Li) Rất nhiều đầu dò số... dùng chƣơng trình PENELOPE để xác định tính chất đầu dị kim cƣơng CVD, chủ yếu mơ xác định hiệu suất ghi xạ đầu dò vật liệu kim cƣơng CVD Quá trình nghiên cứu việc tìm hiểu tổng quan đầu dị bán... 604417 I TÊN ĐỀ TÀI: XÁC ĐỊNH CÁC TÍNH CHẤT CỦA ĐẦU DỊ BẰNG CHƢƠNG TRÌNH PENELOPE II NHIỆM VỤ VÀ NỘI DUNG:  Tìm hiểu tổng quan đầu dị bán dẫn  Tìm hiểu vật liệu kim cƣơng CVD đầu dị kim cƣơng CVD